Medida de corrente induzida por feixe de elétrons em semicondutores

• Autor(a) principal: Lima, Camila Faccini de
• Data de Publicação: 2015
• Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
• Idioma: por
• Título da fonte: Repositório Institucional da UFRGS
• Texto Completo: http://hdl.handle.net/10183/147060
• topic: Feixes de eletrons; Materiais semicondutores; Microscopia eletrônica de varredura; Silício

A presente monografia tem como objetivo principal realizar os procedimentos iniciais para a operacionalização do sistema de medição de corrente induzida por feixe de elétrons (EBIC - do inglês electron beam induced current), recentemente instalado no equipamento de duplo feixe JEOL JIB 4500 do Laboratório de Conformação Nanométrica (LCN) do Instituto de Física da UFRGS. O texto apresenta uma breve revisão da física de semicondutores e dos princípios da microscopia eletrônica de varredura. São apresentados os fundamentos da técnica EBIC e os seus modos de medida e operação. Para exemplificar o tipo de resultados obtidos com esta técnica, amostras de silício foram implantadas com íons de gálio em diferentes energias para a formação de junções p-n, utilizando o feixe de íons do sistema de duplo feixe do LCN. As amostras foram caracterizadas com a técnica de espectroscopia por dispersão em energia (EDS - do inglês energy dispersion spectroscopy). As imagens de microscopia no modo EBIC das amostras implantadas apresentam contrastes associados à presença de defeitos induzidos pela irradiação. Medidas utilizando feixe de elétrons com energia variável indicam o potencial da técnica para quantificar a profundidade em que junções p-n estão localizadas.