Inversão de dados em eletrorresistividade 1D usando o esquema de inversão de Occam

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Medeiros, Vitor Daniel Lócio
Data de Publicação: 2023
Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFRN
Texto Completo: https://repositorio.ufrn.br/handle/123456789/56698
Resumo: A presente pesquisa focaliza a questão da inversão de dados em eletrorresistividade unidimensional (1D) mediante a aplicação do esquema de inversão de Occam, com o propósito de avaliar sua eficiência na reconstrução das camadas do modelo terrestre. Este estudo se propõe a examinar esse esquema por meio da utilização de dados sintéticos de eletrorresistividade gerados a partir de um modelo com transições suaves. Os resultados comprovam a precisão do esquema de inversão de Occam na reconstrução das características das camadas subsuperficiais a partir dos dados de eletrorresistividade 1D, evidenciando sua consistência na interpretação dos dados e na confiável reconstrução das propriedades geológicas. Essas conclusões reforçam a importância do esquema de inversão de Occam como uma promissora ferramenta para a interpretação e modelagem dos dados de eletrorresistividade 1D, visando a caracterização subsuperficial.
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Os resultados comprovam a precisão do esquema de inversão de Occam na reconstrução das características das camadas subsuperficiais a partir dos dados de eletrorresistividade 1D, evidenciando sua consistência na interpretação dos dados e na confiável reconstrução das propriedades geológicas. Essas conclusões reforçam a importância do esquema de inversão de Occam como uma promissora ferramenta para a interpretação e modelagem dos dados de eletrorresistividade 1D, visando a caracterização subsuperficial.This research focuses on the issue of one-dimensional (1D) electrical resistivity data inversion through the application of the Occam inversion scheme, aimed at evaluating its efficiency in reconstructing layers within the Earth’s model. This study aims to examine this scheme by using synthetic electrical resistivity data generated from a model with smooth transitions. The results confirm the accuracy of the Occam inversion scheme in reconstructing subsurface layer characteristics from 1D electrical resistivity data, highlighting its consistency in data interpretation and reliable reconstruction of geological properties. These findings reinforce the significance of the Occam inversion scheme as a promising tool for interpreting and modeling 1D electrical resistivity data, with a focus on subsurface characterization.Universidade Federal do Rio Grande do NorteBacharelado em Sistemas de InformaçãoUFRNBrasilDepartamento de Computação e TecnologiaCC0 1.0 Universalhttp://creativecommons.org/publicdomain/zero/1.0/info:eu-repo/semantics/openAccessCNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRAProblema inversoInverse problemModelagem direta 1D1D direct modelingEletrorresitividadeElectroresitivityAlgoritmo de OccamOccam AlgorithmInversão de dados em eletrorresistividade 1D usando o esquema de inversão de Occaminfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/bachelorThesisporreponame:Repositório Institucional da UFRNinstname:Universidade Federal do Rio Grande do Norte (UFRN)instacron:UFRNORIGINALTCC_Vitor_Final_Occam.pdfTCC_Vitor_Final_Occam.pdfapplication/pdf2225781https://repositorio.ufrn.br/bitstream/123456789/56698/1/TCC_Vitor_Final_Occam.pdfee6aae4e74a0cf758aa48e1376422e2eMD51CC-LICENSElicense_rdflicense_rdfapplication/rdf+xml; charset=utf-8701https://repositorio.ufrn.br/bitstream/123456789/56698/2/license_rdf42fd4ad1e89814f5e4a476b409eb708cMD52LICENSElicense.txtlicense.txttext/plain; charset=utf-81484https://repositorio.ufrn.br/bitstream/123456789/56698/3/license.txte9597aa2854d128fd968be5edc8a28d9MD53123456789/566982023-12-21 11:51:05.098oai:https://repositorio.ufrn.br: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Repositório de PublicaçõesPUBhttp://repositorio.ufrn.br/oai/opendoar:2023-12-21T14:51:05Repositório Institucional da UFRN - Universidade Federal do Rio Grande do Norte (UFRN)false
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Eletrorresitividade
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