Transferência de spin em nanoponteiras de tungstênio

• Autor(a) principal: Sulzbach, Milena Cervo
• Data de Publicação: 2014
• Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
• Idioma: por
• Título da fonte: Repositório Institucional da UFRGS
• Texto Completo: http://hdl.handle.net/10183/109809
• topic: Processos de transporte; Magnetismo; Magnetorresistência gigante; Nanomateriais; Filmes finos; Tungstênio

O estudo de fenômenos de transporte eletrônico é um dos tópicos mais atuais na física da matéria condensada. Dentre eles, o efeito magnetorresistência gigante e transferência de spin estão entre os mais estudados. A sua vasta aplicabilidade, como por exemplo em dispositivos de memória não volátil (MRAM), incentiva a pesquisa para aprimorar as técnicas experimentais que permitam a sua ocorrência. O efeito de transferência de spin pode ser resumidamente descrito como uma forma de torque sobre a magnetização de uma camada ferromagnética devido a passagem de uma corrente elétrica spin-polarizada pelo sistema. Para que o fenômeno aconteça é necessária que uma alta densidade de corrente elétrica percorra um ferromagneto. Para tanto, construímos contatos elétricos na forma de ponteiras de tungstênio que permitam o confinamento da corrente em regiões com área milimétricas. As amostras são multicamadas metálicas com dois ferromagnetos separados por um material não magnético. A espessura do filme resultante é manométrica. Neste trabalho desenvolvemos um estudo sobre a transferência de spin usando dois tipos de ponteiras de tungstênio como contato elétrico: a) como feita b) com cobertura ferromagnética. Em ambos os casos foram observados o efeito desejado. Entretanto, no caso das pontas recobertas o papel de camada polarizadora de spin deixa de ser uma das camadas do filme fino e é assumido pela ponteira. Este resultado, ainda não reportado por outros grupos na literatura, apresenta um grande potencial tecnológico, pois esses dispositivos podem ser utilizados como instrumento de escrita e leitura.