PROCESSAMENTO E CARACTERIZAÇÃO ÓPTICA E ELÉTRICA DE TRANSISTOR DE EFEITOFERROELÉTRICOS

• Autor(a) principal: de Fátima Curcino da Silva, Silésia
• Data de Publicação: 2012
• Outros Autores: Marletta, Alexandre, Cesar Rabelo, Adriano, A. Silva, Raigna
• Tipo de documento: Artigo
• Idioma: por
• Título da fonte: Horizonte Científico
• Texto Completo: https://seer.ufu.br/index.php/horizontecientifico/article/view/4376

Memórias não-voláteis orgânicas tem sido estudadas devido as seguintes vantagens: tempos curtos de programação, longos tempos de retenção dos dados, processamento a baixas temperaturas e baixos custos. A tecnologia destas memórias não-voláteis orgânicas é baseada nos transistores de efeito de campo (FET) com uma porta (gate) isolada por um dielétrico e o canal composto com polímero ferroelétrico. Baseados em polímeros, os transistores com camada ativa de poli(fluoreto de vinilideno / tri-fluoreto de etileno) - P(VDF/TrFE) apresentam as melhores perspectivas de aplicação em memórias não-voláteis com baixos tempos de programação (~1ms), que é compatível com a velocidade de processamento em circuitos orgânicos. Entretanto, a ddp de operação ainda é alta, da ordem de 50 volts. Com base nestes fatos, neste trabalho foram produzidos filmes de Fe(PSS)3 (poliestireno sulfonado de ferro III), depositado sobre substrato de FTO (óxido de estanho dopado com flúor) utilizando a técnica casting. A síntese do Fe(PSS)3 foi obtida através da junção do Fe(OH)3 (hidróxido de ferro III) com PSS-H (poliestireno sulfônico na forma ácida ). Os filmes foram caracterizados eletricamente através das medidas de tensão vs. tempo e tensão vs. corrente.