Tecnologia para texturização hemisférica suave de células solares fotovoltaicas

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Fernanda Pelegrini Honorato
Data de Publicação: 2007
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFMG
Texto Completo: http://hdl.handle.net/1843/BUOS-8D4HNP
Resumo: O uso de células solares de Silício tem aumentado nas últimas décadas. Esta fonte alternativa de energia ganha mais espaço no mercado, à medida que a eficiência do dispositivo aumenta, como resultado de intensas pesquisas de universidades e centros tecnológicos. Na Fundação Centro Tecnológico de Minas Gerais CETEC MG, onde parte deste trabalho foi desenvolvido, a preparação do Silício para utilização em células solares ocorre desde sua purificação até a deposição sobre um substrato dopado. Neste trabalho, a texturização do substrato de Silício para aumento da área exposta ao Sol é utilizada como uma possibilidade de melhoria da eficiência de conversão de uma célula solar fotovoltaica. Os métodos atualmente utilizados aumentam a área da superfície da célula, sem controle preciso das pequenas pirâmides (hillocks) ou cavidades piramidais obtidas a partir de corrosão anisotrópica da superfície. A proposta aqui apresentada é a utilização de cavidades hemisféricas suaves na superfície do Silício, obtidas a partir da corrosão anisotrópica do Silício em solução aquosa de hidróxido de potássio (KOH). O procedimento é compatível com processos de fabricação de células de Silício e dispensa máscara litográfica. Este método oferece controle preciso dos parâmetros da matriz de cavidades e requer apenas uma máscara de exposição e duas etapas de corrosão. As análises de ganho de área e redução da refletância comprovam a potencialidade da texturização para aumento da eficiência de conversão das células solares. Uma comparação entre a superfície texturizada com cavidades hemisféricas suaves e a superfície plana é apresentada, bem como a perfilometria das texturas. Para a obtenção da junção pn da célula solar, um tipo de deposição física de vapores é utilizado com assistência de plasma de Argônio. Este plasma é empregado com os objetivos de acelerar o processo de deposição e homogeneizar a camada depositada. As características do plasma são captadas através de uma sonda de Langmuir.
id UFMG_d8df33d6af7bede271bb89cadfaeef27
oai_identifier_str oai:repositorio.ufmg.br:1843/BUOS-8D4HNP
network_acronym_str UFMG
network_name_str Repositório Institucional da UFMG
repository_id_str
spelling Davies William de Lima MonteiroJose Roberto Tavares BrancoJose Osvaldo Saldanha PaulinoWagner Nunes RodriguesWallace do Couto BoaventuraFernanda Pelegrini Honorato2019-08-14T07:13:56Z2019-08-14T07:13:56Z2007-12-10http://hdl.handle.net/1843/BUOS-8D4HNPO uso de células solares de Silício tem aumentado nas últimas décadas. Esta fonte alternativa de energia ganha mais espaço no mercado, à medida que a eficiência do dispositivo aumenta, como resultado de intensas pesquisas de universidades e centros tecnológicos. Na Fundação Centro Tecnológico de Minas Gerais CETEC MG, onde parte deste trabalho foi desenvolvido, a preparação do Silício para utilização em células solares ocorre desde sua purificação até a deposição sobre um substrato dopado. Neste trabalho, a texturização do substrato de Silício para aumento da área exposta ao Sol é utilizada como uma possibilidade de melhoria da eficiência de conversão de uma célula solar fotovoltaica. Os métodos atualmente utilizados aumentam a área da superfície da célula, sem controle preciso das pequenas pirâmides (hillocks) ou cavidades piramidais obtidas a partir de corrosão anisotrópica da superfície. A proposta aqui apresentada é a utilização de cavidades hemisféricas suaves na superfície do Silício, obtidas a partir da corrosão anisotrópica do Silício em solução aquosa de hidróxido de potássio (KOH). O procedimento é compatível com processos de fabricação de células de Silício e dispensa máscara litográfica. Este método oferece controle preciso dos parâmetros da matriz de cavidades e requer apenas uma máscara de exposição e duas etapas de corrosão. As análises de ganho de área e redução da refletância comprovam a potencialidade da texturização para aumento da eficiência de conversão das células solares. Uma comparação entre a superfície texturizada com cavidades hemisféricas suaves e a superfície plana é apresentada, bem como a perfilometria das texturas. Para a obtenção da junção pn da célula solar, um tipo de deposição física de vapores é utilizado com assistência de plasma de Argônio. Este plasma é empregado com os objetivos de acelerar o processo de deposição e homogeneizar a camada depositada. As características do plasma são captadas através de uma sonda de Langmuir.The use of Silicon solar cells has been increasing in the last decades. This alternative form of energy acquires more market space as device efficiency increases. At Fundação Centro Tecnológico de Minas Gerais - CETEC-MG, where part of this research was developed, Silicon is prepared to be used in solar cells from its purification to its deposition on the doped bulk. On this research, the bulk Silicon texturization to increase the exposed area to the Sun is used as a possibility to improve conversion efficiency of solar cells. Current methods to improve solar-cell efficiency through texturization rely on area gain and employ either a poorly controlled population of the surface with small pyramids (hillocks) or an anisotropic etching of the surface to yield an array of pyramidal pits, respectively. We propose to use a feature of the anisotropic etching of bulk Silicon, to texture the front cell surface with a contiguous array of smooth hemispherical cavities. The method is compatible with the fabrication process of Silicon solar cell and there is no need for a high-definition lithographic mask. This method offers an accurate control of the array parameters and only requires a single exposure mask and two etch steps with a Potassium Hydroxide (KOH) aqueous solution. The area gain and the reflectance reduction analysis prove the texturing capability to increase the conversion efficiency of solar cells. We compare a textured surface with a plane surface and analyze the profile of the textures. To obtain the p-n junction, it is used a kind of physical vapor deposition with Argon plasma assistance. This plasma is used to accelerate the deposition and to improve the deposited thin film. A Langmuir probe is used to obtain the plasma characteristics.Universidade Federal de Minas GeraisUFMGEngenharia elétricaEngenharia ElétricaTecnologia para texturização hemisférica suave de células solares fotovoltaicasinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisinfo:eu-repo/semantics/openAccessporreponame:Repositório Institucional da UFMGinstname:Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)instacron:UFMGORIGINALfernanda_pelegrini_honorato_proen_a.pdfapplication/pdf1563883https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/BUOS-8D4HNP/1/fernanda_pelegrini_honorato_proen_a.pdf579184fa160b40b4700ce0b9f29f25a4MD51TEXTfernanda_pelegrini_honorato_proen_a.pdf.txtfernanda_pelegrini_honorato_proen_a.pdf.txtExtracted texttext/plain137564https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/BUOS-8D4HNP/2/fernanda_pelegrini_honorato_proen_a.pdf.txtcc5b89e922b0743c932fd858e40b0bd4MD521843/BUOS-8D4HNP2019-11-14 13:47:11.51oai:repositorio.ufmg.br:1843/BUOS-8D4HNPRepositório de PublicaçõesPUBhttps://repositorio.ufmg.br/oaiopendoar:2019-11-14T16:47:11Repositório Institucional da UFMG - Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)false
dc.title.pt_BR.fl_str_mv Tecnologia para texturização hemisférica suave de células solares fotovoltaicas
title Tecnologia para texturização hemisférica suave de células solares fotovoltaicas
spellingShingle Tecnologia para texturização hemisférica suave de células solares fotovoltaicas
Fernanda Pelegrini Honorato
Engenharia Elétrica
Engenharia elétrica
title_short Tecnologia para texturização hemisférica suave de células solares fotovoltaicas
title_full Tecnologia para texturização hemisférica suave de células solares fotovoltaicas
title_fullStr Tecnologia para texturização hemisférica suave de células solares fotovoltaicas
title_full_unstemmed Tecnologia para texturização hemisférica suave de células solares fotovoltaicas
title_sort Tecnologia para texturização hemisférica suave de células solares fotovoltaicas
author Fernanda Pelegrini Honorato
author_facet Fernanda Pelegrini Honorato
author_role author
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Davies William de Lima Monteiro
dc.contributor.advisor-co1.fl_str_mv Jose Roberto Tavares Branco
dc.contributor.referee1.fl_str_mv Jose Osvaldo Saldanha Paulino
dc.contributor.referee2.fl_str_mv Wagner Nunes Rodrigues
dc.contributor.referee3.fl_str_mv Wallace do Couto Boaventura
dc.contributor.author.fl_str_mv Fernanda Pelegrini Honorato
contributor_str_mv Davies William de Lima Monteiro
Jose Roberto Tavares Branco
Jose Osvaldo Saldanha Paulino
Wagner Nunes Rodrigues
Wallace do Couto Boaventura
dc.subject.por.fl_str_mv Engenharia Elétrica
topic Engenharia Elétrica
Engenharia elétrica
dc.subject.other.pt_BR.fl_str_mv Engenharia elétrica
description O uso de células solares de Silício tem aumentado nas últimas décadas. Esta fonte alternativa de energia ganha mais espaço no mercado, à medida que a eficiência do dispositivo aumenta, como resultado de intensas pesquisas de universidades e centros tecnológicos. Na Fundação Centro Tecnológico de Minas Gerais CETEC MG, onde parte deste trabalho foi desenvolvido, a preparação do Silício para utilização em células solares ocorre desde sua purificação até a deposição sobre um substrato dopado. Neste trabalho, a texturização do substrato de Silício para aumento da área exposta ao Sol é utilizada como uma possibilidade de melhoria da eficiência de conversão de uma célula solar fotovoltaica. Os métodos atualmente utilizados aumentam a área da superfície da célula, sem controle preciso das pequenas pirâmides (hillocks) ou cavidades piramidais obtidas a partir de corrosão anisotrópica da superfície. A proposta aqui apresentada é a utilização de cavidades hemisféricas suaves na superfície do Silício, obtidas a partir da corrosão anisotrópica do Silício em solução aquosa de hidróxido de potássio (KOH). O procedimento é compatível com processos de fabricação de células de Silício e dispensa máscara litográfica. Este método oferece controle preciso dos parâmetros da matriz de cavidades e requer apenas uma máscara de exposição e duas etapas de corrosão. As análises de ganho de área e redução da refletância comprovam a potencialidade da texturização para aumento da eficiência de conversão das células solares. Uma comparação entre a superfície texturizada com cavidades hemisféricas suaves e a superfície plana é apresentada, bem como a perfilometria das texturas. Para a obtenção da junção pn da célula solar, um tipo de deposição física de vapores é utilizado com assistência de plasma de Argônio. Este plasma é empregado com os objetivos de acelerar o processo de deposição e homogeneizar a camada depositada. As características do plasma são captadas através de uma sonda de Langmuir.
publishDate 2007
dc.date.issued.fl_str_mv 2007-12-10
dc.date.accessioned.fl_str_mv 2019-08-14T07:13:56Z
dc.date.available.fl_str_mv 2019-08-14T07:13:56Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://hdl.handle.net/1843/BUOS-8D4HNP
url http://hdl.handle.net/1843/BUOS-8D4HNP
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.publisher.none.fl_str_mv Universidade Federal de Minas Gerais
dc.publisher.initials.fl_str_mv UFMG
publisher.none.fl_str_mv Universidade Federal de Minas Gerais
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório Institucional da UFMG
instname:Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)
instacron:UFMG
instname_str Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)
instacron_str UFMG
institution UFMG
reponame_str Repositório Institucional da UFMG
collection Repositório Institucional da UFMG
bitstream.url.fl_str_mv https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/BUOS-8D4HNP/1/fernanda_pelegrini_honorato_proen_a.pdf
https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/BUOS-8D4HNP/2/fernanda_pelegrini_honorato_proen_a.pdf.txt
bitstream.checksum.fl_str_mv 579184fa160b40b4700ce0b9f29f25a4
cc5b89e922b0743c932fd858e40b0bd4
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional da UFMG - Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1803589513041149952