Análise da dimensionalidade do emissor de um diodo de tunelamento ressonante

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Rivera Riofano, Pablo Hector
Data de Publicação: 1994
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1582217
Resumo: Orientador: Peter A. B. Schulz
id UNICAMP-30_122f72aa9d9973311bbb5962f58a984c
oai_identifier_str oai::85139
network_acronym_str UNICAMP-30
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository_id_str
spelling Análise da dimensionalidade do emissor de um diodo de tunelamento ressonanteDiodos de tunelamentoTunelamento (Física)Orientador: Peter A. B. SchulzDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: Neste trabalho discutimos a influência da formação de um gás bidimensional na interface emissor-barreira sobre a densidade de corrente de um diodo de tunelamento ressonante de dupla barreira de GaAs-A1GaAs. A formação desse gás bidimensional em função da voltagem aplicada ocorre em dispositivos onde camadas de GaAs não dopadas são crescidas entre os contatos fortemente dopados e a estrutura de barreira dupla propriamente dita. Esse procedimento diminui o espalhamento devido a impurezas ionizadas, melhorando as características corrente-voltagem desses diodos de tunelamento. A formação desse emissor 2D é estudada como função da largura dessas camadas espaçadoras, da temperatura e da voltagem aplicada ao dispositivo. Para isso resolvemos autoconsistentemente a equação de Poisson e a equação de Schrodinger nessas regiões. Essa análise permite-nos inferir diferentes caminhos de tunelamento, relacionados com a formação de estados confinados no emissor, e suas assinaturas em características corrente-voltagem de diodos de tunelamento ressonanteAbstract: We discuss the influence of formation of a 2DG at the emitter-barrier interface on the evaluation of the characteristics of a GaAs-AIGaAs double-barrier quantum well resonant tunneling diode. The formation of a 2DG in function of applied voltage happens in diodes with GaAs undoped spacer layer grown between contacts and barriers. This procedure diminishes the scattering mechanisms and improves the resonant tunneling features. The formation of this 2D emitter is studied in function of spacer layer width, temperature and applied voltage by solving Poisson and Schrodinger equations self-consistently. This analysis permits us to infer different tunneling channels, related to the formation of confined states in the emitter region, and their features in current-voltage characteristics of resonant tunneling diodesMestradoFísicaMestre em Física[s.n.]Schulz, Peter Alexander Bleinroth, 1961-Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASRivera Riofano, Pablo Hector19941995-02-02T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf69f. : il.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1582217RIVERA RIOFANO, Pablo Hector. Análise da dimensionalidade do emissor de um diodo de tunelamento ressonante. 1994. 69f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1582217. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/85139porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2015-03-03T14:44:17Zoai::85139Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2015-03-03T14:44:17Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
dc.title.none.fl_str_mv Análise da dimensionalidade do emissor de um diodo de tunelamento ressonante
title Análise da dimensionalidade do emissor de um diodo de tunelamento ressonante
spellingShingle Análise da dimensionalidade do emissor de um diodo de tunelamento ressonante
Rivera Riofano, Pablo Hector
Diodos de tunelamento
Tunelamento (Física)
title_short Análise da dimensionalidade do emissor de um diodo de tunelamento ressonante
title_full Análise da dimensionalidade do emissor de um diodo de tunelamento ressonante
title_fullStr Análise da dimensionalidade do emissor de um diodo de tunelamento ressonante
title_full_unstemmed Análise da dimensionalidade do emissor de um diodo de tunelamento ressonante
title_sort Análise da dimensionalidade do emissor de um diodo de tunelamento ressonante
author Rivera Riofano, Pablo Hector
author_facet Rivera Riofano, Pablo Hector
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Schulz, Peter Alexander Bleinroth, 1961-
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin
Programa de Pós-Graduação em Física
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
dc.contributor.author.fl_str_mv Rivera Riofano, Pablo Hector
dc.subject.por.fl_str_mv Diodos de tunelamento
Tunelamento (Física)
topic Diodos de tunelamento
Tunelamento (Física)
description Orientador: Peter A. B. Schulz
publishDate 1994
dc.date.none.fl_str_mv 1994
1995-02-02T00:00:00Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.12733/1582217
RIVERA RIOFANO, Pablo Hector. Análise da dimensionalidade do emissor de um diodo de tunelamento ressonante. 1994. 69f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1582217. Acesso em: 2 set. 2024.
url https://hdl.handle.net/20.500.12733/1582217
identifier_str_mv RIVERA RIOFANO, Pablo Hector. Análise da dimensionalidade do emissor de um diodo de tunelamento ressonante. 1994. 69f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1582217. Acesso em: 2 set. 2024.
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/85139
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
69f. : il.
dc.publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
instname_str Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron_str UNICAMP
institution UNICAMP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.mail.fl_str_mv sbubd@unicamp.br
_version_ 1809188773181784064

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