Estudo e implementação de transistor orgânico vertical de efeito de campo com eletrodo intermediário naturalmente permeável

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Kvitschal, Adan
Data de Publicação: 2015
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFPR
Texto Completo: https://hdl.handle.net/1884/40841
Resumo: Orientador: Prof. Dr. Ivo Alexandre Hümmelgen
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spelling Kvitschal, AdanUniversidade Federal do Paraná. Setor de Ciências Exatas. Programa de Pós-Graduaçao em FísicaHummelgen, Ivo Alexandre, 1963-2018-07-27T14:50:05Z2018-07-27T14:50:05Z2015https://hdl.handle.net/1884/40841Orientador: Prof. Dr. Ivo Alexandre HümmelgenDissertação (mestrado) - Universidade Federal do Paraná, Setor de Ciências Exatas, Programa de Pós-Graduação em Física. Defesa: Curitiba, 04/08/2015Inclui referências : f. 72-74Resumo: Este trabalho apresenta uma analise de modelos para o transistor vertical de efeito de campo com fonte permeável. Investiga-se também mecanismos de transporte eletrônico em superfícies metal-semicondutor. As analises são feitas com base em semicondutores de estado solido e estendidas a eletrônica molecular com a inclusão de algumas considerações. Em seguida são realizados experimentos para o controle da morfologia de um filme fino metálico em uma única etapa de evaporação térmica, a fim de obter permeabilidade a passagem de campos elétricos no sentido ortogonal sem perda de condutância no sentido planar. A morfologia e aferida através de microscopia de forca atômica, sendo que os dados são correlacionados com medidas de resistência de folha. Finalmente são realizados dois transistores com eletrodo intermediário permeabilizado através da técnica mencionada acima, porem com dois semicondutores moleculares diferentes, o fulereno e a ftalocianina de cobre. Os resultados obtidos revelam um comportamento ambipolar do dispositivo com ftalocianina como semicondutor, apresentando ganho de corrente, relação on/off e transcondutância relativamente altos em comparação a dispositivos orgânicos da literatura, além de tensões de operação abaixo de 5 V. Palavras-Chave: Eletrônica Orgânica, Transistor Vertical de Efeito de Campo, Filme Fino, Ftalocianina, Ambipolar, Baixa Tensão, Eletrodo PermeávelAbstract: In this work, an analysis of models for the vertical field effect transistor with permeable source electrode as well as basic charge transfer mechanisms in metalsemiconductor interfaces is presented. These analyses are made considering solidstate semiconductors and then extending the concept to molecular semiconductors with the introduction of some considerations. Also, experiments concerning the morphology control of thin metal films in a single thermal evaporation step are realized, aiming the achievement of orthogonal electric field permeability without loss of in-plane conductivity. The morphology is analyzed by atomic force microscope imaging, and the data is correlated to sheet resistance measurements. Finally, two transistors are realized using an intermediate electrode permeabilized trough the techniques described above, however two different molecular semiconductor are utilized; fullerene and copper phtalocyanine. The results show an ambipolar behavior for the phtalocyanine device, with high current gain, on/off ratio and transconductance in comparison to other organic devices in the literature, as well as operating voltages below 5 V. Keywords: Organic Electronics, Vertical Field Effect Transistor, Thin Film, Pthalocyanine, Ambipolar, Low Voltage, Permeable Electrode76 f. : il. algumas color., grafs., tabs.application/pdfDisponível em formato digitalFísicaEletronica quanticaTransistores de efeito de campoEletrodosTesesEstudo e implementação de transistor orgânico vertical de efeito de campo com eletrodo intermediário naturalmente permeávelinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisporreponame:Repositório Institucional da UFPRinstname:Universidade Federal do Paraná (UFPR)instacron:UFPRinfo:eu-repo/semantics/openAccessTEXTR - D - ADAN KVITSCHAL.pdf.txtExtracted Texttext/plain122762https://acervodigital.ufpr.br/bitstream/1884/40841/1/R%20-%20D%20-%20ADAN%20KVITSCHAL.pdf.txt8d8f6c9f0fe7e28c0376d9b079051afcMD51open accessORIGINALR - D - ADAN KVITSCHAL.pdfapplication/pdf2115897https://acervodigital.ufpr.br/bitstream/1884/40841/2/R%20-%20D%20-%20ADAN%20KVITSCHAL.pdf37f4901a7bf91f283ca8b898413cbb68MD52open accessTHUMBNAILR - D - ADAN KVITSCHAL.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg1173https://acervodigital.ufpr.br/bitstream/1884/40841/3/R%20-%20D%20-%20ADAN%20KVITSCHAL.pdf.jpg74004c530787c7ab85b95bf3f4e6e607MD53open access1884/408412018-07-27 11:50:05.546open accessoai:acervodigital.ufpr.br:1884/40841Repositório de PublicaçõesPUBhttp://acervodigital.ufpr.br/oai/requestopendoar:3082018-07-27T14:50:05Repositório Institucional da UFPR - Universidade Federal do Paraná (UFPR)false
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