Eletrodeposição de cobre em silicio tipo-n monocristalino

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Martins, Luiz Felipe de Oliveira
Data de Publicação: 1996
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFSC
Texto Completo: http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/76525
Resumo: Dissertação (Mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro de Ciências Físicas e Matemáticas.
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spelling Eletrodeposição de cobre em silicio tipo-n monocristalinoEletrodeposiçãoTesesSilicioTesesEfeito AugerTesesDissertação (Mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro de Ciências Físicas e Matemáticas.O objetivo principal deste trabalho é estudar o processo experimental de eletrodeposição de filmes de cobre sobre silício monocristalino. O arranjo experimental utilizado é constituído de uma célula de três eletrodos, o eletrólito e um potenciostato. Sulfato de cobre (CuSO4) em solução aquosa foi empregado como fonte de íons de cobre. Variações na estrutura do depósito, sua morfologia e sua composição foam conseguidas com alterações nos potenciais aplicados durante a deposição, com a adição de substâncias na solução empregada como eletrólito e com o controle do pH da mesma. O arranjo experimetnal também foi utilizado para a obtenção de informações sobre o sistema de deposição estudado, com o uso da técnica de voltametria cíclica. A análise e caracterização dos filmes foi obtida através das técnicas de espectroscopia de elétrons Auger, microscopia eletrônica de varredura e espectrometria de retro-espalhamento Rutherford. Foram observadas características específicas do sistema metal/semicondutor, como a formação de barreira Schottky. O crescimento de um depósito de cobre pode ser constatado em dois regimes: anódico e catódico. Para ambos os regimes foi observado que as camadas de cobre não apresentavam contaminantes a nível de detecção das técnicas utilizadas. Somente foram detectados contaminantes na superfície e na interface Si/Cu, principalmente oxigênio. No regime anódico, foi observado o crescimento de um depósito de cobre e a concomitantemente corrosão da superfície do silício. Um modelo para explicar a deposição de cobre em regime de corrente anódica será apresentado.Pasa, Andre AvelinoUniversidade Federal de Santa CatarinaMartins, Luiz Felipe de Oliveira2012-10-16T11:09:45Z2012-10-16T11:09:45Z19961996info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesis101f.| il., grafs., tabsapplication/pdf107410http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/76525porreponame:Repositório Institucional da UFSCinstname:Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)instacron:UFSCinfo:eu-repo/semantics/openAccess2022-08-29T19:14:11Zoai:repositorio.ufsc.br:123456789/76525Repositório InstitucionalPUBhttp://150.162.242.35/oai/requestopendoar:23732022-08-29T19:14:11Repositório Institucional da UFSC - Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)false
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