Fotodectores de Monocamada de Dissulfeto de Molibdênio (MoS2)

• Autor(a) principal: Andreij de Carvalho Gadelha
• Data de Publicação: 2015
• Tipo de documento: Dissertação
• Idioma: por
• Título da fonte: Repositório Institucional da UFMG
• Texto Completo: http://hdl.handle.net/1843/SMRA-BDNGYW
• topic: MoS2; fotocondução com energia menor que o Gap; materiais 2D; transistores de efeito de campo I; Transistores; Fotocondução com energia menor que o Gap; Transistores de efeito de campo

O MoS2, assim como o grafite, é um cristal composto por camadas atômicas, cuja monocamada pode ser obtida por esfoliação micromecânica. Sua vantagem, porém, é a existência de "Gap" direto de energia, o que favorece sua aplicação na área de optoeletrônica.Aproveitando este potencial, neste trabalho fabricamos transistores de efeito de campo, com base na monocamada de MoS2, e estudamos fotocorrentes. Foram utilizadas duas condiçõesde excitação: Laser com energia maior e com energia menor do que o "Gap" da monocamada. No primeiro caso, obtivemos fotocorrentes mais intensas e com longos tempos de decaimento, demonstrando que o MoS2 possui boa fotoresponsividade a esta energia. O segundo caso,no entanto, não seria factível, pois a excitação é menor que o "Gap" de energia. Apesar disto, todas as amostras apresentaram fotocorrentes, embora com magnitudes inferiores - o que sugere a presença de estados de defeitos interiores ao "Gap". As medidas foram feitas com a amostra em diferentes ambientes e temperaturas. A fotocorrente, por sua vez, apresentou comportamentos distintos para as diversas condições impostas. Com base em nossos resultados, sugerimos que a fotocorrente em MoS2 é mediada por estados de defeitos interiores ao "Gap". Estes seriam os responsáveis pela fotocorrente com excitação abaixo do "Gap".