Incorporação de boro no diamante CVD pelo substrato
Autor(a) principal: | |
---|---|
Data de Publicação: | 2007 |
Tipo de documento: | Trabalho de conclusão de curso |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Repositório Institucional da UFRGS |
Texto Completo: | http://hdl.handle.net/10183/105222 |
Resumo: | Este trabalho está relacionado ao estudo sistemático da inserção de boro em filmes de diamante CVD (deposição química a vapor) através do substrato com o intuito de crescer filmes dopados com alta concentração de boro que passem da qualidade de isolante a semicondutor e, eventualmente, a supercondutor. Recentemente foi observado que, quando a concentração de boro no diamante CVD atinge valores elevados, este apresenta propriedades supercondutoras. Geralmente a incorporação de boro na estrutura do fi lme é obtida através de fonte gasosa (tóxica) no processo CVD. Propõe-se conceber um procedimento alternativo de incorporação de boro no diamante, em alta concentração. Para tal investigação foram testados alguns substratos compostos. Submeteu-se esse substrato a um polimento com pasta diamantada com o objetivo de ajudar a nucleação do filme, que cresce aderido ao substrato. A análise do filme resultante foi feita por: espectroscopia Raman, difração de raios X, microscopia eletrônica de varredura (MEV), reação nuclear e, também, técnicas de análise de resistividade. Os resultados indicam a incorporação de boro pelo filme. O espectro Raman medido é semelhante ao encontrado na literatura, associado à incorporação de uma grande quantidade de boro (~1020átomoslcm3). O padrão de difração de raios X revela a presença de diamante, com um pico alargado, e ácido bórico, corroborando a presença de boro. Este composto é facilmente formado quando boro é exposto à atmosfera oxidante. Resultados de reação nuclear confirmam a incorporação de boro nos filmes de diamante. |
id |
UFRGS-2_e1db3cb62b0a9e9e7224e4b388b3ad61 |
---|---|
oai_identifier_str |
oai:www.lume.ufrgs.br:10183/105222 |
network_acronym_str |
UFRGS-2 |
network_name_str |
Repositório Institucional da UFRGS |
repository_id_str |
|
spelling |
Brandão, Lívia Elisabeth Vasconcellos de SiqueiraBalzaretti, Naira Maria2014-11-01T02:17:09Z2007http://hdl.handle.net/10183/105222000647102Este trabalho está relacionado ao estudo sistemático da inserção de boro em filmes de diamante CVD (deposição química a vapor) através do substrato com o intuito de crescer filmes dopados com alta concentração de boro que passem da qualidade de isolante a semicondutor e, eventualmente, a supercondutor. Recentemente foi observado que, quando a concentração de boro no diamante CVD atinge valores elevados, este apresenta propriedades supercondutoras. Geralmente a incorporação de boro na estrutura do fi lme é obtida através de fonte gasosa (tóxica) no processo CVD. Propõe-se conceber um procedimento alternativo de incorporação de boro no diamante, em alta concentração. Para tal investigação foram testados alguns substratos compostos. Submeteu-se esse substrato a um polimento com pasta diamantada com o objetivo de ajudar a nucleação do filme, que cresce aderido ao substrato. A análise do filme resultante foi feita por: espectroscopia Raman, difração de raios X, microscopia eletrônica de varredura (MEV), reação nuclear e, também, técnicas de análise de resistividade. Os resultados indicam a incorporação de boro pelo filme. O espectro Raman medido é semelhante ao encontrado na literatura, associado à incorporação de uma grande quantidade de boro (~1020átomoslcm3). O padrão de difração de raios X revela a presença de diamante, com um pico alargado, e ácido bórico, corroborando a presença de boro. Este composto é facilmente formado quando boro é exposto à atmosfera oxidante. Resultados de reação nuclear confirmam a incorporação de boro nos filmes de diamante.application/pdfporFilmes de diamanteBoroDopagem de semicondutoresDeposicao de camadas por cvdIncorporação de boro no diamante CVD pelo substratoinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/bachelorThesisUniversidade Federal do Rio Grande do SulInstituto de FísicaPorto Alegre, BR-RS2007Física: Bachareladograduaçãoinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional da UFRGSinstname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)instacron:UFRGSORIGINAL000647102.pdf000647102.pdfTexto completoapplication/pdf5100732http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/105222/1/000647102.pdf05524b18b4f6cba7017a5c96302f53adMD51TEXT000647102.pdf.txt000647102.pdf.txtExtracted Texttext/plain65033http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/105222/2/000647102.pdf.txta119b9b025b8a92cdfef7d84ec676045MD52THUMBNAIL000647102.pdf.jpg000647102.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg970http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/105222/3/000647102.pdf.jpgdc67c7f6cf6afcb0993ab4041d5d1a9aMD5310183/1052222018-10-17 09:20:41.94oai:www.lume.ufrgs.br:10183/105222Repositório de PublicaçõesPUBhttps://lume.ufrgs.br/oai/requestopendoar:2018-10-17T12:20:41Repositório Institucional da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)false |
dc.title.pt_BR.fl_str_mv |
Incorporação de boro no diamante CVD pelo substrato |
title |
Incorporação de boro no diamante CVD pelo substrato |
spellingShingle |
Incorporação de boro no diamante CVD pelo substrato Brandão, Lívia Elisabeth Vasconcellos de Siqueira Filmes de diamante Boro Dopagem de semicondutores Deposicao de camadas por cvd |
title_short |
Incorporação de boro no diamante CVD pelo substrato |
title_full |
Incorporação de boro no diamante CVD pelo substrato |
title_fullStr |
Incorporação de boro no diamante CVD pelo substrato |
title_full_unstemmed |
Incorporação de boro no diamante CVD pelo substrato |
title_sort |
Incorporação de boro no diamante CVD pelo substrato |
author |
Brandão, Lívia Elisabeth Vasconcellos de Siqueira |
author_facet |
Brandão, Lívia Elisabeth Vasconcellos de Siqueira |
author_role |
author |
dc.contributor.author.fl_str_mv |
Brandão, Lívia Elisabeth Vasconcellos de Siqueira |
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv |
Balzaretti, Naira Maria |
contributor_str_mv |
Balzaretti, Naira Maria |
dc.subject.por.fl_str_mv |
Filmes de diamante Boro Dopagem de semicondutores Deposicao de camadas por cvd |
topic |
Filmes de diamante Boro Dopagem de semicondutores Deposicao de camadas por cvd |
description |
Este trabalho está relacionado ao estudo sistemático da inserção de boro em filmes de diamante CVD (deposição química a vapor) através do substrato com o intuito de crescer filmes dopados com alta concentração de boro que passem da qualidade de isolante a semicondutor e, eventualmente, a supercondutor. Recentemente foi observado que, quando a concentração de boro no diamante CVD atinge valores elevados, este apresenta propriedades supercondutoras. Geralmente a incorporação de boro na estrutura do fi lme é obtida através de fonte gasosa (tóxica) no processo CVD. Propõe-se conceber um procedimento alternativo de incorporação de boro no diamante, em alta concentração. Para tal investigação foram testados alguns substratos compostos. Submeteu-se esse substrato a um polimento com pasta diamantada com o objetivo de ajudar a nucleação do filme, que cresce aderido ao substrato. A análise do filme resultante foi feita por: espectroscopia Raman, difração de raios X, microscopia eletrônica de varredura (MEV), reação nuclear e, também, técnicas de análise de resistividade. Os resultados indicam a incorporação de boro pelo filme. O espectro Raman medido é semelhante ao encontrado na literatura, associado à incorporação de uma grande quantidade de boro (~1020átomoslcm3). O padrão de difração de raios X revela a presença de diamante, com um pico alargado, e ácido bórico, corroborando a presença de boro. Este composto é facilmente formado quando boro é exposto à atmosfera oxidante. Resultados de reação nuclear confirmam a incorporação de boro nos filmes de diamante. |
publishDate |
2007 |
dc.date.issued.fl_str_mv |
2007 |
dc.date.accessioned.fl_str_mv |
2014-11-01T02:17:09Z |
dc.type.status.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type.driver.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/bachelorThesis |
format |
bachelorThesis |
status_str |
publishedVersion |
dc.identifier.uri.fl_str_mv |
http://hdl.handle.net/10183/105222 |
dc.identifier.nrb.pt_BR.fl_str_mv |
000647102 |
url |
http://hdl.handle.net/10183/105222 |
identifier_str_mv |
000647102 |
dc.language.iso.fl_str_mv |
por |
language |
por |
dc.rights.driver.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/openAccess |
eu_rights_str_mv |
openAccess |
dc.format.none.fl_str_mv |
application/pdf |
dc.source.none.fl_str_mv |
reponame:Repositório Institucional da UFRGS instname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS) instacron:UFRGS |
instname_str |
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS) |
instacron_str |
UFRGS |
institution |
UFRGS |
reponame_str |
Repositório Institucional da UFRGS |
collection |
Repositório Institucional da UFRGS |
bitstream.url.fl_str_mv |
http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/105222/1/000647102.pdf http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/105222/2/000647102.pdf.txt http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/105222/3/000647102.pdf.jpg |
bitstream.checksum.fl_str_mv |
05524b18b4f6cba7017a5c96302f53ad a119b9b025b8a92cdfef7d84ec676045 dc67c7f6cf6afcb0993ab4041d5d1a9a |
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv |
MD5 MD5 MD5 |
repository.name.fl_str_mv |
Repositório Institucional da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS) |
repository.mail.fl_str_mv |
|
_version_ |
1801224473944260608 |