Espectroscopia de campo-próximo em sistemas bidimensionais

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Rodolfo Vieira Maximiano
Data de Publicação: 2012
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFMG
Texto Completo: http://hdl.handle.net/1843/MPDZ-8WSQAS
Resumo: Neste trabalho, desenvolvemos um modelo teórico que descreve o aumento do sinal Raman em sistemas 2D para experimentos de Tip-Enhanced Raman Spectroscopy (TERS), ou Espectroscopia Raman de campo-próximo. A análise quantifica o valor da intensidade Raman em regime de campo-próximo como função da distância ponta-amostra, do tensor polarizabilidade Raman, configuração do laser incidente e orientação da ponta relativa ao plano. A análise leva em conta ambos os regimes espacialmente coerentes e incoerentes de espalhamento, cujas intensidades variam proporcionalmente ao inverso da 10a e 8ia potência, respectivamente. Nós analisamos os resultados para os modos vibracionais que ocorrem em sistemas bidimensionais, por exemplo, grafeno e nitreto de boro, levando em conta a polarização da luz incidente nos modos linear e radial. Nossos resultados mostram que, para cada modo vibracional, há uma competição entre o melhor ângulo para excitar o dipolo formado na ponta e o dipolo Raman no material. Determinamos os ângulos ótimos para a medida em cada um desses casos. Todos esses parâmetros formam um guia para experimentos de TERS em materiais bidimensionais, como grafeno ou gases de elétrons bidimensionais, podendo ser estendido para materiais opacos como superfícies planas.
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