Desenvolvimento do pigmento condutor SnO2-Sb2O3 e sua aplicação em vidrados semicondutores

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Aguiar, R.
Data de Publicação: 2004
Outros Autores: Paskocimas, Carlos Alberto, Leite, Edson Roberto, Silva, Elson Longo da, Delmonte, Maurício Roberto Bomio
Tipo de documento: Artigo
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFRN
Texto Completo: https://repositorio.ufrn.br/handle/123456789/32303
Resumo: Esmaltes semicondutores são utilizados no recobrimento de isoladores elétricos para evitar descargas superficiais nos isoladores, associadas a grandes diferenças de potencial, proporcionando uma melhora no desempenho sob poluição ambiental. Como os vidrados utilizados nas indústrias cerâmicas são isolantes, uma maneira de torná-los semicondutores é adicionando óxidos condutores. Misturou-se ao esmalte porcentagens variadas do pigmento condutor SnO2 dopado com 5% de Sb2O3. O esmalte foi aplicado sobre peças de porcelana a verde e queimado a 1250 0C. Por microscopia eletrônica de varredura verificou-se que a concentração de pigmento na superfície das amostras é baixa e não influencia a condutividade elétrica. Na fratura, a porcentagem de pigmento ficou próxima de 35%. Assim, a superfície ficou com aspecto visual de ótima qualidade. A resistividade elétrica ocorreu pelo interior do vidrado, obtendo-se valores próximos de 104 Ohm.m
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Como os vidrados utilizados nas indústrias cerâmicas são isolantes, uma maneira de torná-los semicondutores é adicionando óxidos condutores. Misturou-se ao esmalte porcentagens variadas do pigmento condutor SnO2 dopado com 5% de Sb2O3. O esmalte foi aplicado sobre peças de porcelana a verde e queimado a 1250 0C. Por microscopia eletrônica de varredura verificou-se que a concentração de pigmento na superfície das amostras é baixa e não influencia a condutividade elétrica. Na fratura, a porcentagem de pigmento ficou próxima de 35%. Assim, a superfície ficou com aspecto visual de ótima qualidade. A resistividade elétrica ocorreu pelo interior do vidrado, obtendo-se valores próximos de 104 Ohm.mSemiconductor glazes are employed on electrical insulators to avoid surface discharge under conditions of intense electric fields, providing better performance in polluted environments. Semiconductor enamels are of great interest for electrical insulator coatings to avoid surface discharges, related to large potential differences. This enhances the performance of the insulator under polluted environments. Glazes used in ceramic industries are not conductive. The addition of conductive oxides to the glaze composition results in a semiconductor enamel. Sb2O3-doped SnO2 was mixed with the enamel in different concentrations. The resulting enamel was applied over green porcelain and fired at 1250 0C. Scanning electron microscopy characterization was performed and it was verified that the pigment concentration on the surface is low and does not affect the electrical conductivity. The pigment concentration on the fracture surface is approximately 35%. The insulator surface presents a high quality visual aspect and low surface roughness. The electrical resistivity is approximately 104 Ohm.m and occurs through the bulk of the glazeABCERAMAttribution-NonCommercial 3.0 Brazilhttp://creativecommons.org/licenses/by-nc/3.0/br/info:eu-repo/semantics/openAccessPigmentoÓxido de estanhoEsmalteSemicondutorIsoladoresDesenvolvimento do pigmento condutor SnO2-Sb2O3 e sua aplicação em vidrados semicondutoresDevelopment of a SnO2 -Sb2 O3 conductor pigment and its applications in semiconductor glazesinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/articleporreponame:Repositório Institucional da UFRNinstname:Universidade Federal do Rio Grande do Norte (UFRN)instacron:UFRNORIGINALDesenvolvimento DoPigmentoCondutor_PASKOCIMAS_2004.pdfDesenvolvimento DoPigmentoCondutor_PASKOCIMAS_2004.pdfArtigoapplication/pdf806673https://repositorio.ufrn.br/bitstream/123456789/32303/1/Desenvolvimento%20DoPigmentoCondutor_PASKOCIMAS_2004.pdf150530ba94e605fec74a76c085fb8feaMD51CC-LICENSElicense_rdflicense_rdfapplication/rdf+xml; charset=utf-8920https://repositorio.ufrn.br/bitstream/123456789/32303/2/license_rdf728dfda2fa81b274c619d08d1dfc1a03MD52LICENSElicense.txtlicense.txttext/plain; charset=utf-81484https://repositorio.ufrn.br/bitstream/123456789/32303/3/license.txte9597aa2854d128fd968be5edc8a28d9MD53TEXTDesenvolvimento DoPigmentoCondutor_PASKOCIMAS_2004.pdf.txtDesenvolvimento DoPigmentoCondutor_PASKOCIMAS_2004.pdf.txtExtracted texttext/plain14677https://repositorio.ufrn.br/bitstream/123456789/32303/4/Desenvolvimento%20DoPigmentoCondutor_PASKOCIMAS_2004.pdf.txt7d9c2f23986cdefdb6a8571d487f3f3fMD54THUMBNAILDesenvolvimento DoPigmentoCondutor_PASKOCIMAS_2004.pdf.jpgDesenvolvimento DoPigmentoCondutor_PASKOCIMAS_2004.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg1639https://repositorio.ufrn.br/bitstream/123456789/32303/5/Desenvolvimento%20DoPigmentoCondutor_PASKOCIMAS_2004.pdf.jpg56c327caa18cd9e7358b8b48024ef83bMD55123456789/323032021-10-04 17:09:58.515oai:https://repositorio.ufrn.br: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Repositório de PublicaçõesPUBhttp://repositorio.ufrn.br/oai/opendoar:2021-10-04T20:09:58Repositório Institucional da UFRN - Universidade Federal do Rio Grande do Norte (UFRN)false
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