Estudo espectroscópico de polímeros semicondutores para aplicação em eletrônica molecular

• Autor(a) principal: Correa, Roger de Souza
• Data de Publicação: 2017
• Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
• Idioma: por
• Título da fonte: Repositório Institucional da UFRJ
• Texto Completo: http://hdl.handle.net/11422/5765
• topic: CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::QUIMICA::FISICO-QUIMICA; Polímeros semicondutores; Espectroscopia; Eletrônica molecular

Tendo em vista o desenvolvimento de novos materiais para aplicação em dispositivos optoeletrônicos, duas amostras contendo filmes poliméricos semicondutores (AMG45 e AMG79) foram estudadas por espectroscopia de fotoelétrons induzidos por raios-X (XPS) e ultravioleta (UPS) e espectroscopia por perda de energia de elétrons em modo de reflexão (REELS). Tal estudo tem como objetivo identificar e avaliar algumas das características da superfície desses filmes, assim como estudar a variação de parte dessas em função da profundidade da amostra. Pelos espectros de XPS foi possível constatar a presença dos filmes poliméricos e obter uma estimativa de suas espessuras: o filme da AMG45 encontra-se espesso (superior a 40 nm), enquanto que o da AMG79 é fino, uma vez que elementos de camadas mais internas da amostra foram detectadas já na análise de sua superfície. Ambas as amostras apresentam contaminação por silício, sendo este possivelmente proveniente de polissiloxanos. E também foi possível identificar que parte das unidades contendo derivados de carbazol da amostra AMG79 apresentam-se protonadas devido a uma reação ácidobase com o poli(estireno (sulfonato)) (PSS), que também compõe a amostra. Por fim, a partir do espectro de valência (XPS) e os espectros de UPS e REELS, os valores em energia dos orbitais ocupados de mais alta energia (HOMOs), função trabalho (Φ) e energia do gap (Eg) foram estimados para cada amostra. O primeiro desses parâmetros também foi avaliado em função da profundidade. Palavras chaves: eletrônica molecular, dispositivos optoeletrônicos, polímeros semicondutores, espectroscopia de fotoelétrons, erosão por íons.