Crescimento e investigação de fase semicondutora do siliceto de ferro

• Autor(a) principal: Douglas Rodrigues Miquita
• Data de Publicação: 2003
• Tipo de documento: Dissertação
• Idioma: por
• Título da fonte: Repositório Institucional da UFMG
• Texto Completo: http://hdl.handle.net/1843/ESCZ-5SJLJZ
• topic: Fase semicondutora; Física

Este trabalho trata da produção e investigação de silicetos de ferro obtidos por dois métodos de evaporação diferentes: a deposição de ferro sobre superfícies cristalinas de silício à temperatura ambiente seguida pela reação de estado sólido induzida por aquecimento (Epitaxia de Fase Sólida - SPE) e por deposição de ferro sobre o substrato de silício aquecido (Epitaxia de Deposição Reativa - RDE). O objetivo foi a busca das melhores condições para a produção do siliceto semicondutor beta-FeSi2. Os filmes foram produzidos sob diferentes regimes térmicos e analisados in-situ e ex-situ por Espectroscopia de Fotoelétrons de Raios-X (XPS), e ex-situ por Espectroscopia Mössbauer de Elétrons de Conversão (CEMS). Foram obtidos filmes de epsilon-FeSi e beta-FeSi2, além das misturas Fe3Si + epsilon-FeSi e epsilon-FeSi + beta-FeSi2.Foi verificado que a formação de beta-FeSi2 se dá pela transformação do epsilon-FeSi ao longo da espessura do filme em função da migração, ocasionada pelo aumento na temperatura e/ou tempo de recozimento, de átomos de silício em direção à superfície da amostra. Observou-se ainda que as condições termodinâmicas favoráveis a essa transformação ocorrem entre 700 0C e 800 0C para amostras preparadas por SPE, e entre 600 0C e 700 0C para amostras preparadas por RDE. Uma possível razão para essa diferença seria o fato da difusão de silício se dar através do filme de ferro no caso de SPE, enquanto que em RDE ela ocorre através do siliceto.