Espalhamento de raios-X em ilhas auto-construídas de InAs

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Angelo Malachias de Souza
Data de Publicação: 2002
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFMG
Texto Completo: http://hdl.handle.net/1843/ESCZ-5KUH5M
Resumo: Este trabalho é um estudo de propriedades químicas e estruturais de ilhas de InAs crescidas sobre GaAs (001) utilizando resultados de espalhamento superficial de raios-X com radiação síncrotron. A técnica de difração de raios-X sob incidência rasante foi empregada para diferenciar ilhas coerentes e incoerentes em amostras crescidas a diferentes temperaturas e com coberturas variadas. Para isto foi feito um modelo de uma ilha piramidal deformada que permitiu correlacionar dimensões e estado de deformação das nanoestruturas no plano do substrato. O grau de interdifusão de GaAs proveniente do substrato foi obtido nas ilhas de maneira original, medindo-se diretamente a deformação volumétrica das células cristalinas. A razão de Poisson estabeleceu um limite elástico para a deformação tetragonal. Qualquer variação nesta deformação foi associada à presença de átomos de Ga nas ilhas.
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