Estudo da influência do tipo de elemento ressonante na sensibilidade de sensor planar
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Data de Publicação: | 2023 |
Tipo de documento: | Trabalho de conclusão de curso |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Repositório Institucional da UFRN |
Texto Completo: | https://repositorio.ufrn.br/handle/123456789/54273 |
Resumo: | Atualmente, dispositivos de sensoriamento são desenvolvidos para fornecer dados com significativa precisão operando como suporte a diversas atividades do cotidiano. Neste trabalho, é apresentado um estudo da influência de diferentes elementos ressonantes na sensibilidade de um sensor planar. O sensor é baseado em uma antena patch retangular, sobre a qual são inseridos os diferentes tipos de estruturas ressonantes. As estruturas ressonantes foram: capacitor interdigital (CID), complementary split-ring resonator (CSSR), espiral retangular e square complementary split-ring resonator (SCSSR). A eficiência da estrutura ressonante na sensibilidade do dispositivo de sensoriamento é avaliada a partir do deslocamento da frequência de ressonância, causado pela interação com um material under test (MUT). Utilizando o método dos elementos finitos, implementado pelo software Ansys HFSS, foram realizadas simulações que permitiram levantar os dados da resposta para cada elemento utilizado. Além disso, foram obtidas, com base na literatura especializada na área, curvas que representam a variação de frequência e a sensibilidade para cada valor discreto de permissividade elétrica do MUT. Por fim, uma análise comparativa dos dados com base na média aritmética, desvio padrão, variância e diferença percentual relativa. Assim, através da análise comparativa dos resultados, foi possível identificar que a estrutura ressonante baseada no CSRR apresentou um maior nível de sensibilidade em comparação com os demais modelos estudados. |
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Neste trabalho, é apresentado um estudo da influência de diferentes elementos ressonantes na sensibilidade de um sensor planar. O sensor é baseado em uma antena patch retangular, sobre a qual são inseridos os diferentes tipos de estruturas ressonantes. As estruturas ressonantes foram: capacitor interdigital (CID), complementary split-ring resonator (CSSR), espiral retangular e square complementary split-ring resonator (SCSSR). A eficiência da estrutura ressonante na sensibilidade do dispositivo de sensoriamento é avaliada a partir do deslocamento da frequência de ressonância, causado pela interação com um material under test (MUT). Utilizando o método dos elementos finitos, implementado pelo software Ansys HFSS, foram realizadas simulações que permitiram levantar os dados da resposta para cada elemento utilizado. Além disso, foram obtidas, com base na literatura especializada na área, curvas que representam a variação de frequência e a sensibilidade para cada valor discreto de permissividade elétrica do MUT. Por fim, uma análise comparativa dos dados com base na média aritmética, desvio padrão, variância e diferença percentual relativa. Assim, através da análise comparativa dos resultados, foi possível identificar que a estrutura ressonante baseada no CSRR apresentou um maior nível de sensibilidade em comparação com os demais modelos estudados.Currently, sensing devices are developed to provide data with significant precision operating in support of various daily activities. In this work, a study of the influence of different resonant elements on the sensitivity of a planar sensor is presented. The sensor is based on a rectangular patch antenna, on which different types of resonant structures are inserted. The resonant structures were: interdigital capacitor (CID), complementary split-ring resonator (CSSR), the Rectangular Spiral and a square complementary split-ring resonator (SCSSR). The efficiency of the resonant structure in the sensitivity of the sensing device is evaluated from the displacement of the resonant frequency, caused by the interaction with a material under test (MUT). Using the finite element method, implemented by the Ansys HFSS software, simulations were carried out that allowed raising the response data for each element used. In addition, curves representing the frequency variation and sensitivity for each discrete MUT electrical permittivity value were obtained based on the specialized literature in the area. Finally, a comparative analysis of data based on arithmetic mean, standard deviation, variance and relative percentage difference. Thus, through the comparative analysis of the results, it was possible to identify that the resonant structure based on the CSRR presented a higher level of sensitivity compared to the other studied models.Universidade Federal do Rio Grande do NorteEngenharia de TelecomunicaçõesUFRNBrasilComunicaçõesAttribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Brazilhttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/br/info:eu-repo/semantics/openAccessplanar sensorinterdigital capacitorcsrrresonant elementmicrowave sensorsensor planarEstudo da influência do tipo de elemento ressonante na sensibilidade de sensor planarStudy of the influence of the type of resonant element on the sensitivity of a planar sensorinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/bachelorThesisporreponame:Repositório Institucional da UFRNinstname:Universidade Federal do Rio Grande do Norte (UFRN)instacron:UFRNORIGINALEstudoInfluenciaTipoElemento_SilvaFilho_2023.pdfEstudoInfluenciaTipoElemento_SilvaFilho_2023.pdfapplication/pdf2898406https://repositorio.ufrn.br/bitstream/123456789/54273/8/EstudoInfluenciaTipoElemento_SilvaFilho_2023.pdf1fd64ca106fc2bce3ece676d0cdf2f41MD58CC-LICENSElicense_rdflicense_rdfapplication/rdf+xml; charset=utf-8811https://repositorio.ufrn.br/bitstream/123456789/54273/10/license_rdfe39d27027a6cc9cb039ad269a5db8e34MD510LICENSElicense.txtlicense.txttext/plain; charset=utf-81484https://repositorio.ufrn.br/bitstream/123456789/54273/11/license.txte9597aa2854d128fd968be5edc8a28d9MD511123456789/542732023-07-28 13:20:37.541oai:https://repositorio.ufrn.br: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Repositório de PublicaçõesPUBhttp://repositorio.ufrn.br/oai/opendoar:2023-07-28T16:20:37Repositório Institucional da UFRN - Universidade Federal do Rio Grande do Norte (UFRN)false |
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