Dispersão de fônons na vizinhança do ponto de Dirac do grafeno por espalhamento Raman

• Autor(a) principal: Daniela Lopes Mafra
• Data de Publicação: 2008
• Tipo de documento: Dissertação
• Idioma: por
• Título da fonte: Repositório Institucional da UFMG
• Texto Completo: http://hdl.handle.net/1843/IACO-7KVSAE
• topic: Estrutura cristalina; Espalhamento Raman; Dispersão de fônons; Grafeno; Estrutura cristalina; Espalhamento (Física); Espalhamento de ressonância; Espectroscopia de Raman; Física; Grafeno

A relação de dispersão de fônons é uma das propriedades físicas mais fundamentais de um sólido. Nesse trabalho, a Espectroscopia Raman com dupla Ressonância foi usada para determinar a dispersão dos ramos de fônons longitudinal acústico (LA) e transversal óptico no plano (iTO) próxima ao ponto de Dirac (ponto K da zona de Brillouin) de uma mostra de grafeno através da análise da dispersão de duas bandas de segunda ordem originadas de um processo inter-vale: a banda G - e a banda G*. A banda G*, em aproximadamente 2700cm-1, envolve dois fônons do ramo iTO com vetor de onda q » 2k, onde q e k são os vetores de onda do fônon e do elétron, respectivamente, medidos a partir do ponto K. Já a banda G*, em aproximadamente 2450 cm-1, também vem de dois fônons com q » 2k, porém um do ramo iTO e outro do LA. Portanto, a freqüência dos fônons LA e iTO podem ser obtidas a partir da medida da freqüência dessas duas bandas. Os resultados experimentais foram comparados com os resultados obtidos para grafite turbostrático e também com diferentes relações de dispersão de fônons calculadas teoricamente. Além disso, também é mostrado que as velocidades dos fônons envolvidos nesse processo Raman com dupla ressonância são dadas por LA=7.70 x 10-3 F  e TO=5.47 x 10-3 F, onde F é a velocidade de Fermi dos elétrons na proximidade do ponto de Dirac.