Inclusão de quadripólos concentrados em simulação eletromagnética por elementos finitos no domínio do tempo

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Chiamenti, Ismael
Data de Publicação: 2008
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFPR
Texto Completo: https://hdl.handle.net/1884/15660
Resumo: Orientador: Wilson Arnaldo Artuzi Júnior
id UFPR_e07a0b253f3986c33334a88ad8f33f41
oai_identifier_str oai:acervodigital.ufpr.br:1884/15660
network_acronym_str UFPR
network_name_str Repositório Institucional da UFPR
repository_id_str 308
spelling Universidade Federal do Paraná. Setor de Tecnologia. Programa de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaArtuzi Junior, Wilson ArnaldoChiamenti, Ismael2024-04-25T18:46:43Z2024-04-25T18:46:43Z2008https://hdl.handle.net/1884/15660Orientador: Wilson Arnaldo Artuzi JúniorDissertação (mestrado) - Universidade Federal do Paraná, Setor de Tecnologia, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica. Defesa: Curitiba, 2008Inclui bibliografiaResumo: Esta dissertação trata da simulação de um amplificador de microondas através do método numérico de análise eletromagnética por elementos finitos no domínio do tempo. O transistor sobre o qual é construído o amplificador é modelado matematicamente a partir de seu circuito equivalente com parâmetros concentrados. Dois modelos matemáticos do transistor são desenvolvidos e incluídos no método FETD (Finite Element Time Domain). O primeiro modelo corresponde à operação do transistor próximo ao seu ponto de polarização e é um modelo linear e seus resultados são analisados através dos parâmetros de pequenos sinais do amplificador de microondas. O segundo modelo emprega os pesos de uma rede neural artificial para incluir no modelo linear o comportamento não linear do transistor, sendo validado através da análise das componentes harmônicas do sinal de saída em função do sinal de entrada. Os resultados são comparados com outros métodos numéricos para fins de validação. Os resultados no modelo linear convergiram para o esperado enquanto que o modelo não linear necessita de aprimoramentoThis work concerns with the simulation of a microwave amplifier using the FETD (Finite Element Time Domain) method. The transistor used to construct the amplifier is mathematically modeled based on its lumped element equivalent circuit. Two models were developed and included in FETD method. The first one applies to the linear operation of the transistor near to the bias point. The model is linear and the results are analyzed by means of microwave amplifier small signal parameters. The second model uses an artificial neural network structure to take into account the nonlinear behavior of the transistor. Harmonic components are used to analyze the results by comparison with another numerical method presented in the literature. The linear model presents the expected results but the nonlinear model, however, needs to be improvedxiv, 66f. : il., grafs., tabs.application/pdfDisponível em formato digitalAmplificadores de microondasMetodo dos elementos finitosTransistoresEngenharia eletricaInclusão de quadripólos concentrados em simulação eletromagnética por elementos finitos no domínio do tempoinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisporreponame:Repositório Institucional da UFPRinstname:Universidade Federal do Paraná (UFPR)instacron:UFPRinfo:eu-repo/semantics/openAccessORIGINALDissertacao_Ismael.pdfapplication/pdf602535https://acervodigital.ufpr.br/bitstream/1884/15660/1/Dissertacao_Ismael.pdfb3b4a3725bcbf32ec38610b860caf462MD51open accessTEXTDissertacao_Ismael.pdf.txtExtracted Texttext/plain96279https://acervodigital.ufpr.br/bitstream/1884/15660/2/Dissertacao_Ismael.pdf.txt15ea882ad8bb776e99ac5d14b5a17917MD52open accessTHUMBNAILDissertacao_Ismael.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg1339https://acervodigital.ufpr.br/bitstream/1884/15660/3/Dissertacao_Ismael.pdf.jpgaa952f6a8483f026e58542a3791db195MD53open access1884/156602024-04-25 15:46:44.006open accessoai:acervodigital.ufpr.br:1884/15660Repositório de PublicaçõesPUBhttp://acervodigital.ufpr.br/oai/requestopendoar:3082024-04-25T18:46:44Repositório Institucional da UFPR - Universidade Federal do Paraná (UFPR)false
dc.title.pt_BR.fl_str_mv Inclusão de quadripólos concentrados em simulação eletromagnética por elementos finitos no domínio do tempo
title Inclusão de quadripólos concentrados em simulação eletromagnética por elementos finitos no domínio do tempo
spellingShingle Inclusão de quadripólos concentrados em simulação eletromagnética por elementos finitos no domínio do tempo
Chiamenti, Ismael
Amplificadores de microondas
Metodo dos elementos finitos
Transistores
Engenharia eletrica
title_short Inclusão de quadripólos concentrados em simulação eletromagnética por elementos finitos no domínio do tempo
title_full Inclusão de quadripólos concentrados em simulação eletromagnética por elementos finitos no domínio do tempo
title_fullStr Inclusão de quadripólos concentrados em simulação eletromagnética por elementos finitos no domínio do tempo
title_full_unstemmed Inclusão de quadripólos concentrados em simulação eletromagnética por elementos finitos no domínio do tempo
title_sort Inclusão de quadripólos concentrados em simulação eletromagnética por elementos finitos no domínio do tempo
author Chiamenti, Ismael
author_facet Chiamenti, Ismael
author_role author
dc.contributor.other.pt_BR.fl_str_mv Universidade Federal do Paraná. Setor de Tecnologia. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Artuzi Junior, Wilson Arnaldo
dc.contributor.author.fl_str_mv Chiamenti, Ismael
contributor_str_mv Artuzi Junior, Wilson Arnaldo
dc.subject.por.fl_str_mv Amplificadores de microondas
Metodo dos elementos finitos
Transistores
Engenharia eletrica
topic Amplificadores de microondas
Metodo dos elementos finitos
Transistores
Engenharia eletrica
description Orientador: Wilson Arnaldo Artuzi Júnior
publishDate 2008
dc.date.issued.fl_str_mv 2008
dc.date.accessioned.fl_str_mv 2024-04-25T18:46:43Z
dc.date.available.fl_str_mv 2024-04-25T18:46:43Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv https://hdl.handle.net/1884/15660
url https://hdl.handle.net/1884/15660
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.pt_BR.fl_str_mv Disponível em formato digital
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv xiv, 66f. : il., grafs., tabs.
application/pdf
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório Institucional da UFPR
instname:Universidade Federal do Paraná (UFPR)
instacron:UFPR
instname_str Universidade Federal do Paraná (UFPR)
instacron_str UFPR
institution UFPR
reponame_str Repositório Institucional da UFPR
collection Repositório Institucional da UFPR
bitstream.url.fl_str_mv https://acervodigital.ufpr.br/bitstream/1884/15660/1/Dissertacao_Ismael.pdf
https://acervodigital.ufpr.br/bitstream/1884/15660/2/Dissertacao_Ismael.pdf.txt
https://acervodigital.ufpr.br/bitstream/1884/15660/3/Dissertacao_Ismael.pdf.jpg
bitstream.checksum.fl_str_mv b3b4a3725bcbf32ec38610b860caf462
15ea882ad8bb776e99ac5d14b5a17917
aa952f6a8483f026e58542a3791db195
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional da UFPR - Universidade Federal do Paraná (UFPR)
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1801860722602278912

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