Defeitos e co-dopagem em uma monocamada de MoS2

• Autor(a) principal: Pedro Roberto Lopes Vieira
• Data de Publicação: 2023
• Tipo de documento: Dissertação
• Idioma: por
• Título da fonte: Repositório Institucional da UFMG
• Texto Completo: http://hdl.handle.net/1843/58142
• topic: Dissulfeto de molibdênio; Defeitos intrínsecos; Co-dopagem; Nanomateriais; Teoria do Funcional da Densidade; Estrutura eletrônica

Nesta dissertação, investigamos teoricamente, por métodos de primeiros princípios, propri edades estruturais e eletrônicas de defeitos em uma monocamada (MC) de dissulfeto de molibdênio (MoS2) na estrutura 2H. Consideramos defeitos nativos (vacâncias atômicas), o dopante aceitador substitucional de nióbio em um sítio de Mo, (MoS2 : N b), o dopante doador resultante de uma molécula de benzil viológeno (BZV) depositada sobre uma MC de MoS2 2H, (MoS2 + BZV) e, por fim, o par aceitador-doador (co-dopagem) consistindo destes dois dopantes (MoS2 : N b + BZV). Mostramos que as vacâncias alteram a estrutura eletrôncica do MoS2 MC, e que o dopante aceitador substitucional de nióbio induz um estado de defeito com a ausência de um elétron, próximo ao topo da banda de valência. Encontramos três configurações estáveis para a molécula BZV depositada na MC. Em todos os casos, molécula BZV, dá origem a dois estados ocupados próximos ao fundo da faixa de condução. Finalmente, mostramos que o par aceitador-doador dá origem a dois níveis profundos próximos ao centro da faixa do gap de energia, um totalmente ocupado e outro totalmente desocupado.