Modelagem de capacitancias de OTFTs para circuitos de RFID

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Criado, Federico Carlos Amorín
Data de Publicação: 2017
Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Monografias da UnB
Texto Completo: https://bdm.unb.br/handle/10483/27866
Resumo: Trabalho de Conclusão de Curso (Bacharelado em Engenharia Elétrica)—Universidade de Brasília, Brasília, 2017.
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spelling Criado, Federico Carlos AmorínBlawid, Stefan MichaelCRIADO, Federico Carlos Amorín. Modelagem de capacitancias de OTFTs para circuitos de RFID. 2017. viii, 57 f., il. Trabalho de Conclusão de Curso (graduação)—Universidade de Brasília, Faculdade de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica, 2017.https://bdm.unb.br/handle/10483/27866Trabalho de Conclusão de Curso (Bacharelado em Engenharia Elétrica)—Universidade de Brasília, Brasília, 2017.Etiquetas passivas para circuitos de identificação de rádio frequência (RFID), representam uma área de interesse para a eletrônica orgânica. Porém, a complexidade dos circuitos des- sas etiquetas, como por exemplo a detecção em frequência da ordem de MHz, apresenta uma série de desafios para a implantação bem-sucedida dessa tecnologia. Para estimular ainda mais o desenvolvimento, são necessários estudos de projeto de circuito, que exigem uma modelagem compacta de transistores de efeito de campo orgânicos (OTFET), adequada para simulações analógicas em frequências elevadas. A modelagem das capacitâncias as- sociadas é especialmente importante, uma vez que determinam a resposta de frequência e várias geometrias de transistor de filme fino estão atormentadas com grandes contribuições parasitárias. No presente trabalho, o modelo unificado e o método de extração (UMEM) são analisados para verificar adequadamente as características de tensão de corrente contínua (IV) e de capacitância-voltagem (CV). A implementação do próprio modelo do desenvolvedor é comparada a uma variante interna simplificada, que retifica problemas numéricos em baixas tensões de fonte-dreno. O estudo de caso realizado é baseado em dados experimentais e com- putacionais publicados para um transistor com arquitetura do tipo porta superior e contatos inferiores feito de poly(3-hexiltiofeno-2,5-diil) (P3HT) de poly(3-hexiltiofeno-2,5-diyl) (P3HT). O UMEM é capaz de modelar as curvas IV e CV, no entanto, são necessários dois conjuntos de parâmetros para modelar esses comportamentos. Portanto, o modelo de capacitância do UMEM é semi-empírico, uma vez que as características IV e CV derivam do mesmo modelo de carga do canal e esperam-se conjuntos de parâmetros idênticos. O impacto de todos os valores dos parâmetros nas curvas CV é discutido em detalhes. O Simulador de Circuito Universal (Qucs) foi utilizado como simulador de circuitos.Submitted by Kathryn Araujo (kathrynaraujo@bce.unb.br) on 2021-06-09T20:33:37Z No. of bitstreams: 1 2017_FedericoCarlosAmorinCriado_tcc.pdf: 1304595 bytes, checksum: e70e6acdaa8715059cb18312cc23e4a4 (MD5)Approved for entry into archive by Patricia Nunes (patricia@bce.unb.br) on 2021-06-30T02:21:49Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2017_FedericoCarlosAmorinCriado_tcc.pdf: 1304595 bytes, checksum: e70e6acdaa8715059cb18312cc23e4a4 (MD5)Made available in DSpace on 2021-06-30T02:21:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2017_FedericoCarlosAmorinCriado_tcc.pdf: 1304595 bytes, checksum: e70e6acdaa8715059cb18312cc23e4a4 (MD5)Passive tags for radio frequency identification (RFID), e.g. as barcode replacement, represent an interesting market opportunity for organic electronics. However, the complexity of tag circuits, which include detection at 13.56 MHz and analog/digital functionality, still hinders successful implementation. To further fuel the development, circuit design studies are nee- ded, which call for compact models of the underlying organic field-effect transistor (OTFET) technology suitable for analog simulations at elevated frequencies. The modeling of the as- sociated capacitances are especially important, since they determine the frequency response and various thin-film transistor geometries are plagued with large parasitic contributions. In the present work, the unified model and extraction method (UMEM) is analyzed to verify its suitably for modeling DC current-voltage (IV) and capacitance-voltage (CV) characteris- tics. The developer’s own model implementation is compared to a simplified in-house variant, which rectifies numerical issues at low drain-source voltages. The performed case study is based on published experimental and computational data of a 30μm poly(3-hexylthiophene- 2,5-diyl) (P3HT) top-gate bottom-contact transistor. UMEM is capable of modeling IV and CV curves, however, two sets of model parameters are required. Therefore, the capacitance model of UMEM is semi-empirical, since the IV and CV characteristics are derived from the same channel charge model and identical parameter sets are expected. The impact of all parameter values on the CV curves are discussed in detail. As circuit simulator the Quite universal Circuit Simulator (Qucs) has been employed.A concessão da licença deste item refere-se ao termo de autorização impresso assinado pelo autor que autoriza a Biblioteca Digital da Produção Intelectual Discente da Universidade de Brasília (BDM) a disponibilizar o trabalho de conclusão de curso por meio do sítio bdm.unb.br, com as seguintes condições: disponível sob Licença Creative Commons 4.0 International, que permite copiar, distribuir e transmitir o trabalho, desde que seja citado o autor e licenciante. Não permite o uso para fins comerciais nem a adaptação desta.info:eu-repo/semantics/openAccessTransistoresIdentificação por radiofrequência (RFID)Transistores de filmes finos orgânicos (OTFT)CapacitânciaModelagem de capacitancias de OTFTs para circuitos de RFIDinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/bachelorThesis2021-06-30T02:21:49Z2021-06-30T02:21:49Z2017-07-10porreponame:Biblioteca Digital de Monografias da UnBinstname:Universidade de Brasília (UnB)instacron:UNBLICENSElicense.txtlicense.txttext/plain1817http://bdm.unb.br/xmlui/bitstream/10483/27866/2/license.txt21554873e56ad8ddc69c092699b98f95MD52ORIGINAL2017_FedericoCarlosAmorinCriado_tcc.pdf2017_FedericoCarlosAmorinCriado_tcc.pdfapplication/pdf1304595http://bdm.unb.br/xmlui/bitstream/10483/27866/1/2017_FedericoCarlosAmorinCriado_tcc.pdfe70e6acdaa8715059cb18312cc23e4a4MD5110483/278662021-06-29 23:22:22.762oai:bdm.unb.br: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Biblioteca Digital de Monografiahttps://bdm.unb.br/PUBhttp://bdm.unb.br/oai/requestbdm@bce.unb.br||patricia@bce.unb.bropendoar:115712021-06-30T02:22:22Biblioteca Digital de Monografias da UnB - Universidade de Brasília (UnB)false
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