Espalhamento de elétrons por moléculas de CCl4, XF4 (X=Si, Ge) e 1,2-butadieno

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Moreira, Giseli Maria
Data de Publicação: 2016
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFPR
Texto Completo: https://hdl.handle.net/1884/43209
Resumo: Orientador: Prof. Dr. Márcio Henrique Franco Bettega
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spelling Universidade Federal do Paraná. Setor de Ciências Exatas. Programa de Pós-Graduação em FísicaBettega, Marcio Henrique Franco, 1964-Moreira, Giseli Maria2023-06-05T13:38:31Z2023-06-05T13:38:31Z2016https://hdl.handle.net/1884/43209Orientador: Prof. Dr. Márcio Henrique Franco BettegaDissertação (mestrado) - Universidade Federal do Paraná, Setor de Ciências Exatas, Programa de Pós-Graduação em Física. Defesa: Curitiba, 24/02/2016Inclui referências : f. 95-104Resumo: Nesta dissertação apresentamos os resultados calculados para o espalhamento elástico de elétrons por moléculas de CCl4, XF4(X=Si,Ge) e 1,2-butadieno. As moléculas alvo foram descritas na aproximação de núcleos fixos (Born-Oppenheimmer), através do método de Hartree-Fo k. Para os cálculos de espalhamento, utilizamos o método multicanal de Schwinger, implementado com pseudopotenciais de Bachelet, Hamann e Schlüter. Dentro desse método utilizamos duas aproximações para descrever o efeito de interação do elétron incidente com a molécula alvo, a saber, aproximação estático-troca, a qual não leva em onta a deformação da nuvem eletronica do alvo pelo elétron incidente, e a estático-troca mais polarização, na qual é permitida a deformação da nuvem eletronica. Para o CCl4 mostramos a seção de hoque integral, seção de choque de transferência de momento e seções de choque diferenciais. Detectamos a presença de duas ressonâncias de forma na seção de choque em 0,75 eV e 8 eV, e também um estado ligado. Para o SiF4 e GeF4, obtivemos as seções de choque integral, transferência de momento e diferenciais. No SiF4 observamos a presença de uma ressonância de forma em 8,5 eV e um mínimo de Ramsauer-Townsend em 0,45 eV. No GeF4 observamos uma ressonância de forma ao longo da seção de choque em 6 eV, e também a presença de um estado virtual. Para o 1,2-butadieno o procedimento Born- closure foi empregado para levar em conta o efeito do momento de dipolo e calculamos a seção de choque integral. Encontramos uma ressonância pronunciada nessa seção de choque em 2,4 eV, valor muito próximo ao da posição da ressonância encontrada no aleno em 2,5 eV. As ressonâncias identificadas nas seções de choque foram caracterizadas e suas posições comparadas com os resultados experimentais e de outros métodos teóricos disponíveis na literatura, com os quais obtivemos uma boa concordânciaAbstract: In this work we present the results for al ulations of the elasti ele tron s attering by CCl4, XF4(X=Si,Ge) and 1,2-butadiene mole ules. The targets were des ribed within the _xed-nu lei approximation (Born-Oppenheimmer) through the Hartree-Fo k method. The s attering al ulations were done using the S hwinger multi hanel method imple- mented with pseudopotentials of Ba helet, Hamann and S hlüter. Within these methods, we used two approa hes to des ribe the e_e t of intera tion of the in ident ele tron with the target mole ule: the stati -ex hange approximation, whi h ignores the deformation of the target ele troni loud due to the in oming ele tron, and stati -ex hange plus po- larization, whi h allows this deformation. For CCl4, SiF4 and GeF4 we show the integral, momentum transfer and di_erential ross se tions. For 1,2-butadiene, we show the inte- gral and di_erential ross se tions and employ the Born- losure pro edure to take into a ount the e_e t of dipole moment in this mole ule. We also ompared the position of the resonan es with the allene integral ross se tion. For the CCl4 we dete ted two shape resonan es in the ross se tion at 0.75 eV and 8 eV and also a bound state. In SiF4 and GeF4 we observed resonan es at 8.5 eV to SiF4 and 6 eV to GeF4, and we investigated the presen e of a Ramsauer-Townsend minimum at 0.45 eV to SiF4 mole ule and a virtual state to the GeF4 mole ule. Finally, we ompared the ICS of 1,2-butadiene with allene to identify and hara terize their resonan es at 2.4 eV and 2.5 eV. Resonan es identi_ed in the ross se tions were hara terized and their positions ompared with experimental results and other theoreti al methods available in the literature, with whi h we obtained a good agreement.104 f. : il. algumas color ; 30 cm.application/pdfDisponível em formato digitalFísicaEspalhamento (Fisica)Colisões (Fisica)Eletronica molecularEspalhamento de elétrons por moléculas de CCl4, XF4 (X=Si, Ge) e 1,2-butadienoinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisporreponame:Repositório Institucional da UFPRinstname:Universidade Federal do Paraná (UFPR)instacron:UFPRinfo:eu-repo/semantics/openAccessORIGINALR - D - GISELI MARIA MOREIRA.pdfapplication/pdf3855352https://acervodigital.ufpr.br/bitstream/1884/43209/1/R%20-%20D%20-%20GISELI%20MARIA%20MOREIRA.pdf1816ef461c6686ee68e22bad8ac34defMD51open access1884/432092023-06-05 10:38:31.143open accessoai:acervodigital.ufpr.br:1884/43209Repositório de PublicaçõesPUBhttp://acervodigital.ufpr.br/oai/requestopendoar:3082023-06-05T13:38:31Repositório Institucional da UFPR - Universidade Federal do Paraná (UFPR)false
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