Chaves optoeletrônicas de alta tensão a semicondutor

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Szpigel, Sérgio, 1964-
Data de Publicação: 1988
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1579223
Resumo: Orientador: Carlos Henrique Brito Cruz
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spelling Chaves optoeletrônicas de alta tensão a semicondutorFotocondutividadeCondutividade elétricaOrientador: Carlos Henrique Brito CruzDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: Este trabalho teve como objetivo a construção e caracterização de uma chave optoeletrônica a semicondutor para chaveamento de pulsos elétricos de alta tensão (> 500 V). Os semicondutores utilizados foram GaAs e InP semi-isolantes que apresentam alta resistividade (> 107 W.cm). Para a ativação das chaves foi construído um laser de nitrogênio que fornece pulsos com duração da ordem de 2 ns no comprimento de onda de 337.1 nm .Foram estudados os efeitos de potência do laser e do campo elétrico aplicado na performance dos dispositivos. Pulsos com duração subnanosegundo e amplitude até 800 V foram obtidos com o InP e até 450 V com o GaAs. Também foi construída uma chave com resposta rápida (@ 100 PS) para medidas dos tempos de recombinação dos cristais. O dispositivo foi ativado utilizando-se pulsos ultracurtos (100 fs) fornecidos por um laser de corante (l = 610 nm) com acoplamento de modos passivo e cavidade em anel em regime de pulsos contrapropagantesAbstract: In this work we have studied a semiconductor optoelectronic device to switch high-voltage electrical pulses ( > 500 V). The semiconductors used were semi-isolant GaAs and InP that show high-resistivity (> 107 W.cm) To switch activation we have built a nitrogen laser that gives pulses of 337.1 nm radiation and duration of 2 ns. We have studied the effects of laser power and applied electrical field on the device performance. Subnanosecond electrical pulses with amplitudes as high as 800 V for InP and 450 V for GaAs were obtained. We also have built a fast response switch (@ 100 PS) to measure the crystal recombination time The device was activated by ultrashort light pulses (100 fs) of a colliding pulse mode-locked ring dye laser (l = 610 nm)MestradoFísicaMestre em Física[s.n.]Cruz, Carlos Henrique de Brito, 1956-Kiel, Alvin ElliotZilio, Sérgio CarlosScalabrin, ArtemioPereira, DanielUniversidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASSzpigel, Sérgio, 1964-19881988-08-26T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf114 f. : il.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1579223SZPIGEL, Sérgio. Chaves optoeletrônicas de alta tensão a semicondutor. 1988. 114 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1579223. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/52324porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2019-06-10T15:35:58Zoai::52324Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2019-06-10T15:35:58Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
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