Síntese e caracterização de nanocristais semicondutores magnéticos diluídos de Bi2-xCoxS3 em matrizes vítreas

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: GUIMARÃES, Éder Vinícius
Data de Publicação: 2017
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFTM
Texto Completo: http://bdtd.uftm.edu.br/handle/tede/528
Resumo: Nanocristais semicondutores magnéticos diluídos de Bi2-xCoxS3 foram sintetizados e crescidos com sucesso em matriz vítrea de composição 45SiO2.30Na2CO3.5Al2O3.20B2O3 (mol%), dopada com os precursores Bi2O3, S e Co por meio do processo de fusão-nucleação e posterior tratamento térmico em temperatura de transição vítrea de 500°C, determinada experimentalmente por análise térmica diferencial. Através de métodos instrumentais de análise e técnicas de caracterização de materiais foi possível evidenciar a formação desses nanocristais. Imagens de microscopia eletrônica de transmissão revelaram o tamanho e confirmaram o crescimento de nanocristais de Bi2-xCoxS3. Com o aumento da concentração xCo nos nanocristais de Bi2-xCoxS3, ocorreu à mudança do espaçamento dos planos cristalinos da estrutura característica do Bi2S3, por causa disso, picos de difração de raios x dos nanocristais deslocaram-se para menores ângulos, dando fortes evidências da incorporação de íons Co2+ na estrutura cristalina dos nanocristais de Bi2S3. Os espectros de ressonância paramagnética eletrônica correspondente a transição eletrônica +½ ↔ -½ evidenciaram o conhecido octeto de linhas hiperfinas dos íons Co2+ quando incorporados em nanocristais de Bi2S3. Nos espectros de absorção óptica foi possível acompanhar a cinética de crescimento dos nanocristais, mediante o deslocamento para maiores comprimentos de onda (“redshift”) da borda da banda de condução de absorção óptica dos pontos quânticos de Bi2S3 em função do tratamento térmico. Tal fenômeno resultou na superposição das bandas características das transições d-d de íons Co2+ na região do visível, cuja as interações de troca sp-d entre os elétrons nos orbitais de S e Co do Bi2-xCoxS3 estabilizaram em simetria tetraédrica, possibilitando novas propriedades ópticas ao semicondutor. Com base na teoria do campo cristalino e com o auxílio dos diagramas de Tanabe-Sugano evidenciou-se que íons de Co2+ foram incorporados substitucionalmente aos de Bi3+ em sítios tetraédricos de nanocristais de Bi2S3, em razão das transições características na região espectral do visível e infravermelho próximo.
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spelling Síntese e caracterização de nanocristais semicondutores magnéticos diluídos de Bi2-xCoxS3 em matrizes vítreasNanocristais.Semicondutores magnéticos diluídos.Técnicas de caracterização de materiais.Teoria do campo cristalino.Nanocrystals.Diluted magnetic semiconductors.Materials characterization techniques.Crystal field theory.QuímicaNanocristais semicondutores magnéticos diluídos de Bi2-xCoxS3 foram sintetizados e crescidos com sucesso em matriz vítrea de composição 45SiO2.30Na2CO3.5Al2O3.20B2O3 (mol%), dopada com os precursores Bi2O3, S e Co por meio do processo de fusão-nucleação e posterior tratamento térmico em temperatura de transição vítrea de 500°C, determinada experimentalmente por análise térmica diferencial. Através de métodos instrumentais de análise e técnicas de caracterização de materiais foi possível evidenciar a formação desses nanocristais. Imagens de microscopia eletrônica de transmissão revelaram o tamanho e confirmaram o crescimento de nanocristais de Bi2-xCoxS3. Com o aumento da concentração xCo nos nanocristais de Bi2-xCoxS3, ocorreu à mudança do espaçamento dos planos cristalinos da estrutura característica do Bi2S3, por causa disso, picos de difração de raios x dos nanocristais deslocaram-se para menores ângulos, dando fortes evidências da incorporação de íons Co2+ na estrutura cristalina dos nanocristais de Bi2S3. Os espectros de ressonância paramagnética eletrônica correspondente a transição eletrônica +½ ↔ -½ evidenciaram o conhecido octeto de linhas hiperfinas dos íons Co2+ quando incorporados em nanocristais de Bi2S3. Nos espectros de absorção óptica foi possível acompanhar a cinética de crescimento dos nanocristais, mediante o deslocamento para maiores comprimentos de onda (“redshift”) da borda da banda de condução de absorção óptica dos pontos quânticos de Bi2S3 em função do tratamento térmico. Tal fenômeno resultou na superposição das bandas características das transições d-d de íons Co2+ na região do visível, cuja as interações de troca sp-d entre os elétrons nos orbitais de S e Co do Bi2-xCoxS3 estabilizaram em simetria tetraédrica, possibilitando novas propriedades ópticas ao semicondutor. Com base na teoria do campo cristalino e com o auxílio dos diagramas de Tanabe-Sugano evidenciou-se que íons de Co2+ foram incorporados substitucionalmente aos de Bi3+ em sítios tetraédricos de nanocristais de Bi2S3, em razão das transições características na região espectral do visível e infravermelho próximo.Diluted magnetic semiconductor nanocrystals of Bi2-xCoxS3 were successfully synthesized and grown in glass matrix of composition 45SiO2.30Na2CO3.5Al2O3.20B2O3 (mol %), doped with precursors Bi2O3, S e Co by means of the fusion-nuclear process and subsequent thermal annealing at a glass transition temperature of 500°C, determined experimentally by differential thermal analysis. Through instrumental methods of analysis and materials characterization techniques was possible evidence of the formation of these nanocrystals. Transmission Electron Microscopy images revealed the size and confirmed the growth of Bi2-xCoxS3 nanocrystals. With the increase of xCo concentration in Bi2- xCoxS3 nanocrystals, occurred to the change in the spacing of the crystalline planes of the characteristic structure of Bi2S3, because of this, nanocrystals x-ray diffraction peaks moved to smaller angles, giving strong evidence of the incorporation of Co2+ ions into the crystalline structure of Bi2S3 nanocrystals. Electron paramagnetic resonance spectra corresponding to electronic transition +½ ↔ -½ evidenced the known octet of hyperfine lines of Co2+ ions when incorporated into Bi2S3 nanocrystals. In the optical absorption spectra, it was possible to follow the growth kinetics of the nanocrystals through the displacement to greater wavelengths ("redshift") of the optical absorption conduction band edge of the quantum dots of Bi2S3 in function of the thermal annealing. This phenomenon resulted in the superposition of the characteristic bands of the d-d transitions of Co2+ ions in the visible region, whose interaction of sp-d exchange between the electrons in the S and Co orbitals of Bi2- xCoxS3 stabilized in tetrahedral symmetry, allowing new optical properties to the semiconductor. Based on crystal field theory with the help of the Tanabe–Sugano diagrams it showed that Co2+ ions were substitutionally incorporated to those of Bi3+ in tetrahedral sites of Bi2S3 nanocrystals, due to the characteristics transitions in the spectral region of the visible and near infrared.Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e TecnológicoFundação de Amparo à Pesquisa do Estado de Minas GeraisUniversidade Federal do Triângulo MineiroInstituto de Ciências Exatas, Naturais e Educação - ICENEBrasilUFTMPrograma de Pós-Graduação Multicêntrico em Química de Minas GeraisSILVA, Ricardo Souza da03581448688http://lattes.cnpq.br/7982979995135056GUIMARÃES, Éder Vinícius2018-03-27T17:17:10Z2017-02-16info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfapplication/pdfGUIMARÃES, Éder Vinícius. Síntese e caracterização de nanocristais semicondutores magnéticos diluídos de Bi2-xCoxS3 em matrizes vítreas. 2017. 116f. Dissertação (Mestrado em Química) - Programa de Pós-Graduação Multicêntrico em Química de Minas Gerais, Universidade Federal do Triângulo Mineiro, Uberaba, 2017.http://bdtd.uftm.edu.br/handle/tede/528porADAMSON, A. W.; Physical Chemistry of Surfaces. New York: Wiley, 1990. AHIRE, R. R.; SANKPAL, B. R.; LOKHANDE, C. D. Preparation and characterization of Bi2S3 thin films using modified chemical bath deposition method. Mater. Rese. Bull, v. 36, p. 199, 2001. APURVA, R.; CHANDAN, S.; KATKAR, A.; SHINDE, P. Spintronics: A New Nanoelectronics Adventure. International Journal of Advanced Computer Research, v. 3(8), p. 295-300, 2013. ARCHER, P. I.; SANTANGELO, S. A.; GAMELIN, D. R. Direct Observation of sp−d Exchange Interactions in Colloidal Mn2+ and Co2+ Doped CdSe Quantum Dots. Nano Letters, v. 7, p. 1037-1043, 2007. ARCHER, P. I.; SANTANGELO, S. A.; GAMELIN, D. R. Inorganic Cluster Syntheses of TM2+-Doped Quantum Dots (CdSe, CdS, CdSe/CdS): Physical Property Dependence on Dopant Locale. 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GUIMARÃES, Éder Vinícius
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description Nanocristais semicondutores magnéticos diluídos de Bi2-xCoxS3 foram sintetizados e crescidos com sucesso em matriz vítrea de composição 45SiO2.30Na2CO3.5Al2O3.20B2O3 (mol%), dopada com os precursores Bi2O3, S e Co por meio do processo de fusão-nucleação e posterior tratamento térmico em temperatura de transição vítrea de 500°C, determinada experimentalmente por análise térmica diferencial. Através de métodos instrumentais de análise e técnicas de caracterização de materiais foi possível evidenciar a formação desses nanocristais. Imagens de microscopia eletrônica de transmissão revelaram o tamanho e confirmaram o crescimento de nanocristais de Bi2-xCoxS3. Com o aumento da concentração xCo nos nanocristais de Bi2-xCoxS3, ocorreu à mudança do espaçamento dos planos cristalinos da estrutura característica do Bi2S3, por causa disso, picos de difração de raios x dos nanocristais deslocaram-se para menores ângulos, dando fortes evidências da incorporação de íons Co2+ na estrutura cristalina dos nanocristais de Bi2S3. Os espectros de ressonância paramagnética eletrônica correspondente a transição eletrônica +½ ↔ -½ evidenciaram o conhecido octeto de linhas hiperfinas dos íons Co2+ quando incorporados em nanocristais de Bi2S3. Nos espectros de absorção óptica foi possível acompanhar a cinética de crescimento dos nanocristais, mediante o deslocamento para maiores comprimentos de onda (“redshift”) da borda da banda de condução de absorção óptica dos pontos quânticos de Bi2S3 em função do tratamento térmico. Tal fenômeno resultou na superposição das bandas características das transições d-d de íons Co2+ na região do visível, cuja as interações de troca sp-d entre os elétrons nos orbitais de S e Co do Bi2-xCoxS3 estabilizaram em simetria tetraédrica, possibilitando novas propriedades ópticas ao semicondutor. Com base na teoria do campo cristalino e com o auxílio dos diagramas de Tanabe-Sugano evidenciou-se que íons de Co2+ foram incorporados substitucionalmente aos de Bi3+ em sítios tetraédricos de nanocristais de Bi2S3, em razão das transições características na região espectral do visível e infravermelho próximo.
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