Estudo e aplicação de um fluxo de análise de trilha de alimentação

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Reckziegel, Everton
Data de Publicação: 2010
Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFRGS
Texto Completo: http://hdl.handle.net/10183/25603
Resumo: Tecnologias sub-100nm têm visto um incremento em questões relativas à confiabilidade e integridade de sinais. O aumento da densidade dos transistores, o aumento da freqüência de operação, a redução das dimensões do chip têm contribuído para o aumento na probabilidade de ocorrência de quedas de tensão e de eletromigração. Quedas de tensão afetam a temporização do circuito podendo causar falhas funcionais. A eletromigração pode provocar defeitos físicos em dispositivos semicondutores. O principal objetivo deste trabalho é o desenvolvimento de um fluxo capaz de analisar e detectar falhas causadas por queda de tensão e eletromigração antes do tape-out. O fluxo criado é inserido em um fluxo de desenvolvimento standard cell utilizado pela indústria. A análise de um projeto ASIC de 90 nm é realizada e os resultados são apresentados.
id UFRGS-2_78b64748f9c7ee3d39e4ab534d0f270c
oai_identifier_str oai:www.lume.ufrgs.br:10183/25603
network_acronym_str UFRGS-2
network_name_str Repositório Institucional da UFRGS
repository_id_str
spelling Reckziegel, EvertonWirth, Gilson Inacio2010-09-09T04:19:55Z2010http://hdl.handle.net/10183/25603000754631Tecnologias sub-100nm têm visto um incremento em questões relativas à confiabilidade e integridade de sinais. O aumento da densidade dos transistores, o aumento da freqüência de operação, a redução das dimensões do chip têm contribuído para o aumento na probabilidade de ocorrência de quedas de tensão e de eletromigração. Quedas de tensão afetam a temporização do circuito podendo causar falhas funcionais. A eletromigração pode provocar defeitos físicos em dispositivos semicondutores. O principal objetivo deste trabalho é o desenvolvimento de um fluxo capaz de analisar e detectar falhas causadas por queda de tensão e eletromigração antes do tape-out. O fluxo criado é inserido em um fluxo de desenvolvimento standard cell utilizado pela indústria. A análise de um projeto ASIC de 90 nm é realizada e os resultados são apresentados.Sub-100nm CMOS tecnologies have seen an increase in reliability and signal integrity issues. The increase in transistor density, the higher operation frequencies, the reduction of chip dimensions have contributed to the increasing probability of voltage drop and electromigration. Voltage drop affects timing and may cause functional failures. Electromigration can lead to physical failures in semiconductor devices. The main goal of this work is the development of an analysis flow capable of detect electromigration and voltage drop failures before the tape-out. The new flow is integrated into a physical design flow. The analysis of a 90 nm ASIC design is done and results are presented.application/pdfporMicroeletrônicaCircuitos integradosMicroeletronicsIntegrated circuitsStandard cellsPower analysisReliabilityVoltage dropEletromigrationEstudo e aplicação de um fluxo de análise de trilha de alimentaçãoStudy and application of a rail analysis flow info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/bachelorThesisUniversidade Federal do Rio Grande do SulInstituto de InformáticaPorto Alegre, BR-RS2010Engenharia de Computaçãograduaçãoinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional da UFRGSinstname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)instacron:UFRGSORIGINAL000754631.pdf000754631.pdfTexto completoapplication/pdf1554454http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/25603/1/000754631.pdf06db7478bba7527b6c5513e9b8a99504MD51TEXT000754631.pdf.txt000754631.pdf.txtExtracted Texttext/plain94898http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/25603/2/000754631.pdf.txt6388aa8530da6cd4423df8467519ef4dMD52THUMBNAIL000754631.pdf.jpg000754631.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg974http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/25603/3/000754631.pdf.jpg3cdbed50af96a7ca2cc9a6c0df2ed363MD5310183/256032018-10-18 07:36:23.715oai:www.lume.ufrgs.br:10183/25603Repositório de PublicaçõesPUBhttps://lume.ufrgs.br/oai/requestopendoar:2018-10-18T10:36:23Repositório Institucional da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)false
dc.title.pt_BR.fl_str_mv Estudo e aplicação de um fluxo de análise de trilha de alimentação
dc.title.alternative.en.fl_str_mv Study and application of a rail analysis flow
title Estudo e aplicação de um fluxo de análise de trilha de alimentação
spellingShingle Estudo e aplicação de um fluxo de análise de trilha de alimentação
Reckziegel, Everton
Microeletrônica
Circuitos integrados
Microeletronics
Integrated circuits
Standard cells
Power analysis
Reliability
Voltage drop
Eletromigration
title_short Estudo e aplicação de um fluxo de análise de trilha de alimentação
title_full Estudo e aplicação de um fluxo de análise de trilha de alimentação
title_fullStr Estudo e aplicação de um fluxo de análise de trilha de alimentação
title_full_unstemmed Estudo e aplicação de um fluxo de análise de trilha de alimentação
title_sort Estudo e aplicação de um fluxo de análise de trilha de alimentação
author Reckziegel, Everton
author_facet Reckziegel, Everton
author_role author
dc.contributor.author.fl_str_mv Reckziegel, Everton
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Wirth, Gilson Inacio
contributor_str_mv Wirth, Gilson Inacio
dc.subject.por.fl_str_mv Microeletrônica
Circuitos integrados
topic Microeletrônica
Circuitos integrados
Microeletronics
Integrated circuits
Standard cells
Power analysis
Reliability
Voltage drop
Eletromigration
dc.subject.eng.fl_str_mv Microeletronics
Integrated circuits
Standard cells
Power analysis
Reliability
Voltage drop
Eletromigration
description Tecnologias sub-100nm têm visto um incremento em questões relativas à confiabilidade e integridade de sinais. O aumento da densidade dos transistores, o aumento da freqüência de operação, a redução das dimensões do chip têm contribuído para o aumento na probabilidade de ocorrência de quedas de tensão e de eletromigração. Quedas de tensão afetam a temporização do circuito podendo causar falhas funcionais. A eletromigração pode provocar defeitos físicos em dispositivos semicondutores. O principal objetivo deste trabalho é o desenvolvimento de um fluxo capaz de analisar e detectar falhas causadas por queda de tensão e eletromigração antes do tape-out. O fluxo criado é inserido em um fluxo de desenvolvimento standard cell utilizado pela indústria. A análise de um projeto ASIC de 90 nm é realizada e os resultados são apresentados.
publishDate 2010
dc.date.accessioned.fl_str_mv 2010-09-09T04:19:55Z
dc.date.issued.fl_str_mv 2010
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
format bachelorThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://hdl.handle.net/10183/25603
dc.identifier.nrb.pt_BR.fl_str_mv 000754631
url http://hdl.handle.net/10183/25603
identifier_str_mv 000754631
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório Institucional da UFRGS
instname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
instname_str Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron_str UFRGS
institution UFRGS
reponame_str Repositório Institucional da UFRGS
collection Repositório Institucional da UFRGS
bitstream.url.fl_str_mv http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/25603/1/000754631.pdf
http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/25603/2/000754631.pdf.txt
http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/25603/3/000754631.pdf.jpg
bitstream.checksum.fl_str_mv 06db7478bba7527b6c5513e9b8a99504
6388aa8530da6cd4423df8467519ef4d
3cdbed50af96a7ca2cc9a6c0df2ed363
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1801224398822178816

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