Estudo da obtenção de filmes de anatásio utilizando rf-magnetron sputtering

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Silva, Adilson Oliveira da
Data de Publicação: 2000
Tipo de documento: Tese
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFSC
Texto Completo: http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/78441
Resumo: Tese (doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico.
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spelling Estudo da obtenção de filmes de anatásio utilizando rf-magnetron sputteringFilmes finosRutiloTese (doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico.Filmes finos de TiO2 foram preparados pela técnica de RF-magnetron sputtering utilizando-se um alvo de rutilo. As camadas foram depositadas sobre substratos de Silício monocristalino e sílica vítrea, mantidos a temperatura ambiente. Primeiramente foi verificado a influência da fração molar de oxigénio na formação da estrutura dos filmes de TiO2. As frações testadas foram 25, 37,5 e 50 % de O2 na mistura gasosa oxigênio/argônio. Após o processo de deposição todas as amostras tiveram suas estruturas analisadas e indicaram a formação de camadas de filmes amorfos. Entretanto as mesmas amostras, após tratamentos térmicos nas temperaturas de 400 e 1000 °C, desenvolveram filmes cristalinos com a presença unicamente da fase rutilo. Dessa forma foi observado que as variações das doações molares de oxigênio não foram determinantes para a formação de filmes com a fase anatásio. Numa segunda etapa, SiO2 foi adicionada com impurezas na camada dos filmes- de TiO2. Placas de sílica vítrea foram disposta sobre o alvo de rutilo de forma a produzirem filmes com diferentes teores de sílica. As análises químicas das superfícies indicaram a obtenção de amostras de TiO2 com 15, 33 e 49 % de SiO2. Após o processo de deposição os filmes também apresentaram a formação de uma fase amorfa, porém as camadas depositadas sobre substratos de silício desenvolveram a fase anatásio após o tratamento térmico. Nas amostras de TiO2 com 15% SiO2 a fase anatásio cresceu juntamente com a fase rutilo, mas nos filmes com teores de 33 e 49% de sílica apenas o crescimento a fase anatásio foi observado. As mesmas formações não foram identificados nos- filmes depositados sobre substratos de sílica vítrea. Nesses substratos a única fase desenvolvida foi a do rutilo. Sendo assim é possível observar que a presença sílica tem uma grande influência nas transformações de fases dos filmes de TiO2, porém somente a sua adição não é suficiente para garantir a formação da fase anatásio. A interação da camada dos filmes com o substrato é também um dos fatores determinantes da estrutura final dos filmes de TiO2. Por fim verificou-se que a formação de filmes de TiO2 com deficiência em oxigênio podem favorecer a nucleação e o crescimento da fase anatásio.Florianópolis, SCRiella, Humberto GracherUniversidade Federal de Santa CatarinaSilva, Adilson Oliveira da2012-10-17T14:24:13Z2012-10-17T14:24:13Z20002000info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesis122 f.| il., grafs., tabs.application/pdf171844http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/78441porreponame:Repositório Institucional da UFSCinstname:Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)instacron:UFSCinfo:eu-repo/semantics/openAccess2014-09-25T18:14:24Zoai:repositorio.ufsc.br:123456789/78441Repositório InstitucionalPUBhttp://150.162.242.35/oai/requestopendoar:23732014-09-25T18:14:24Repositório Institucional da UFSC - Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)false
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