Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Camilo Junior, Alexandre
Data de Publicação: 1990
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1575044
Resumo: Orientador: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho
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spelling Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCESemicondutoresLasersOrientador: Mauro Monteiro Garcia de CarvalhoDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: Apresentamos neste trabalho um estudo do crescimento de InP sobre InP pela técnica de Epitaxia Química em Vácuo, utilizando o sistema construído no LPD/DFA-UNICAMP. O material crescido foi caracterizado principalmente por Efeito Hall e fotoluminescência e os resultados comparados com os disponíveis na literatura, referentes a outros tipos de sistemas de crescimento epitaxial em fase vapor. Descrevemos, também, as modificações que foram feitas no sistema com o objetivo de melhorar o aproveitamento da fosfina como fonte de fósforo e a qualidade do material obtido. Juntamente com este estudo iniciou-se a automação do sistema, usando-se um microcomputador padrão IBM PC-XTAbstract: In this work we present a study on the growth of InP/InP with the Vacuum Chemical Epitaxy (VCE) technique. The VCE system used for this work was the one at Device Research Laboratory/DFA-UNICAMP. The grown material was mainly characterized by Hall effect and photoluminescence; these results were compared with those available in the literature for other vapor-phase epitaxial systems. We also describe here the modifications made to the VCE system in order to improve the utilization of PH3 as P source and the material quality. Together with this study, the automation of the system was carried out, with the use of IBM PC-XT type micro-computerMestradoFísicaMestre em Física[s.n.]Carvalho, Mauro Monteiro Garcia de, 1948-Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASCamilo Junior, Alexandre19901991-03-18T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf[99] f. : il.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1575044CAMILO JUNIOR, Alexandre. Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE. 1990. [99] f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1575044. Acesso em: 14 mai. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/28588porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2015-01-29T16:20:35Zoai::28588Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2015-01-29T16:20:35Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
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