Filmes de FePt para dispositivos da spintrônica

• Autor(a) principal: Alvares, Maira Rievrs Nogueira
• Data de Publicação: 2017
• Tipo de documento: Dissertação
• Idioma: por
• Título da fonte: Repositório Institucional da UFRJ
• Texto Completo: http://hdl.handle.net/11422/8224
• topic: CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA DE MATERIAIS E METALURGICA; Engenharia metalúrgica e de materiais; Filmes de FePt; Spintrônica

O presente estudo aborda as propriedades magnéticas e de transporte no composto de FePt L10. O composto tem estrutura tetragonal e forte anisotropia magnetocristalina. Os filmes foram preparados por sputtering. Para medir a Magnetorresistência Anisotrópica de Tunelamento (TAMR) foram preparadas tricamadas FePt/AlOx/Au. Todas as ligas preparadas apresentaram coercividade significativa. Em alguns deles, campos coercivos, µ0Hc > 1, 6, a 300 K foram obtidos. As observações da Microscopia de Força Magnética foram analisadas considerando a interação existente entre propriedades estruturais e magnéticas. Nos filmes de FePt, a diminuição da resistência observada com o aumento do campo aplicado, foi relacionada à redução na dispersão de elétron-magnon, devido ao fato que o campo aplicado induz ordem magnética adicional nas ligas. A magnetorresistência anisotrópica (AMR) e a TAMR revelaram comportamento similares de forma qualitativa. Isso pode ser entendido quando se considera que o parâmetro físico, que determina esses comportamentos, é a direção da magnetização em relação`a corrente. O sinal AMR calculado para a camada de FePt é de 10% a baixa temperatura. Entretanto, devido a forte anisotropia magnetocristalina do FePt, apenas 2% foi encontrado. Ao contrário, o sinal TAMR é muito fraco, de apenas 1% a baixa temperatura. Sugeriu-se que a TAMR poderia oferecer uma das perspectivas mais promissoras para o desenvolvimento de novos objetos spintrônicos. São necessários mais estudos para entender quais são os fatores que limitam os valores de TAMR alcançados até hoje.