Heterojunções fotovoltaicas de SnO2/Si

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Santos, Paulo Ventura, 1958-
Data de Publicação: 1982
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1578021
Resumo: Orientador : Alaide Pellegrini Mammana
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spelling Heterojunções fotovoltaicas de SnO2/SiCélulas solaresCélulas fotoelétricasFilmes finosEngenharia elétricaOrientador : Alaide Pellegrini MammanaDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de CampinasResumo: Investigamos, neste trabalho, os filmes finos transparetes e condutores de dióxido de estanho (sn02),formados pela oxidação de vapores ricos em 'tetrac10reto de estanho sobre a superfície aquecida (300°C a 450°C) de substratos de vidro e quartzo; e as heterojunções fotovoltáicas obtidas pela deposição destes filmes sobre substratos monocrista1inos de silício. Estudamos a resistividade, a transmitância óptica e o índice de refração dos filmes em função da temperatura dos substratos durante a deposição e da concentração de antimônio introduzida como dopante, com o objetivo de diminuir a resistividade. Tais investigações permitiram determinar as condições de deposição para obtenção de filmes com baixa resistividade e alta transmitância óptica, para o emprego em heterojunções. As heterojunções de Sn02/Si foram construídas sobre silício tipos n e p, com diferentes resistividades. Mediram-se as características I x V com e sem ilumina ção, as características 10g I x V em função da temperatura e as características C x V para diferentes frequências do sinal de medida. As melhores células solares foram do tipo Sn02/Si-n, que apresentaram sob condiçoes AMl densidade de corrente de curto-circuito em torno de 30 ma/cm2, tensão de circuito aberto superior a 400 mV, eficiência de 6% e boa resposta espectral, especialmente para comprimentos de onda curtos. O princípal mecanismo de condução de corrente direta identificado nestas heterojunções foram os processos de recombinação e tunelamento em múltiplas etapas, através de estados na banda proibida do silício. Em altas correntes diretas surgem efeitos de resistência série, que atribuimos à presença de camadas isolantes de óxido,de silício na interface sno2/Si. Nas heterojunções de sn02/Si-p, por outro lado, observamos forte supressão de fotocorrente e nelas a eficiência sob condições AMl é inferior a 0,1%. O comportamento da corrente com a temperatura nestas heterojunções é semelhante ao observado em dispositivos meta1-iso1ante-semicondutor com alta densidade de estados de interfaceAbstract: Not informedMestradoMestre em Engenharia Elétrica[s.n.]Mammana, Alaide Pellegrini, 1941-Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia de CampinasPrograma de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASSantos, Paulo Ventura, 1958-1982info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf1v. (varias paginações) : il.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1578021SANTOS, Paulo Ventura. Heterojunções fotovoltaicas de SnO2/Si. 1982. 1v. (varias paginações) Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1578021. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/48361porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2019-05-03T13:44:26Zoai::48361Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2019-05-03T13:44:26Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
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