Estudo Mössbauer de precipitados gama-FeSi2 produzidos por implantação iônica
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Data de Publicação: | 1996 |
Outros Autores: | , |
Tipo de documento: | Artigo de conferência |
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Título da fonte: | Repositório Institucional da UFRGS |
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Azevedo, Marcia HelenaMaltez, Rogério LuisAmaral, LivioSalão de Iniciação Científica (8. : 1996 set. 09-13 : UFRGS, Porto Alegre, RS).2014-08-19T02:10:13Z1996http://hdl.handle.net/10183/101318000149661application/pdfporSalão de Iniciação Científica (8. : 1996 : Porto Alegre). Livro de resumos. Porto Alegre : UFRGS, 1996.FÍSICA ATÔMICACiências exatas e da terraFísica da matéria condensadaEfeito mossbauerEstudo Mössbauer de precipitados gama-FeSi2 produzidos por implantação iônicainfo:eu-repo/semantics/conferenceObjectinfo:eu-repo/semantics/otherinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion141info:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional da UFRGSinstname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)instacron:UFRGSORIGINAL000149661.pdf000149661.pdfResumoapplication/pdf9744http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/101318/1/000149661.pdfc475009d0e3a56681c0e45f7cfd5fedcMD51TEXT000149661.pdf.txt000149661.pdf.txtExtracted Texttext/plain1392http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/101318/2/000149661.pdf.txtf380fa1be3f63a57bf62654ae402a852MD52THUMBNAIL000149661.pdf.jpg000149661.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg1032http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/101318/3/000149661.pdf.jpgbadb4808627936a22a04ca4d6e775ed8MD5310183/1013182018-10-22 09:19:31.955oai:www.lume.ufrgs.br:10183/101318Repositório de PublicaçõesPUBhttps://lume.ufrgs.br/oai/requestopendoar:2018-10-22T12:19:31Repositório Institucional da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)false |
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