Estudos ab initio de alta precisão aplicados à pequenas moléculas

• Autor(a) principal: Cayo Emílio Monteiro Gonçalves
• Data de Publicação: 2018
• Tipo de documento: Tese
• Idioma: por
• Título da fonte: Repositório Institucional da UFMG
• Texto Completo: http://hdl.handle.net/1843/SFSA-AY8RRF
• topic: superfície de energia; potencial; CNO; F12; acoplamento spin-órbita; Si3; MRCI; Moleculas Simulação por computador; Silicio; Schrodinger, Equação de; Físico química; Superfícies de energia Potencial

 Este trabalho teve como objetivo calcular propriedades moleculares de pequenos sistemas utilizando para este fim apenas primeiros princípios (ab initio) em seu estado-da-arte. Foram estudados dois sistemas compostos por três átomos: Si3, que há décadas tem chamado o interesse da comunidade científica após ter sido detectado em espectros de estrelas e posteriormente na aplicação na área de semicondutores; e o sistema CNO, cujos componentes desempenham um papel fundamental e ainda em estudo na química da atmosfera terrestre. O trímero de silício exibe uma complexa configuração de estados eletrônicos, e neste trabalho vários deles foram caracterizados. Uma atenção especial foi dada aos dois de mais baixa energia (X1A1) e (3B2) e o acoplamento spin-órbita entre eles foi calculado. Existia na literatura uma incerteza com relação a qual dos dois estados era de fato o mais baixo e neste trabalho ficou claro que se trata do (X1A1). Dados de geometrias, frequências vibracionais e energias relativas também são atualizados para um nível de cálculo atual como o Muti- Reference Configuration Interaction incluindo a correção para o limite da base completa. Já para o CNO foi construída uma superfície de energia potencial global para o estado (X2A'), cujas energias foram obtidas por cálculos Explicitly-Correlated Multi-Reference Configuration Interaction e ajustadas para a forma funcional do método Double Many-Body Expansion. Diversas geometrias importantes e suas frequências de vibração são caracterizadas. A superfície é idealizada para cálculos da dinâmica e cinética reacional do sistema.