Nova tecnologia de obtenção de feixe de ions de erbio com implantador de media corrente utilizado em microeletronica

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Silva, Nelmo Cyriaco da
Data de Publicação: 1999
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1588209
Resumo: Orientador: Luiz Carlos Kretly
id UNICAMP-30_4f51509129e760a5867dd22063955ce4
oai_identifier_str oai::182798
network_acronym_str UNICAMP-30
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository_id_str
spelling Nova tecnologia de obtenção de feixe de ions de erbio com implantador de media corrente utilizado em microeletronicaImplantação iônicaPlasma (Gases ionizados)Dispositivos optoeletrônicosMicroeletrônicaOrientador: Luiz Carlos KretlyDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de ComputaçãoResumo: A tecnologia descrita neste trabalho foi desenvolvida para obtenção de feixe de íons de Érbio usando um equipamento implantador de íons tipicamente voltado à aplicações em microeletrônica. O Érbio é um elemento químico fundamental, que quando da sua incorporação em substratos ópticos e/ou semicondutores, dá origem a radiação estimulada, essencial em dispositivos fotônicos. A implantação iônica do Érbio em contraste com a difusão apresenta as vantagens inerentes a este processo como por exemplo: perfil vertical, doses elevadas, processamento com baixa energia térmica entre outras. A tecnologia aqui detalhada, faz uso da fonte de íons original do equipamento e focaliza atenção na câmara de arco da fonte. Átomos de Érbio duplamente ionizados foram produzidos por um processo de sputtering enriquecido por plasma reativo e acelerados com a voltagem de 200kV, atingindo feixes com energias próximas de 400keV. Correntes de até 100mA foram obtidas o que resultam em doses da ordem de 1 x 1017cm-2 parâmetros estes, suficientes para fabricação de dispositivos fotônicos - optoeletrônicos planaresAbstract: The technology described herein is intended to produce Erbium beams, using typical ion implanter equipment normally used for microelectronics application. Erbium is a fundamental specie whose incorporation into optical or semiconductor substrates produces stimulated radiation that allows the fabrication of Photonics devices. The Erbium ion implantation in contrast to the diffusion process has all the inherent advantages of ion implantation i.e., high doses, vertical profiles, low thermal process among others. The procedure uses the same ion source of the original equipment (Standard or SKM Freeman type) and focuses on the placement of the Erbium material in the arc chamber. Currents up to 100mA were obtained, which implies that doses up to 1017 cm?2 could be reached at reasonable implantation period. Double ionized atoms of Erbium are produced by a reactive plasma enhanced sputtering process and accelerated with a voltage up to 200 kV reaching beams close to 400 keV. These parameters are compatible with those demanded by photonics devicesMestradoMestre em Engenharia Elétrica[s.n.]Kretly, Luiz Carlos, 1950-Barbosa, Luiz CarlosBraga, Edmundo da SilvaUniversidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Elétrica e de ComputaçãoPrograma de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASSilva, Nelmo Cyriaco da19991999-11-18T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf64 f. : il.(Broch.)https://hdl.handle.net/20.500.12733/1588209SILVA, Nelmo Cyriaco da. Nova tecnologia de obtenção de feixe de ions de erbio com implantador de media corrente utilizado em microeletronica. 1999. 64 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1588209. Acesso em: 14 mai. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/182798porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2019-06-27T14:19:58Zoai::182798Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2019-06-27T14:19:58Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
dc.title.none.fl_str_mv Nova tecnologia de obtenção de feixe de ions de erbio com implantador de media corrente utilizado em microeletronica
title Nova tecnologia de obtenção de feixe de ions de erbio com implantador de media corrente utilizado em microeletronica
spellingShingle Nova tecnologia de obtenção de feixe de ions de erbio com implantador de media corrente utilizado em microeletronica
Silva, Nelmo Cyriaco da
Implantação iônica
Plasma (Gases ionizados)
Dispositivos optoeletrônicos
Microeletrônica
title_short Nova tecnologia de obtenção de feixe de ions de erbio com implantador de media corrente utilizado em microeletronica
title_full Nova tecnologia de obtenção de feixe de ions de erbio com implantador de media corrente utilizado em microeletronica
title_fullStr Nova tecnologia de obtenção de feixe de ions de erbio com implantador de media corrente utilizado em microeletronica
title_full_unstemmed Nova tecnologia de obtenção de feixe de ions de erbio com implantador de media corrente utilizado em microeletronica
title_sort Nova tecnologia de obtenção de feixe de ions de erbio com implantador de media corrente utilizado em microeletronica
author Silva, Nelmo Cyriaco da
author_facet Silva, Nelmo Cyriaco da
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Kretly, Luiz Carlos, 1950-
Barbosa, Luiz Carlos
Braga, Edmundo da Silva
Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação
Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
dc.contributor.author.fl_str_mv Silva, Nelmo Cyriaco da
dc.subject.por.fl_str_mv Implantação iônica
Plasma (Gases ionizados)
Dispositivos optoeletrônicos
Microeletrônica
topic Implantação iônica
Plasma (Gases ionizados)
Dispositivos optoeletrônicos
Microeletrônica
description Orientador: Luiz Carlos Kretly
publishDate 1999
dc.date.none.fl_str_mv 1999
1999-11-18T00:00:00Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv (Broch.)
https://hdl.handle.net/20.500.12733/1588209
SILVA, Nelmo Cyriaco da. Nova tecnologia de obtenção de feixe de ions de erbio com implantador de media corrente utilizado em microeletronica. 1999. 64 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1588209. Acesso em: 14 mai. 2024.
identifier_str_mv (Broch.)
SILVA, Nelmo Cyriaco da. Nova tecnologia de obtenção de feixe de ions de erbio com implantador de media corrente utilizado em microeletronica. 1999. 64 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1588209. Acesso em: 14 mai. 2024.
url https://hdl.handle.net/20.500.12733/1588209
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/182798
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
64 f. : il.
dc.publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
instname_str Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron_str UNICAMP
institution UNICAMP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.mail.fl_str_mv sbubd@unicamp.br
_version_ 1799138345118334976

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