Estudo estrutural de nanossistemas semicondudores e semicondutores implantados por difração de raios-X de n-feixes

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Menezes, Alan Silva de, 1981-
Data de Publicação: 2010
Tipo de documento: Tese
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1613991
Resumo: Orientador: Lisandro Pavie Cardoso
id UNICAMP-30_5d2143fa3938ab514c8add68bd013725
oai_identifier_str oai::782455
network_acronym_str UNICAMP-30
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository_id_str
spelling Estudo estrutural de nanossistemas semicondudores e semicondutores implantados por difração de raios-X de n-feixesStructural study of semiconductors nanosystems and implanted semiconductors by means of n-beams X-ray diffractionSemicondutoresImplantação iônicaRaios X - Difração múltiplaPontos quânticosSemiconductorsX-rays - Multiple diffractionQuantum dotsOrientador: Lisandro Pavie CardosoTese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb WataghinResumo: Neste trabalho, a difração múltipla (DM) de raios-X associada com as vantagens da radiação síncrotron configura-se como uma microssonda de alta resolução e é utilizada para obter relevantes contribuições ao estudo das propriedades estruturais de materiais semicondutores, apresentem-se eles como nanosistemas epitaxiais ou implantados com íons. O estudo e detecção de reflexões híbridas (interação camada epitaxial/substrato) coerentes (CHR) negativas nas varreduras Renninger (RS) do substrato é uma das contribuições desta tese. O mapeamento ?:f da condição de difração da reflexão secundária (113)(111) mostra que a CHR negativa que aparece é, na realidade, a interferência destrutiva entre a reflexão secundária da rede da camada e a reflexão primária do substrato. Ressalta-se aqui importância da medida detalhada da condição de difração de reflexões secundárias adequadas da DM. O uso do caso especial da DM denominado difração Bragg-superfície (BSD), cuja reflexão secundária se propaga paralelamente à superfície dos monocristais ou interfaces nas heteroestruturas, quando envolve reflexões secundárias que são sensíveis à simetria da rede cristalina, constitui outra contribuição da tese. O pico na RS para o substrato (GaAs), que representa o caso de quatro-feixes (000)(004)(022)(022) e que se separa em dois picos na RS da camada GaInP por distorção tetragonal foi utilizado como uma nova ferramenta no estudo de deformações tetragonais, mesmo para camadas epitaxiais finas. Além disso, a presença de distorções ortorrômbicas ou até mesmo monoclínicas, pode ser investigada pela medida dos dois pares de picos secundários (022)(022) e (202)(202), também presentes na mesma RS da camada ternária. Outras contribuições desta tese estão na aplicação da DM no estudo de amostras de SiO2/Si(001) implantadas com íons Fe+, que passaram pelo processo de cristalização epitaxial induzida por feixe de íons (IBIEC) e, finalmente, por tratamento térmico. Mapeamentos ?:f do pico BSD (000)(002)(111) forneceram parâmetros de rede e tensões nas direções perpendiculares e paralelas com relação à superfície, para as regiões tensionadas provocadas por formação das nanopartículas da fase ?-FeSi2 produzidas por IBIEC. Para outro conjunto de amostras semelhantes exceto pela ausência do óxido a interessante formação de nanopartículas da fase ?-FeSi2 sob a forma de placas orientadas na amostra IBIEC, que foram observadas por microscopia e confirmadas por curvas de rocking (002) na condição de DM para os picos BSD (111) e (111) e mapeamentos ?:f, provocou tensões anisotrópicas no plano da superfície da amostra IBIEC. Formas esféricas das nanopartículas também detectadas por microscopia introduzem tensões isotrópicas e a caracterização estrutural das amostras foi realizada da mesma maneira mencionada acima. Medidas dos mapeamentos do espaço recíproco (RSM) com reflexões simétricas e assimétricas foram importante para confirmar os resultados obtidos por MD das amostras implantadas, por permitir observar a variação de composição lateral e periódica existente na camada de GaInP, assim como, por confirmar o efeito da altura dos pontos quânticos de InP sobre a camada ternária, no nível de tensão provocado por eles na camada de recobrimento desses pontos, ou seja, quanto maior a altura maior o nível de tensão na camadaAbstract: In this paper, X-ray multiple diffraction (MD) associated with the advantages of synchrotron radiation appears as a high-resolution microprobe and it is used to obtain relevant contributions to the study of structural properties of semiconductor materials, as they present themselves nanosystems epitaxial or implanted with ions. The study and detection of negative hybrid reflections (interaction epitaxial layer/substrate) coherent (CHR) in substrate Renninger scans (RS) is one of the contributions of this thesis. The ?:f mapping, i.e., the scanning of the (113)(111) secondary reflection diffraction condition shows that the CHR negative that appears is, in fact, the destructive interference between the layer secondary reflection and the substrate primary reflection. It is emphasized here the importance of a detailed measurement of the diffraction condition of adequate MD secondary reflections. The use of the MD special case named Bragg-Surface Diffraction (BSD), in which the secondary reflection propagates parallel to the single crystal surface or interfaces in heterostructures, when involves secondary reflections that are sensitive to the crystalline lattice symmetry, is another relevant contribution of this thesis. The substrate (GaAs) RS peak, which stands for the (000)(004)(022)(022) four-beam case that splits into two three-beam peaks GaInP layer RS by tetragonal distortion was used as a novel tool in the study of tetragonal distortions, even for thin epitaxial layers. Moreover, the presence of orthorhombic distortion or even monoclinic one, can be investigated by measuring the two pairs of secondary peaks (022)(022)and (202)(202) also present in the same ternary layer RS. Other thesis contributions are in the application of DM to the study of SiO2/Si(001) crystals implanted with Fe+, which were submitted to Ion Beam Induced Epitaxial Crystallization process (IBIEC) and then, annealed. ?:f mappings of the (000)(002)(111) BSD peak gave rise to perpendicular and in-plane lattice parameters and strains for the stressed regions provoked by the ?-FeSi2 nanoparticles formation provided by IBIEC. For another set of similar samples except for the absence of the oxide, the interesting formation of oriented plate-like ?-FeSi2 nanoparticles, that were observed by TEM and confirmed by (002) rocking curves obtained at MD condition for the BSD (111) and (1 peaks and the ?:f mappings that provided anisotropic in-plane strains in IBIEC sample. Nanoparticles spherical-like also detected by TEM induce isotropic strains and the samples structural characterization was obtained using the same above mentioned manner. Measurements of the reciprocal space mapping (RSM) using symmetric and asymmetric reflections were important to confirm the implanted crystal results obtained by MD by allowing to observe the periodic and lateral composition variation in the GaInP layer as well as, to confirm the effect of the height of InP quantum dots grown on the ternary layer in the strain degree they cause in the ternary cap layer, it means, the greater the height the greater the level of strain in the cap layerDoutoradoFísica da Matéria CondensadaDoutor em Ciências[s.n.]Cardoso, Lisandro Pavie, 1950-Mazzocchi, Vera luciaMazzaro, IrineuCotta, Mônica AlonsoCarvalho, Mauro Monteiro Garcia deUniversidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASMenezes, Alan Silva de, 1981-20102010-10-12T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdf169 p. : il.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1613991MENEZES, Alan Silva de. Estudo estrutural de nanossistemas semicondudores e semicondutores implantados por difração de raios-X de n-feixes. 2010. 169 p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1613991. Acesso em: 15 mai. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/782455porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2019-06-19T10:02:54Zoai::782455Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2019-06-19T10:02:54Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
dc.title.none.fl_str_mv Estudo estrutural de nanossistemas semicondudores e semicondutores implantados por difração de raios-X de n-feixes
Structural study of semiconductors nanosystems and implanted semiconductors by means of n-beams X-ray diffraction
title Estudo estrutural de nanossistemas semicondudores e semicondutores implantados por difração de raios-X de n-feixes
spellingShingle Estudo estrutural de nanossistemas semicondudores e semicondutores implantados por difração de raios-X de n-feixes
Menezes, Alan Silva de, 1981-
Semicondutores
Implantação iônica
Raios X - Difração múltipla
Pontos quânticos
Semiconductors
X-rays - Multiple diffraction
Quantum dots
title_short Estudo estrutural de nanossistemas semicondudores e semicondutores implantados por difração de raios-X de n-feixes
title_full Estudo estrutural de nanossistemas semicondudores e semicondutores implantados por difração de raios-X de n-feixes
title_fullStr Estudo estrutural de nanossistemas semicondudores e semicondutores implantados por difração de raios-X de n-feixes
title_full_unstemmed Estudo estrutural de nanossistemas semicondudores e semicondutores implantados por difração de raios-X de n-feixes
title_sort Estudo estrutural de nanossistemas semicondudores e semicondutores implantados por difração de raios-X de n-feixes
author Menezes, Alan Silva de, 1981-
author_facet Menezes, Alan Silva de, 1981-
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Cardoso, Lisandro Pavie, 1950-
Mazzocchi, Vera lucia
Mazzaro, Irineu
Cotta, Mônica Alonso
Carvalho, Mauro Monteiro Garcia de
Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb Wataghin
Programa de Pós-Graduação em Física
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
dc.contributor.author.fl_str_mv Menezes, Alan Silva de, 1981-
dc.subject.por.fl_str_mv Semicondutores
Implantação iônica
Raios X - Difração múltipla
Pontos quânticos
Semiconductors
X-rays - Multiple diffraction
Quantum dots
topic Semicondutores
Implantação iônica
Raios X - Difração múltipla
Pontos quânticos
Semiconductors
X-rays - Multiple diffraction
Quantum dots
description Orientador: Lisandro Pavie Cardoso
publishDate 2010
dc.date.none.fl_str_mv 2010
2010-10-12T00:00:00Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
format doctoralThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.12733/1613991
MENEZES, Alan Silva de. Estudo estrutural de nanossistemas semicondudores e semicondutores implantados por difração de raios-X de n-feixes. 2010. 169 p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1613991. Acesso em: 15 mai. 2024.
url https://hdl.handle.net/20.500.12733/1613991
identifier_str_mv MENEZES, Alan Silva de. Estudo estrutural de nanossistemas semicondudores e semicondutores implantados por difração de raios-X de n-feixes. 2010. 169 p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1613991. Acesso em: 15 mai. 2024.
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/782455
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
169 p. : il.
dc.publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
instname_str Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron_str UNICAMP
institution UNICAMP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.mail.fl_str_mv sbubd@unicamp.br
_version_ 1799138477550338048

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