Dispositivos optoeletrônicos para o infravermelho termal

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Bandeira, Iraja Newton
Data de Publicação: 1994
Tipo de documento: Tese
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1581567
Resumo: Orientador: Paulo Motisuke
id UNICAMP-30_794ae6aea06f7f1c7f7eff2145096642
oai_identifier_str oai::76757
network_acronym_str UNICAMP-30
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository_id_str
spelling Dispositivos optoeletrônicos para o infravermelho termalSemicondutoresEpitaxiaDispositivos optoeletrônicosEspectro infravermelhoOrientador: Paulo MotisukeTese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: Dispositivos de materiais semicondutores do grupo IV-VI são importantes devido a suas várias aplicações na região do infravermelho termal (5mm £ l £ 14mm). Tanto detetores de radiação como laseres semicondutores fabricados com estes compostos tem aplicações que vão do controle de atitude de satélites à espectroscopia de alta resolução. Entre os materiais mais importantes do grupo, destaca-se a liga Pb1-xSnxTe devido a possibilidade de sintonização de seu gap de energia direto em todo o espectro infravermelho termal para l ³ 5m m. Detetores fotocondutores e fotovoltaícos, laseres semicondutores e, mais recentemente, redes monolíticas, poços quânticos e estruturas mesoscópicas, foram desenvolvidas com sucesso com este material semicondutor. A primeira parte deste trabalho descreve o processamento e a caracterização destes dispositivos, bem como uma nova variante do método de crescimento VMS (Vapor-Melt-Solid), o qual produziu lingotes monocristalinos de PbTe e PbSnTe com alta homogeneidade axial. Após a orientação, corte e polimento óptico, os cristais foram usados como substratos para a fabricação de sensores fotovoltaícos e laseres semicondutores por LPE (Liquid Phase Epitaxy). A segunda parte apresenta os detalhes da técnica e da construção de um sistema de Hot Wall Epitaxy -HWE, que permitiu um melhor controle sobre o crescimento das camadas epitaxiais. Este sistema foi usado para o crescimento de camadas epitaxiais de PbTe e Pb1-xSnxTe sobre vários substratos, tais como KCl, PbTe, BaF2 e Si (111), bem como para o estudo de novos métodos para otimizar o processo de crescimento. Quanto aos substratos de silício, foi reportada pela primeira vez, a construção de junções p-n que, após o processamento, produziram detetores fotovoltaícos com excelentes características de detetividade. A principal motivação para produzir detetores de compostos IV-VI sobre substratos de silício é a possibilidade de obter redes de sensores monolíticas com vários detetores e sua eletrônica associada de processamento de sinal, integrados num mesmo substratoAbstract: The IV-VI materiais semiconducting devices are important due to their several applications in the thermal infrared spectral region (5 mm £ l £ 14 mm). Radiation detectors as well as semiconductor lasers made out with those compounds have several uses, ranging from satellite's attitude control to high resolution spectroscopy. Among the important materiais of this group the Pb1-xSnxTe alloy highlights itself because the tunability of its direct gap in the whole thermal infrared region for l ³ 5 mm. Photoconductors and photovoltaic detectors, semiconductor lasers and, more recently, monolithic arrays, quantum wells and mesoscopic structures, were successful developed with this semiconductor material. The first part of this work describes the processing and characterization of these devices, as well as a new approach to the VMS (Vapor-Melt-Solid) growth method, which produced PbTe and PbSnTe monocrystals with a high axial homogeneity. After being oriented, sliced and optically polished, the crystals were used as substrates to fabricate infrared photovoltaic sensors and semiconductor lasers by LPE (Liquid Phase Epitaxy). The second part presents the details of the technique and of the construction of a Hot Wall Epitaxy -HWE system, which allows a better control over the epitaxiallayers growth. This system was used for the growth of PbTe and Pb1-xSnxTe epitaxiallayers in several substrates, such as KCl, PbTe, BaF2 and Si (111), as well as to study new methods to optimize the growth process. As for the silicon substrates, it was reported for the first time, the construction of p-n junctions that, after processing, had produced photovoltaic detectors with excellent detectivities' characteristics. The main motivation for producing IV-VI compounds detectors on silicon substrates is the possibility to obtain monolithic sensor arrays with several detectors and their associate signal processing electronics, integrated on the same substrateDoutoradoFísicaDoutor em Ciências[s.n.]Motisuke, Paulo, 1943-Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASBandeira, Iraja Newton19941994-07-15T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdf[128] f. : il.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1581567BANDEIRA, Iraja Newton. Dispositivos optoeletrônicos para o infravermelho termal. 1994. [128] f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1581567. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/76757porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2019-06-12T15:43:35Zoai::76757Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2019-06-12T15:43:35Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
dc.title.none.fl_str_mv Dispositivos optoeletrônicos para o infravermelho termal
title Dispositivos optoeletrônicos para o infravermelho termal
spellingShingle Dispositivos optoeletrônicos para o infravermelho termal
Bandeira, Iraja Newton
Semicondutores
Epitaxia
Dispositivos optoeletrônicos
Espectro infravermelho
title_short Dispositivos optoeletrônicos para o infravermelho termal
title_full Dispositivos optoeletrônicos para o infravermelho termal
title_fullStr Dispositivos optoeletrônicos para o infravermelho termal
title_full_unstemmed Dispositivos optoeletrônicos para o infravermelho termal
title_sort Dispositivos optoeletrônicos para o infravermelho termal
author Bandeira, Iraja Newton
author_facet Bandeira, Iraja Newton
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Motisuke, Paulo, 1943-
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin
Programa de Pós-Graduação em Física
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
dc.contributor.author.fl_str_mv Bandeira, Iraja Newton
dc.subject.por.fl_str_mv Semicondutores
Epitaxia
Dispositivos optoeletrônicos
Espectro infravermelho
topic Semicondutores
Epitaxia
Dispositivos optoeletrônicos
Espectro infravermelho
description Orientador: Paulo Motisuke
publishDate 1994
dc.date.none.fl_str_mv 1994
1994-07-15T00:00:00Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
format doctoralThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.12733/1581567
BANDEIRA, Iraja Newton. Dispositivos optoeletrônicos para o infravermelho termal. 1994. [128] f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1581567. Acesso em: 2 set. 2024.
url https://hdl.handle.net/20.500.12733/1581567
identifier_str_mv BANDEIRA, Iraja Newton. Dispositivos optoeletrônicos para o infravermelho termal. 1994. [128] f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1581567. Acesso em: 2 set. 2024.
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/76757
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
[128] f. : il.
dc.publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
instname_str Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron_str UNICAMP
institution UNICAMP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.mail.fl_str_mv sbubd@unicamp.br
_version_ 1809188767098994688

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