Crescimento epitaxial de GaAs pela Tecnica Movpe
Autor(a) principal: | |
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Data de Publicação: | 1988 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) |
Texto Completo: | https://hdl.handle.net/20.500.12733/1577369 |
Resumo: | Orientador : Ines Joekes |
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Crescimento epitaxial de GaAs pela Tecnica MovpeGálioArsênioLasers semicondutoresEpitaxiaOrientador : Ines JoekesDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de QuimicaMestrado[s.n.]Joekes, Ines, 1946-2013Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de QuímicaPrograma de Pós-Graduação não informadoUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASMaia, Izaque Alves1988info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf179f. : il.(Broch.)https://hdl.handle.net/20.500.12733/1577369MAIA, Izaque Alves. Crescimento epitaxial de GaAs pela Tecnica Movpe. 1988. 179f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1577369. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/47561porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2014-04-17T23:28:06Zoai::47561Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2014-04-17T23:28:06Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false |
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