Tecnologia para texturização hemisférica suave de células solares fotovoltaicas
Autor(a) principal: | |
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Data de Publicação: | 2007 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Repositório Institucional da UFMG |
Texto Completo: | http://hdl.handle.net/1843/BUOS-8D4HNP |
Resumo: | O uso de células solares de Silício tem aumentado nas últimas décadas. Esta fonte alternativa de energia ganha mais espaço no mercado, à medida que a eficiência do dispositivo aumenta, como resultado de intensas pesquisas de universidades e centros tecnológicos. Na Fundação Centro Tecnológico de Minas Gerais CETEC MG, onde parte deste trabalho foi desenvolvido, a preparação do Silício para utilização em células solares ocorre desde sua purificação até a deposição sobre um substrato dopado. Neste trabalho, a texturização do substrato de Silício para aumento da área exposta ao Sol é utilizada como uma possibilidade de melhoria da eficiência de conversão de uma célula solar fotovoltaica. Os métodos atualmente utilizados aumentam a área da superfície da célula, sem controle preciso das pequenas pirâmides (hillocks) ou cavidades piramidais obtidas a partir de corrosão anisotrópica da superfície. A proposta aqui apresentada é a utilização de cavidades hemisféricas suaves na superfície do Silício, obtidas a partir da corrosão anisotrópica do Silício em solução aquosa de hidróxido de potássio (KOH). O procedimento é compatível com processos de fabricação de células de Silício e dispensa máscara litográfica. Este método oferece controle preciso dos parâmetros da matriz de cavidades e requer apenas uma máscara de exposição e duas etapas de corrosão. As análises de ganho de área e redução da refletância comprovam a potencialidade da texturização para aumento da eficiência de conversão das células solares. Uma comparação entre a superfície texturizada com cavidades hemisféricas suaves e a superfície plana é apresentada, bem como a perfilometria das texturas. Para a obtenção da junção pn da célula solar, um tipo de deposição física de vapores é utilizado com assistência de plasma de Argônio. Este plasma é empregado com os objetivos de acelerar o processo de deposição e homogeneizar a camada depositada. As características do plasma são captadas através de uma sonda de Langmuir. |
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Davies William de Lima MonteiroJose Roberto Tavares BrancoJose Osvaldo Saldanha PaulinoWagner Nunes RodriguesWallace do Couto BoaventuraFernanda Pelegrini Honorato2019-08-14T07:13:56Z2019-08-14T07:13:56Z2007-12-10http://hdl.handle.net/1843/BUOS-8D4HNPO uso de células solares de Silício tem aumentado nas últimas décadas. Esta fonte alternativa de energia ganha mais espaço no mercado, à medida que a eficiência do dispositivo aumenta, como resultado de intensas pesquisas de universidades e centros tecnológicos. Na Fundação Centro Tecnológico de Minas Gerais CETEC MG, onde parte deste trabalho foi desenvolvido, a preparação do Silício para utilização em células solares ocorre desde sua purificação até a deposição sobre um substrato dopado. Neste trabalho, a texturização do substrato de Silício para aumento da área exposta ao Sol é utilizada como uma possibilidade de melhoria da eficiência de conversão de uma célula solar fotovoltaica. Os métodos atualmente utilizados aumentam a área da superfície da célula, sem controle preciso das pequenas pirâmides (hillocks) ou cavidades piramidais obtidas a partir de corrosão anisotrópica da superfície. A proposta aqui apresentada é a utilização de cavidades hemisféricas suaves na superfície do Silício, obtidas a partir da corrosão anisotrópica do Silício em solução aquosa de hidróxido de potássio (KOH). O procedimento é compatível com processos de fabricação de células de Silício e dispensa máscara litográfica. Este método oferece controle preciso dos parâmetros da matriz de cavidades e requer apenas uma máscara de exposição e duas etapas de corrosão. As análises de ganho de área e redução da refletância comprovam a potencialidade da texturização para aumento da eficiência de conversão das células solares. Uma comparação entre a superfície texturizada com cavidades hemisféricas suaves e a superfície plana é apresentada, bem como a perfilometria das texturas. Para a obtenção da junção pn da célula solar, um tipo de deposição física de vapores é utilizado com assistência de plasma de Argônio. Este plasma é empregado com os objetivos de acelerar o processo de deposição e homogeneizar a camada depositada. As características do plasma são captadas através de uma sonda de Langmuir.The use of Silicon solar cells has been increasing in the last decades. This alternative form of energy acquires more market space as device efficiency increases. At Fundação Centro Tecnológico de Minas Gerais - CETEC-MG, where part of this research was developed, Silicon is prepared to be used in solar cells from its purification to its deposition on the doped bulk. On this research, the bulk Silicon texturization to increase the exposed area to the Sun is used as a possibility to improve conversion efficiency of solar cells. Current methods to improve solar-cell efficiency through texturization rely on area gain and employ either a poorly controlled population of the surface with small pyramids (hillocks) or an anisotropic etching of the surface to yield an array of pyramidal pits, respectively. We propose to use a feature of the anisotropic etching of bulk Silicon, to texture the front cell surface with a contiguous array of smooth hemispherical cavities. The method is compatible with the fabrication process of Silicon solar cell and there is no need for a high-definition lithographic mask. This method offers an accurate control of the array parameters and only requires a single exposure mask and two etch steps with a Potassium Hydroxide (KOH) aqueous solution. The area gain and the reflectance reduction analysis prove the texturing capability to increase the conversion efficiency of solar cells. We compare a textured surface with a plane surface and analyze the profile of the textures. To obtain the p-n junction, it is used a kind of physical vapor deposition with Argon plasma assistance. This plasma is used to accelerate the deposition and to improve the deposited thin film. A Langmuir probe is used to obtain the plasma characteristics.Universidade Federal de Minas GeraisUFMGEngenharia elétricaEngenharia ElétricaTecnologia para texturização hemisférica suave de células solares fotovoltaicasinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisinfo:eu-repo/semantics/openAccessporreponame:Repositório Institucional da UFMGinstname:Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)instacron:UFMGORIGINALfernanda_pelegrini_honorato_proen_a.pdfapplication/pdf1563883https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/BUOS-8D4HNP/1/fernanda_pelegrini_honorato_proen_a.pdf579184fa160b40b4700ce0b9f29f25a4MD51TEXTfernanda_pelegrini_honorato_proen_a.pdf.txtfernanda_pelegrini_honorato_proen_a.pdf.txtExtracted texttext/plain137564https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/BUOS-8D4HNP/2/fernanda_pelegrini_honorato_proen_a.pdf.txtcc5b89e922b0743c932fd858e40b0bd4MD521843/BUOS-8D4HNP2019-11-14 13:47:11.51oai:repositorio.ufmg.br:1843/BUOS-8D4HNPRepositório de PublicaçõesPUBhttps://repositorio.ufmg.br/oaiopendoar:2019-11-14T16:47:11Repositório Institucional da UFMG - Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)false |
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