Influência dos parâmetros do conversor em diferentes tecnologias de transistores de potência

• Autor(a) principal: Prado, Edemar de Oliveira
• Data de Publicação: 2018
• Outros Autores: Bolsi, Pedro Cerutti, Sartori, Hamiltom Confortin, Pinheiro, José Renes
• Tipo de documento: Artigo de conferência
• Idioma: por
• Título da fonte: Manancial - Repositório Digital da UFSM
• Texto Completo: http://repositorio.ufsm.br/handle/1/30653
• topic: Transistores de potência; perdas; potência; frequência; CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELETRICA

Este artigo apresenta uma metodologia para seleção de transistores de potência para aplicações em conversores estáticos, avaliando perdas e comparando diferentes tecnologias. Esta análise baseia-se nos modelos térmicos e elétricos dos IGBTs e MOSFETs de Silício (Si), Carboneto de Silício (SiC) e Nitreto de Gálio (GaN) para determinar suas perdas, onde é avaliado o comportamento de cada tecnologia em diferentes faixas de frequência, níveis de potência e diferentes tempos de condução (duty cycles). Para isto foi desenvolvido um algoritmo capaz de calcular perdas por condução e comutação nos dispositivos, por meio de um processo de varredura de frequência, considerando diferentes níveis de potência e tempos de condução. Os resultados mostram as faixas de frequência, níveis de corrente e tempos de condução em que cada tecnologia apresentou melhor desempenho (menores perdas), indicando a tecnologia mais apropriada a ser utilizada em cada aplicação especifica.