Eletrodeposição de óxido de zinco com inibidores de corrosão

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Garcia, Bruno Pienis
Data de Publicação: 2014
Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFRGS
Texto Completo: http://hdl.handle.net/10183/159238
Resumo: A deposição de camadas de ZnO nanoestruturadas em metais é comumente utilizada no campo eletrônico e voltaico. Por meio da eletrodeposição, é possível formar nanoestruturas (pilares, cones, flores, etc.), e se criar rugosidades, à escala nanométrica ou submicrométrica. Devido a sua elevada área superficial específica, este tipo de estrutura pode ser benéfica para o controle e aumento da aderência, propiciando que as ligações entre substrato e revestimento possam ser realizadas através de interações químicas e mecânicas. Para aplicações eletrônicas, o tempo de deposição é geralmente mais longo que 1 minuto e para que possa ser considerado como industrialmente viável este processo (por exemplo, chapa de aço plano e indústria de folhas metálicas), este tempo deve ser fortemente reduzido. O principal objetivo do presente trabalho consiste em investigar o processo de deposição de ZnO, de modo a formar camadas de ZnO nanoestruturadas, com boas propriedades de colagem, no periodo de alguns segundos de deposição e tentar melhorar a eficácia anticorrosiva incorporando inibidores, pois o ZnO é muito suscetível a corrosão em atmosferas ácidas e alcalinas tendo como parâmetros dados industriais e revestimentos com semelhante emprego. Dois processos diferentes de deposição foram empregues para a investigação de cada inibidor: 1 STEP e 2 STEPS. Estes dois tipos de deposições foram realizadas para estudar cuidadosamente o comportamento de cada inibidor na superfície do aço inoxidável que foi o material escolhido para a composição deste estudo, uma vez que exibe uma corrosão limitada nas condições utilizadas de deposição e também por formar nanodepósitos bem organizados e com morfologia esperada em sua superfície.
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