Estudo da distribuição da temperatura em encapsulamentos de dispositivos MOSFET utilizando simulação por métodos de elementos finitos
Autor(a) principal: | |
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Data de Publicação: | 2011 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) |
Texto Completo: | https://hdl.handle.net/20.500.12733/1616837 |
Resumo: | Orientador: Marco Antônio Robert Alves |
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Estudo da distribuição da temperatura em encapsulamentos de dispositivos MOSFET utilizando simulação por métodos de elementos finitosStudy about temperature distribution in a MOSFET device package using finite element method simulationEncapsulamentoMétodo dos elementos finitosSimulação (Computadores)Calor - TransmissãoTemperaturaPackageFinite element methodComputer simulationHeat - TransmissionTemperatureOrientador: Marco Antônio Robert AlvesDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de ComputaçãoResumo: O transistor MOSFET teve uma evolução muito grande desde sua invenção até os dias de hoje. As dimensões foram reduzidas, a capacidade de integração de componentes e frequência de operação aumentaram, como consequência desta evolução houve um aumento da potência dissipada pelos circuitos integrados. Neste trabalho foi utilizada simulação por elementos finitos para estudar o comportamento térmico de um encapsulamento ao variar-se sua montagem interna, utilizando um MOSFET de potência como fonte de calor. A partir destas simulações foi possível identificar os pontos de maior e menor temperatura, bem como as regiões de melhor condução de calor. Ainda utilizando simulação por elementos finitos estudou-se o efeito da variação do tempo de chaveamento nas temperaturas observadas no interior do encapsulamentoAbstract: The transistor had a great evolution since its invention until today. The dimensions were reduced, the components integration and operating frequency increased, a result of these developments is higher power dissipation in integrated circuits. This work use finite element method simulation to study the thermal behavior of a package with different internal assembly, using a power MOSFET as heat source. From these simulations it is possible to identify the points of high and low temperature, and best thermal paths. Still using finite element method simulation was studied the effect of switching time in the thermal behavior of the packageMestradoEletrônica, Microeletrônica e OptoeletrônicaMestre em Engenharia Elétrica[s.n.]Alves, Marco Antonio Robert, 1964-Martins, Evandro MazinaBraga, Edmundo da SilvaUniversidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Elétrica e de ComputaçãoPrograma de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASBaumgratz, Filipe Dias2011info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf81 f. : il.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1616837BAUMGRATZ, Filipe Dias. Estudo da distribuição da temperatura em encapsulamentos de dispositivos MOSFET utilizando simulação por métodos de elementos finitos. 2011. 81 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1616837. Acesso em: 3 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/841293porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2017-02-18T06:29:21Zoai::841293Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2017-02-18T06:29:21Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false |
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