Influência das interconexões sobre o desempenho de circuitos integrados nanoeletrônicos baseados em transistores mono-elétron

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Carneiro, Vítor Gouvêa Andrezo
Data de Publicação: 2007
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UnB
Texto Completo: http://repositorio.unb.br/handle/10482/7227
Resumo: Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Faculdade de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica, 2007.
id UNB_2764048df9aad70a0e49fc355df2e30c
oai_identifier_str oai:repositorio.unb.br:10482/7227
network_acronym_str UNB
network_name_str Repositório Institucional da UnB
repository_id_str
spelling Influência das interconexões sobre o desempenho de circuitos integrados nanoeletrônicos baseados em transistores mono-elétronNanoeletrônicaTransistoresCircuitos integradosDissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Faculdade de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica, 2007.As tecnologias básicas adotadas atualmente pela indústria semicondutora para a fabricação de memórias e processadores podem alcançar certos limites que fazem com que novas tecnologias tenham que ser estudadas e desenvolvidas. Os transistores mono-elétron, como outros dispositivos em escala nanométrica, parecem ser uma opção próspera para implementações GSI ou TSI no futuro. O desenvolvimento de arquiteturas de processador GSI e TSI, baseados em dispositivos nanoeletrônicos, está sendo feita atualmente. A abordagem adotada compreende a implementação de um núcleo de processamento extremamente paralelo e distribuído, construído com dispositivos nanoeletrônicos, organizados em células. A investigação destas arquiteturas considerou, até o presente, a utilização de interconexões ideais. Os limites das interconexões potencialmente ameaçam desacelerar ou parar o progresso histórico da indústria semicondutora. Neste trabalho, o desempenho elétrico de associações conhecidas de subcircuitos nanoeletrônicos básicos são estudados com a ajuda de um modelo de interconexão cujos parâmetros podem ser mudados. Os circuitos das associações são simulados com parâmetros do modelo variando de uma interconexão ideal até os piores casos e seus comportamentos dinâmicos são analisados. O objetivo deste estudo é determinar a influência das interconexões sobre o comportamento dos circuitos e estabelecer limites relacionados a interconexões para suas funcionalidade.As possibilidades de implementação usando novas tecnologias de interconexão, como nanotubos de carbono, são também apresentadas. _________________________________________________________________________________ ABSTRACTThe basic technologies presently adopted by the semiconductor industry for memory and processor fabrication can attain certain limits which make that new technologies have to be studied and developed. Single-electron transistors, like other nanoscale devices, seem to be a promising option for GSI or TSI implementations in the future. The development of GSI and TSI processor architectures, based upon nanoelectronic devices, is currently being done. The adopted approach comprises the implementation of a massive parallel and distributed processing core, built with nanoelectronic devices, organized in cells. The investigation on these architectures has considered, up to now, the employment of ideal interconnections. Interconnection limits potentially threaten to decelerate or halt the historical progression of the semiconductor industry. In this work, the electrical performance of known associations of basic nanoelectronic subcircuits are studied with the help of an interconnection model whose parameters can be changed. The association circuits are simulated with model parameters varying from a ideal interconnection to worst cases and their dynamic behavior are analyzed. The goal of this study is to determine the interconnection’s influence upon the circuit behavior and to establish interconnection-related limits for its functionality. The implementation possibilities using new interconnection technologies, like carbon nanotubes, are also presented.Faculdade de Tecnologia (FT)Departamento de Engenharia Elétrica (FT ENE)Programa de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaCosta, José Camargo daCarneiro, Vítor Gouvêa Andrezo2011-03-30T01:33:29Z2011-03-30T01:33:29Z2011-03-302007-12-10info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfCARNEIRO, Vítor Gouvêa Andrezo. Influência das interconexões sobre o desempenho de circuitos integrados nanoeletrônicos baseados em transistores mono-elétron. 2007. 99 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica)-Universidade de Brasília, Brasília, 2007.http://repositorio.unb.br/handle/10482/7227info:eu-repo/semantics/openAccessporreponame:Repositório Institucional da UnBinstname:Universidade de Brasília (UnB)instacron:UNB2024-03-01T16:12:16Zoai:repositorio.unb.br:10482/7227Repositório InstitucionalPUBhttps://repositorio.unb.br/oai/requestrepositorio@unb.bropendoar:2024-03-01T16:12:16Repositório Institucional da UnB - Universidade de Brasília (UnB)false
dc.title.none.fl_str_mv Influência das interconexões sobre o desempenho de circuitos integrados nanoeletrônicos baseados em transistores mono-elétron
title Influência das interconexões sobre o desempenho de circuitos integrados nanoeletrônicos baseados em transistores mono-elétron
spellingShingle Influência das interconexões sobre o desempenho de circuitos integrados nanoeletrônicos baseados em transistores mono-elétron
Carneiro, Vítor Gouvêa Andrezo
Nanoeletrônica
Transistores
Circuitos integrados
title_short Influência das interconexões sobre o desempenho de circuitos integrados nanoeletrônicos baseados em transistores mono-elétron
title_full Influência das interconexões sobre o desempenho de circuitos integrados nanoeletrônicos baseados em transistores mono-elétron
title_fullStr Influência das interconexões sobre o desempenho de circuitos integrados nanoeletrônicos baseados em transistores mono-elétron
title_full_unstemmed Influência das interconexões sobre o desempenho de circuitos integrados nanoeletrônicos baseados em transistores mono-elétron
title_sort Influência das interconexões sobre o desempenho de circuitos integrados nanoeletrônicos baseados em transistores mono-elétron
author Carneiro, Vítor Gouvêa Andrezo
author_facet Carneiro, Vítor Gouvêa Andrezo
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Costa, José Camargo da
dc.contributor.author.fl_str_mv Carneiro, Vítor Gouvêa Andrezo
dc.subject.por.fl_str_mv Nanoeletrônica
Transistores
Circuitos integrados
topic Nanoeletrônica
Transistores
Circuitos integrados
description Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Faculdade de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica, 2007.
publishDate 2007
dc.date.none.fl_str_mv 2007-12-10
2011-03-30T01:33:29Z
2011-03-30T01:33:29Z
2011-03-30
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv CARNEIRO, Vítor Gouvêa Andrezo. Influência das interconexões sobre o desempenho de circuitos integrados nanoeletrônicos baseados em transistores mono-elétron. 2007. 99 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica)-Universidade de Brasília, Brasília, 2007.
http://repositorio.unb.br/handle/10482/7227
identifier_str_mv CARNEIRO, Vítor Gouvêa Andrezo. Influência das interconexões sobre o desempenho de circuitos integrados nanoeletrônicos baseados em transistores mono-elétron. 2007. 99 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica)-Universidade de Brasília, Brasília, 2007.
url http://repositorio.unb.br/handle/10482/7227
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório Institucional da UnB
instname:Universidade de Brasília (UnB)
instacron:UNB
instname_str Universidade de Brasília (UnB)
instacron_str UNB
institution UNB
reponame_str Repositório Institucional da UnB
collection Repositório Institucional da UnB
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional da UnB - Universidade de Brasília (UnB)
repository.mail.fl_str_mv repositorio@unb.br
_version_ 1810580835291627520

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