Estudo de bicamadas FM/AF e válvulas de spin por ressonância ferromagnética

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Thiago Eduardo Pedreira Bueno
Data de Publicação: 2014
Tipo de documento: Tese
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFMG
Texto Completo: http://hdl.handle.net/1843/BUBD-9ZBJ8L
Resumo: O tema deste estudo é a investigação de fenômenos magnéticos em multi-camadas metálicas compostas por camadas ferromagnéticas (FM), antiferromagnéticas (AF) e não magnéticas (NM). Foram fabricadas por sputtering bicamadas FM/AF (Py/IrMn) que apresentam o fenômeno de exchange bias e válvulas de spin (FM/NM/FM/AF - Py/Ru/FeCo/IrMn) que exibem acoplamento bilinear entre as camadas FMs. Foram explorados os efeitos da inclinação da amostra em relação à direção de evaporação e também da ação de um campo magnético aplicado durante o crescimento dos filmes. Amostras preparadas sob essas condições podem apresentar fortes anisotropias uniaxiais e o controle de tais propriedades é de grande interesse. As propriedades magnéticas desses sistemas foram caracterizadas por meio da técnica de ressonância ferromagnética (FMR). Destas medidas obtém-se dois parâmetros importantes: o campo de ressonância ferromagnética HR , cuja análise da dependência angular HR permite quantificar os campos efetivos de anisotropias magnéticas; e a largura de linha H , que fornece os mecanismos de relaxação da magnetização pela estudo da sua dependência angular H . Foi desenvolvido um método que permite controlar a direção da anisotropia de exchange bias em bicamadas FM/AF fabricadas por deposição oblíqua assistida por campo magnético ! H 0. Verificou-se que a inclinação entre a direção de evaporação e a normal ao substrato e determinante na direção do eixo de anisotropia uniaxial da camada ferromagnética devido ao efeito de self-shadowing. A primeira camada FM depositada (Py) cresce magnetizada paralelamente ao campo aplicado. Ao depositar o material antiferromagnético (IrMn), os momentos magnéticos das suas primeiras camadas se alinham ao do Py por intera c~ao de troca, e o restante dessa camada cresce com direção bem determinada de anisotropia antiferromagnética. Válvulas de spin foram fabricadas sem campo magnético aplicado em um sistema magnetron sputtering que possui duas inclinações fundamentais com forte influência sobre as propriedades das amostras: (i) inclinação entre as fontes magnetrons e o substrato, esta é responsável por induzir forte anisotropia uniaxial; (ii) ângulo entre as magnetrons adjacentes, esta é responsável por induzir eixos de anisotropia uniaxial não colineares. A não colinearidade induzida das anisotropias magnéticas foi identificada e quantificada por medidas de FMR. Este trabalho mostra a possibilidade de se projetar e fabricar válvulas de spin com direções bem determinadas dos eixos uniaxiais das camadas ferromagnéticas.
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As propriedades magnéticas desses sistemas foram caracterizadas por meio da técnica de ressonância ferromagnética (FMR). Destas medidas obtém-se dois parâmetros importantes: o campo de ressonância ferromagnética HR , cuja análise da dependência angular HR permite quantificar os campos efetivos de anisotropias magnéticas; e a largura de linha H , que fornece os mecanismos de relaxação da magnetização pela estudo da sua dependência angular H . Foi desenvolvido um método que permite controlar a direção da anisotropia de exchange bias em bicamadas FM/AF fabricadas por deposição oblíqua assistida por campo magnético ! H 0. Verificou-se que a inclinação entre a direção de evaporação e a normal ao substrato e determinante na direção do eixo de anisotropia uniaxial da camada ferromagnética devido ao efeito de self-shadowing. A primeira camada FM depositada (Py) cresce magnetizada paralelamente ao campo aplicado. Ao depositar o material antiferromagnético (IrMn), os momentos magnéticos das suas primeiras camadas se alinham ao do Py por intera c~ao de troca, e o restante dessa camada cresce com direção bem determinada de anisotropia antiferromagnética. Válvulas de spin foram fabricadas sem campo magnético aplicado em um sistema magnetron sputtering que possui duas inclinações fundamentais com forte influência sobre as propriedades das amostras: (i) inclinação entre as fontes magnetrons e o substrato, esta é responsável por induzir forte anisotropia uniaxial; (ii) ângulo entre as magnetrons adjacentes, esta é responsável por induzir eixos de anisotropia uniaxial não colineares. A não colinearidade induzida das anisotropias magnéticas foi identificada e quantificada por medidas de FMR. Este trabalho mostra a possibilidade de se projetar e fabricar válvulas de spin com direções bem determinadas dos eixos uniaxiais das camadas ferromagnéticas.The theme of this work is the investigation of magnetic phenomena of metallic multilayers composed of ferromagnetic (FM), antiferromagnetic (AF) and nonmagnetic (NM) layers. We have fabricated by sputtering FM/AF (Py/IrMn) bilayers, which present exchange bias and spin valves (FM/NM/FM/AF - Py/Ru/FeCo/IrMn) that exhibit bilinear coupling between FMs layers. The e ects of the tilt angle of the sample relative to the evoparation direction as well as the in uence of a magnetic eld applied during lm growth were explored. Samples prepared under these conditions may show strong uniaxial anisotropy and the control of such properties is of great interest. Magnetic properties of these systems have been characterized by ferromagnetic resonance (FMR). These measurements yield two important parameters: the ferromagnetic resonance eld HR , whose analysis of the angular dependence in lm plane HR allows the determination of the e ective magnetic anisotropy eld; and the line widths H , which provide the magnetization relaxation mechanisms by studying its angular dependence H . A method was developed to control the direction of the exchange bias anisotropy in FM/AF bilayers fabricated by oblique deposition assisted by magnetic eld ! H 0 . It was found that the inclination between the evaporation direction and the substrate normal determines the uniaxial anisotropy direction of the ferromagnetic layer due to the self shadowing e ect. The rst deposited FM layer (Py) grows magnetized parallel to the applied eld. By depositing the antiferromagnetic material (IrMn), the magnetic moments of its rst layers allign to the Py layers by the exchange interaction, and the rest of this layer grows in a well-determined direction of antiferromagnetic anisotropy. Spin valves were fabricated without an applied magnetic eld in a magnetron sputtering system which has two fundamental inclinations, with strong in uence on the sample properties: (i) the tilt angle between the magnetron sources and the substrate, which is responsible to induce strong uniaxial anisotropy; (ii) the angle between adjacent magnetrons, which is responsible to inducing noncollinear uniaxial anisotropy axes. The induced non-collinearity of the magnetic anisotropies was identi ed and quanti ed by FMR measurements. This work shows the possibility to design and fabricate spin valves with well-de ned directions of the axes of the uniaxial ferromagnetic layers.Universidade Federal de Minas GeraisUFMGFilmes finosRessonância ferromagnéticaAnisotropia magnetocristalinafilmes finosAnisotropiaFísicaEstudo de bicamadas FM/AF e válvulas de spin por ressonância ferromagnéticainfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisinfo:eu-repo/semantics/openAccessporreponame:Repositório Institucional da UFMGinstname:Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)instacron:UFMGORIGINALtesethiagobueno_final.pdfapplication/pdf8343273https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/BUBD-9ZBJ8L/1/tesethiagobueno_final.pdfffe410f0d82519f304c4368950f8466eMD51TEXTtesethiagobueno_final.pdf.txttesethiagobueno_final.pdf.txtExtracted texttext/plain228663https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/BUBD-9ZBJ8L/2/tesethiagobueno_final.pdf.txt0aa9564a8cdc52b61240677128f92d85MD521843/BUBD-9ZBJ8L2019-11-14 09:58:33.256oai:repositorio.ufmg.br:1843/BUBD-9ZBJ8LRepositório de PublicaçõesPUBhttps://repositorio.ufmg.br/oaiopendoar:2019-11-14T12:58:33Repositório Institucional da UFMG - Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)false
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