Estudo das estruturas atômicas de superfície dos isolantes topológicos Bi2Se3 e Bi2Te3, e de filmes finos de La0.7Sr0.3MnO3

• Autor(a) principal: Diogo Duarte dos Reis
• Data de Publicação: 2014
• Tipo de documento: Tese
• Idioma: por
• Título da fonte: Repositório Institucional da UFMG
• Texto Completo: http://hdl.handle.net/1843/BUOS-9PXK5B
• topic: Física; Superfícies (Física); Filmes finos; Física

As propriedades físico-químicas, elétricas, magnéticas e ópticas de uma superfície podem ser vistas como função de sua estrutura eletrônica que é fortemente relacionada à estrutura atômica. Além disso, a criação de uma superfície representa uma quebra da periodicidade em uma direção do cristal, o que pode acarretar em mudanças estruturais e por consequência gerar mudanças nas propriedades supracitadas. Assim é de extrema importância a determinação experimental das estruturas de superfícies para um completo entendimento das características de um material. Nesta tese, a técnica de difração de elétrons de baixa energia (LEED) foi aplicada à investigação das estruturas atômicas das superfícies (111) de dois isolantes topológicos Bi2Se3 e Bi2Te3, e também ao estudo da evolução da estrutura cristalográfica com a espessura de filmes finos do manganato dopado La0:7Sr0:3MnO3 crescidos sobre um substrato de SrTiO3. Os resultados encontrados para o Bi2Te3 e para o Bi2Se3 mostraram que estas superfícies sofrem pequenas relaxações, sendo quase do tipo bulk terminated. Dentre os detalhes investigados minuciosamente estão o valor do gap de Van der Waals, devido a suposições de sua influência na estrutura eletrônica desses materiais. A investigação estrutural dos filmes de La0:7Sr0:3MnO3 foi realizada durante o estágio sanduíche no Departamento de Astronomia e Física da Louisiana State University, Estados Unidos da América, sob supervisão do Prof. Ward Plummer. Esse estudo mostrou que a superfície sofre alterações estequiométricas e também estruturais em relação ao volume. Foi dada especial atenção à evolução do ângulo das ligações O-Mn-O, que representam uma distorção tipo Jahn-Teller e, ao fator de tolerância, que apresenta um mínnimo quando a espessura em que ocorre a transição metal-isolante é alcançada.