Caracterização de heteroestruturas InP/GaAs(100) por difração múltipla de raios-X

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Avanci, Luis Humberto
Data de Publicação: 1995
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1582327
Resumo: Orientador: Lisandro Pavie Cardoso
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spelling Caracterização de heteroestruturas InP/GaAs(100) por difração múltipla de raios-XRaios X - DifraçãoSemicondutoresOrientador: Lisandro Pavie CardosoDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: Neste trabalho, os casos de três feixes de superfície (000 200 111) da difração múltipla de raios-X são utilizados de forma inédita, na caracterização de heteroestruturas InP/GaAs(100) crescidas por epitaxia de feixe molecular com fonte gasosa (GSMBE). Um programa desenvolvido para a simulação do perfil e posição desses casos de três feixes nos diagramas Renninger, foi utilizado na detem1inação da largura mosaico paralela (hf) e perpendicular (hw ) à direção do crescimento da camada. Valores menores de ambas as larguras obtidos para as amostras que sofreram tratamento térmico rápido (RT A), indicam que esse tratamento após o crescimento, realmente melhora a perfeição cristalina das camadas. A análise do parâmetro de rede da camada na direção paralela à sua superfície, também obtido do programa, em função da temperatura de nucleação, mostrou que os resultados seguem o modelo de tensão térmica na camada, no qual a temperatura de nucleação é mais importante do que a temperatura de crescimento das camadas de lnP .A condição angular da difração múltipla, quando analisada em detalhes através da variação do ângulo de incidência w e do ângulo de rotação f em tomo da direção [100], acarreta no mapeamento desta condição. Um método baseado nas varreduras w :f , que permite a análise da desorientação superficial dos blocos mosaicos ou das grandes regiões perfeitas difratantes em cristais quase-perfeitos, foi aplicado pela primeira vez em heteroestruturas, no sistema InP/GaAs deste trabalho. A curvas de isointensidade dessas varreduras para o substrato GaAs, permitiu observar diretamente o efeito da tensão provocada pelo crescimento da camada de lnP , na rede do substratoAbstract: Not informedMestradoFísicaMestre em Física[s.n.]Cardoso, Lisandro Pavie, 1950-Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASAvanci, Luis Humberto19951995-03-03T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf44 f. : il.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1582327AVANCI, Luis Humberto. Caracterização de heteroestruturas InP/GaAs(100) por difração múltipla de raios-X. 1995. 44 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1582327. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/86330porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2019-06-19T07:53:06Zoai::86330Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2019-06-19T07:53:06Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
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