Detalhes bibliográficos
Título da fonte: Repositório Institucional da UFMG
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spelling Rodrigo Gribel LacerdaVon Braun NascimentoRicardo Wagner NunesWelyson Tiano dos Santos Ramos2019-08-13T21:01:25Z2019-08-13T21:01:25Z2013-11-22http://hdl.handle.net/1843/BUBD-9ESEWRNeste trabalho estudamos a influência do hidrogênio (na etapa de recozimento do cobre) no processo de crescimento de grafeno em folhas de cobre utilizando a técnica de deposição química na fase vapor (LPCVD). Para tal finalidade, propomos duas maneiras diferentes de expor o cobre aos gases utilizados no processo: encapsular o cobre entre duas placas de quartzo; deixar uma superfície do cobre exposta diretamente aos gases. Estamos interessados aqui em entender os efeitos do tratamento térmico (por meio do H2 durante a etapa de recozimento) na superfície do cobre. Para isso, utilizamos a técnica de microscopia eletrônica de varredura (MEV) e de força atômica (AFM). Foi observada uma correlação entre a rugosidade da superfície do cobre (após o tratamento) e a concentração de H2 utilizada no tratamento, sendo que o processo de tratamento encapsulado propicia uma superfície mais adequada ao crescimento. Observamos também que a utilização de altas concentrações de hidrogênio durante o recozimento do cobre provoca rasgos nos filmes de grafeno. Além disso, também processamos uma condição ideal para o crescimento de grafeno e obtivemos filmes de monocamadas de grafeno de alta qualidade. Finalmente, viabilizamos o processo de transferência desses filmes para o SiO2/Si. Os filmes de grafeno obtidos foram caracterizados por diferentes técnicas, entre elas: MEV, microscopia óptica e espectroscopia Raman.In this work we are interested in studying the influence of hydrogen (due to the annealing step of the copper) in the growth process of graphene on copper sheets, using the technique of chemical vapor deposition (LPCVD). For this purpose, we propose two different ways of exposing the copper to gases used in the process: encapsulating the copper between two quartz plates; leaving a copper surface directly exposed to the gases. We are interested in understanding the effects of heat treatment (using H2 during the annealing step) on the surface of the copper. For this, we use the technique of scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM). A correlation was observed between the surface roughness of the copper (after treatment) and H2 concentration used in the treatment, and the treatment procedure encapsulated provides a surface more suitable for the growth. We also observed that the use of high concentrations of hydrogen during annealing of copper causes tears in graphene films. Furthermore, we want to establish an ideal condition for the growth of graphene and get films of monolayer graphene of high quality. We intend to facilitate the process of transfer these films to SiO2/Si. The graphene films obtained were characterized by different techniques, including: SEM, optical microscopy and Raman spectroscopy.Universidade Federal de Minas GeraisUFMGEstrutura cristalinaDeposição quimica de vaporCobreEspectroscopia de RamanFísicaGrafenoFísicaInfluência do tratamento de hidrogênio no crescimento de grafeno a baixa pressãoinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisinfo:eu-repo/semantics/openAccessporreponame:Repositório Institucional da UFMGinstname:Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)instacron:UFMGORIGINALversao_final_welyson.pdfapplication/pdf3077253https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/BUBD-9ESEWR/1/versao_final_welyson.pdf4556f3d1dd1dae65eef39d2b56bf8aa9MD51TEXTversao_final_welyson.pdf.txtversao_final_welyson.pdf.txtExtracted texttext/plain152622https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/BUBD-9ESEWR/2/versao_final_welyson.pdf.txt3397049c2cb50f25ce0303b7f6900f8eMD521843/BUBD-9ESEWR2019-11-14 16:32:41.945oai:repositorio.ufmg.br:1843/BUBD-9ESEWRRepositório InstitucionalPUBhttps://repositorio.ufmg.br/oaiopendoar:2019-11-14T19:32:41Repositório Institucional da UFMG - Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)false
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