Modificação e caracterização da superfície do carbeto de silício para a aplicação em dispositivos

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Melo, Bruna Sedaca Camargo de
Data de Publicação: 2022
Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFSC
Texto Completo: https://repositorio.ufsc.br/handle/123456789/243302
Resumo: TCC (graduação) - Universidade Federal de Santa Catarina. Centro Tecnológico, de Ciências Exatas e Educação. Engenharia de Materiais
id UFSC_e1080ab2681d004749e30cb19617a7b8
oai_identifier_str oai:repositorio.ufsc.br:123456789/243302
network_acronym_str UFSC
network_name_str Repositório Institucional da UFSC
repository_id_str 2373
spelling Modificação e caracterização da superfície do carbeto de silício para a aplicação em dispositivosCarbeto de silícioEtching de hidrogênioRugosidadeTCC (graduação) - Universidade Federal de Santa Catarina. Centro Tecnológico, de Ciências Exatas e Educação. Engenharia de MateriaisNanodispositivos funcionais têm atraído grande interesse científico e tecnológico em diversas áreas, como energia, eletrônica, meio ambiente, entre outros. Para a produção de dispositivos é importante que o substrato empregado seja livre de defeitos, pouco rugoso (< 1 nm rms), e idealmente, atomicamente plano. Sendo assim, neste trabalho empregou-se o método de etching de hidrogênio a temperaturas ≤ 700°C para o desbaste da superfície de carbono (C) do carbeto de silício hexagonal (SiC (0001)), um importante substrato de relevância tecnológica e larga aplicação em dispositivos. O objetivo do trabalho é estudar as modificações superficiais do SiC após etching de hidrogênio através de técnicas de caracterização ex-situ como microscopia de força atômica (atomic force microscopy - AFM) e in-situ como difração de elétrons de baixa energia (low energy electron diffraction - LEED). A elevada dureza e inércia química desse material dificulta a obtenção de superfícies pouco rugosas, principalmente a partir de procedimentos de polimento a baixas temperaturas. Além disso, o polimento químico-mecânico comumente utilizado em uma das faces do SiC durante sua produção resulta em ranhuras na superfície com profundidade de ~ 0.7 nm e rugosidade rms em torno de 0,4 nm. Aqui, esta superfície foi submetida a processos de etching de hidrogênio atômico e molecular em diversas proporções (0% ≤ H ≤ 90% do fluxo) em temperatura de processo igual ou menor que 700°C. Observou-se que para processos de etching a 700°C há uma diminuição da profundidade destas ranhuras para até ~ 0,3 nm. A diminuição das imperfeições na superfície do SiC visa obter substratos pouco rugosos, por exemplo, para a aplicação em dispositivos eletrônicos baseados em materiais 2D.Functional nanodevices attract great scientific and technological interest in several areas such as energy, electronics, and environmental applications. An ideal defectless crystalline substrate with rms roughness less than 1 nm is desirable for device construction. Therefore, this work aims to investigate the polishing of the carbon face of hexagonal silicon carbide (SiC (0001)) by means of hydrogen etching at temperatures below 700°C. SiC is a wide bandgap semiconductor and an important substrate in the field of electronic devices. In this work, SiC surface modification after hydrogen etching is studied ex-situ by atomic force microscopy (AFM) and in-situ by low-energy electron diffraction (LEED). The chemical-mechanical polishing commonly used on SiC during wafer production results in scratches with a depth of ~ 0.7 nm and surface rms roughness ~ 0.4 nm. However, the achievement of a smoother surface is hindered by the high hardness and chemical inertness of the SiC. Here, we subjected the carbon face of SiC to an atomic and molecular hydrogen beam at different rates (0% ≤ H ≤ 90%) and temperatures equal or below than 700°C. It was observed that at 700°C there is a decrease of scratches’ depth up to ~ 0.3 nm. This smoothness improvement makes SiC feasible to be used as substrate, for instance, in electronic devices based on 2D materials.Blumenau, SC.Furini, Leonardo NegriOliveira, Rafael Furlan deUniversidade Federal de Santa Catarina.Melo, Bruna Sedaca Camargo de2022-12-21T12:29:07Z2022-12-21T12:29:07Z2022-12-09info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/bachelorThesis68 f.application/pdfhttps://repositorio.ufsc.br/handle/123456789/243302Open Access.info:eu-repo/semantics/openAccessporreponame:Repositório Institucional da UFSCinstname:Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)instacron:UFSC2022-12-21T12:29:07Zoai:repositorio.ufsc.br:123456789/243302Repositório InstitucionalPUBhttp://150.162.242.35/oai/requestopendoar:23732022-12-21T12:29:07Repositório Institucional da UFSC - Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)false
dc.title.none.fl_str_mv Modificação e caracterização da superfície do carbeto de silício para a aplicação em dispositivos
title Modificação e caracterização da superfície do carbeto de silício para a aplicação em dispositivos
spellingShingle Modificação e caracterização da superfície do carbeto de silício para a aplicação em dispositivos
Melo, Bruna Sedaca Camargo de
Carbeto de silício
Etching de hidrogênio
Rugosidade
title_short Modificação e caracterização da superfície do carbeto de silício para a aplicação em dispositivos
title_full Modificação e caracterização da superfície do carbeto de silício para a aplicação em dispositivos
title_fullStr Modificação e caracterização da superfície do carbeto de silício para a aplicação em dispositivos
title_full_unstemmed Modificação e caracterização da superfície do carbeto de silício para a aplicação em dispositivos
title_sort Modificação e caracterização da superfície do carbeto de silício para a aplicação em dispositivos
author Melo, Bruna Sedaca Camargo de
author_facet Melo, Bruna Sedaca Camargo de
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Furini, Leonardo Negri
Oliveira, Rafael Furlan de
Universidade Federal de Santa Catarina.
dc.contributor.author.fl_str_mv Melo, Bruna Sedaca Camargo de
dc.subject.por.fl_str_mv Carbeto de silício
Etching de hidrogênio
Rugosidade
topic Carbeto de silício
Etching de hidrogênio
Rugosidade
description TCC (graduação) - Universidade Federal de Santa Catarina. Centro Tecnológico, de Ciências Exatas e Educação. Engenharia de Materiais
publishDate 2022
dc.date.none.fl_str_mv 2022-12-21T12:29:07Z
2022-12-21T12:29:07Z
2022-12-09
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
format bachelorThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv https://repositorio.ufsc.br/handle/123456789/243302
url https://repositorio.ufsc.br/handle/123456789/243302
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv Open Access.
info:eu-repo/semantics/openAccess
rights_invalid_str_mv Open Access.
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv 68 f.
application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Blumenau, SC.
publisher.none.fl_str_mv Blumenau, SC.
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório Institucional da UFSC
instname:Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)
instacron:UFSC
instname_str Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)
instacron_str UFSC
institution UFSC
reponame_str Repositório Institucional da UFSC
collection Repositório Institucional da UFSC
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional da UFSC - Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1808652351702040576

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