Eletrodos de porta MOS planar e 3D baseados em TiN obtido por evaporação de Ti e nitretação por plasma ECR

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Carnio, Carlos Vinícius, 1990-
Data de Publicação: 2018
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1634793
Resumo: Orientador: José Alexandre Diniz
id UNICAMP-30_106e31224baf0ef8a9a8c9efd8066e59
oai_identifier_str oai::1061845
network_acronym_str UNICAMP-30
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository_id_str
spelling Eletrodos de porta MOS planar e 3D baseados em TiN obtido por evaporação de Ti e nitretação por plasma ECRTiN planar and 3D MOS gate electrodes obtained by Ti e-beam evaporation and ECR plasma nitridationNitreto de titânioTitanium nitrideOrientador: José Alexandre DinizDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de ComputaçãoResumo: O objetivo desse trabalho é a obtenção de filmes ultrafinos de nitreto de titânio (TiN), com espessuras inferiores a 10 nm, e sua utilização na fabricação de dispositivos planares, na estrutura de capacitores e na porta de transistores CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor), como também na tecnologia 3D (3 Dimensões) com FinFETs (Fin Field-Effect Transistors). Esse filme é fabricado por um método alternativo, através da evaporação de camadas nanométricas (1 nm e 2 nm) de Ti por feixe de elétrons seguida por nitretação por plasma ECR (Electron Cyclotron Resonance) de nitrogênio (N2). O TiN é utilizado como metal refratário na elaboração de três diferentes eletrodos de porta: Poli-Si n+/TiN, NiSi/TiN e Al/TiN... O resumo poderá ser visualizado no texto completo da tese digitalAbstract: The objective of this work is to obtain ultrathin titanium nitride (TiN) films with thicknesses lower than 10 nm and their use in the manufacture of planar devices, capacitor structures and the Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS), as well as 3D (3 Dimensions) technology with FinFETs (Fin Field-Effect Transistors). This film is manufactured by an alternative method, through the evaporation of nanometric layers (1 nm and 2 nm) of Ti by electron beam followed by Electron Cyclotron Resonance (ECR) plasma nitriding of Nitrogen (N2). TiN is used as a refractory metal in the elaboration of three different gate electrodes: Poly-Si n + / TiN, NiSi / TiN and Al / TiN... The abstract is available with the full electronic documentMestradoEletrônica, Microeletrônica e OptoeletrônicaMestre em Engenharia ElétricaCAPES[s.n.]Diniz, José Alexandre, 1964-Teixeira, Ricardo CotrinManêra, Leandro TiagoUniversidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Elétrica e de ComputaçãoPrograma de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASCarnio, Carlos Vinícius, 1990-20182018-08-23T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf1 recurso online (74 p.) : il., digital, arquivo PDF.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1634793CARNIO, Carlos Vinícius. Eletrodos de porta MOS planar e 3D baseados em TiN obtido por evaporação de Ti e nitretação por plasma ECR. 2018. 1 recurso online (74 p.) Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1634793. Acesso em: 3 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/1061845Requisitos do sistema: Software para leitura de arquivo em PDFporreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2018-11-30T16:19:12Zoai::1061845Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2018-11-30T16:19:12Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
dc.title.none.fl_str_mv Eletrodos de porta MOS planar e 3D baseados em TiN obtido por evaporação de Ti e nitretação por plasma ECR
TiN planar and 3D MOS gate electrodes obtained by Ti e-beam evaporation and ECR plasma nitridation
title Eletrodos de porta MOS planar e 3D baseados em TiN obtido por evaporação de Ti e nitretação por plasma ECR
spellingShingle Eletrodos de porta MOS planar e 3D baseados em TiN obtido por evaporação de Ti e nitretação por plasma ECR
Carnio, Carlos Vinícius, 1990-
Nitreto de titânio
Titanium nitride
title_short Eletrodos de porta MOS planar e 3D baseados em TiN obtido por evaporação de Ti e nitretação por plasma ECR
title_full Eletrodos de porta MOS planar e 3D baseados em TiN obtido por evaporação de Ti e nitretação por plasma ECR
title_fullStr Eletrodos de porta MOS planar e 3D baseados em TiN obtido por evaporação de Ti e nitretação por plasma ECR
title_full_unstemmed Eletrodos de porta MOS planar e 3D baseados em TiN obtido por evaporação de Ti e nitretação por plasma ECR
title_sort Eletrodos de porta MOS planar e 3D baseados em TiN obtido por evaporação de Ti e nitretação por plasma ECR
author Carnio, Carlos Vinícius, 1990-
author_facet Carnio, Carlos Vinícius, 1990-
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Diniz, José Alexandre, 1964-
Teixeira, Ricardo Cotrin
Manêra, Leandro Tiago
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação
Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
dc.contributor.author.fl_str_mv Carnio, Carlos Vinícius, 1990-
dc.subject.por.fl_str_mv Nitreto de titânio
Titanium nitride
topic Nitreto de titânio
Titanium nitride
description Orientador: José Alexandre Diniz
publishDate 2018
dc.date.none.fl_str_mv 2018
2018-08-23T00:00:00Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.12733/1634793
CARNIO, Carlos Vinícius. Eletrodos de porta MOS planar e 3D baseados em TiN obtido por evaporação de Ti e nitretação por plasma ECR. 2018. 1 recurso online (74 p.) Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1634793. Acesso em: 3 set. 2024.
url https://hdl.handle.net/20.500.12733/1634793
identifier_str_mv CARNIO, Carlos Vinícius. Eletrodos de porta MOS planar e 3D baseados em TiN obtido por evaporação de Ti e nitretação por plasma ECR. 2018. 1 recurso online (74 p.) Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1634793. Acesso em: 3 set. 2024.
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/1061845
Requisitos do sistema: Software para leitura de arquivo em PDF
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
1 recurso online (74 p.) : il., digital, arquivo PDF.
dc.publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
instname_str Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron_str UNICAMP
institution UNICAMP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.mail.fl_str_mv sbubd@unicamp.br
_version_ 1809189133534363648

Registros relacionados