Desenvolvimento de uma memória associativa estocástica utilizando transistores mono-elétron
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Data de Publicação: | 2006 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Repositório Institucional da UnB |
Texto Completo: | http://repositorio.unb.br/handle/10482/6894 |
Resumo: | Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Faculdade de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica, 2006. |
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Desenvolvimento de uma memória associativa estocástica utilizando transistores mono-elétronTransistoresRedes neurais (Computação)Memória associativa (Engenharia Elétrica)Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Faculdade de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica, 2006.Neste estudo realizou-se, pela primeira vez, o projeto de uma memória associativa estocástica, através da conexão de blocos de circuitos com funções específicas utilizando somente transistores mono-elétron. A viabilidade da conexão de blocos, integrando sistemas é demonstrada apresentando uma metodologia de projeto para a realização de sistemas nanoeletrônicos, utilizando o conceito hierárquico na composição dos circuitos. A funcionalidade do sistema formado pela memória associativa foi verificada a partir de simulações parciais e integrais do sistema, com ferramenta CAD profissional . _________________________________________________________________________________ ABSTRACTIn this study the design of an stochastic associative memory, based upon single-electron transistors, was, for the first time, carried out. An hierarchical design methodology, suitable for single-electron circuit conception was also devised in this work. The associative memory circuit design’s performance was validated using professional electrical simulators.Faculdade de Tecnologia (FT)Departamento de Engenharia Elétrica (FT ENE)Programa de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaCosta, José Camargo daCarmo, Helen Carvalho do2011-02-15T22:16:15Z2011-02-15T22:16:15Z2011-02-152006-12-01info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfCARMO, Helen Carvalho do. Desenvolvimento de uma memória associativa estocástica utilizando transistores mono-elétron. 2006. xvii, 133 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica)-Universidade de Brasília, Brasília, 2006.http://repositorio.unb.br/handle/10482/6894info:eu-repo/semantics/openAccessporreponame:Repositório Institucional da UnBinstname:Universidade de Brasília (UnB)instacron:UNB2024-03-01T16:11:28Zoai:repositorio.unb.br:10482/6894Repositório InstitucionalPUBhttps://repositorio.unb.br/oai/requestrepositorio@unb.bropendoar:2024-03-01T16:11:28Repositório Institucional da UnB - Universidade de Brasília (UnB)false |
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