Células SRAM de ultra baixa tensão com polarização de substrato
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Data de Publicação: | 2008 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Repositório Institucional da UFSC |
Texto Completo: | http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/90886 |
Resumo: | Dissertação (Mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-graduação em Engenharia Elétrica |
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Universidade Federal de Santa CatarinaLima, Alessandro de SouzaNoceti Filho, SidneiMarques, Luís Cléber Carneiro2012-10-23T16:24:18Z2012-10-23T16:24:18Z20082008260104http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/90886Dissertação (Mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-graduação em Engenharia ElétricaEsta dissertação visa o estudo da célula SRAM de 6 transistores, utilizando tecnologia CMOS convencional, operando em ultra baixa tensão de alimentação e conseqüentemente com baixo consumo. Para isso, os transistores MOS deverão operar no regime de inversão fraca. Nesse regime, as correntes dos transistores dependem exponencialmente das tensões aplicadas aos transistores e dos parâmetros tecnológicos. Descasamento entre transistores causados por variações no processo de fabricação afeta diretamente o comportamento dos circuitos. Operando com ultra baixa tensão de alimentação, circuitos digitais têm seus desempenhos significativamente diminuídos. Para reduzir o impacto causado pela redução da alimentação, a utilização de técnicas de polarização de substrato é empregada a fim de melhorar o desempenho dos circuitos. Utilizando circuitos de polarização de substrato também dependentes dos mesmos parâmetros tecnológicos dos circuitos a que serão aplicados, a polarização de substrato ajuda na compensação das variações causadas no processo de fabricação. Neste trabalho, foram estudados circuitos bastante simples para a polarização de substrato dos transistores que formam a célula SRAM. Utilizando simulações, com a tecnologia TSMC 0,18µm, comparativos entre células SRAM utilizando polarização de substrato avaliaram o efeito sobre a SNM (Margem de Ruído Estático) e sobre a velocidade (de estabilização em um nível lógico definido) da célula SRAM. Pela simplicidade e tamanho reduzido, os circuitos de polarização de substrato empregados se mostraram como opções funcionais para melhorar a operação da célula SRAM em ultra baixa tensão de alimentação e sob condições de descasamento.xv, 93 f.| il., grafs., tabs.porFlorianópolis, SCEngenharia eletricaTransistoresPolarizacaoCélulas SRAM de ultra baixa tensão com polarização de substratoinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisreponame:Repositório Institucional da UFSCinstname:Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)instacron:UFSCinfo:eu-repo/semantics/openAccessORIGINAL260104.pdfapplication/pdf996649https://repositorio.ufsc.br/bitstream/123456789/90886/1/260104.pdfb06bc3bd51f98b602c5fe962c832e0edMD51TEXT260104.pdf.txt260104.pdf.txtExtracted Texttext/plain155091https://repositorio.ufsc.br/bitstream/123456789/90886/2/260104.pdf.txt215535515aafd82311645b0a85d13f2fMD52THUMBNAIL260104.pdf.jpg260104.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg736https://repositorio.ufsc.br/bitstream/123456789/90886/3/260104.pdf.jpg57d6dc7f131fa23a8d7c48d441f5d44aMD53123456789/908862013-05-03 23:23:14.095oai:repositorio.ufsc.br:123456789/90886Repositório de PublicaçõesPUBhttp://150.162.242.35/oai/requestopendoar:23732013-05-04T02:23:14Repositório Institucional da UFSC - Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)false |
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