Estudo da viabilidade da deposição de tungstenio em um sistema RP/RTCUD

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Oliveira, Clivaldo de
Data de Publicação: 1996
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584230
Resumo: Orientador: Peter Jurgen Tatsch
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spelling Estudo da viabilidade da deposição de tungstenio em um sistema RP/RTCUDVapor - DeposiçãoTungstênioOrientador: Peter Jurgen TatschDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia EletricaResumo: Neste trabalho foi feito um estudo da viabilidade da deposição de tungstênio (W), seletivo e não-seletivo, pela técnica CVD (Chemical Vapor Deposition) com plasma remoto em um equipamento que utiliza lâmpadas halogêneas como fonte de aquecimento do substrato (processamento rápido). Seguindo-se um projeto fatorial foi feito um conjunto de experimentos variando-se o fluxo de gases ('WF IND. 6' e 'H IND. 2'), potência, temperatura de aquecimento do substrato e pressão, obtendo-se as condições ótimas de deposição para o equipamento utilizado. Os filmes de W foram caracterizados quanto a: taxa de deposição, uniformidade, resistividade e tamanho de grão. Foram obtidos filmes com boa taxa de deposição e com boa uniformidadeAbstract: In this work, the feasibility of the chemical vapor deposition process (CVD) was studied for both selective as well as for non-selective W deposition. The experiments were done in a remote plasma equipment with halogen lamps working as heat source (for rapid thermal processing). The experiments were planned according to the principies of factorial design aiming to achieve the best conditions for the CVD equipment. The parameters involved in the depositions were the gas flow for ('WF IND. 6' e 'H IND. 2'), the RF power, the holder temperature and the chamber pressure. The W films were characterized with respect to the deposition rate, the on-wafer uniformity, the sheet resistivity and the grain size. High quality W films with good uniformity and reasonable deposition rates were achieved.MestradoMestre em Engenharia Elétrica[s.n.]Tatsch, Peter Jürgen, 1949-Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia ElétricaPrograma de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASOliveira, Clivaldo de19961996-10-30T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf66f. : il.(Enc.)https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584230OLIVEIRA, Clivaldo de. Estudo da viabilidade da deposição de tungstenio em um sistema RP/RTCUD. 1996. 66f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584230. Acesso em: 14 mai. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/113801porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2017-02-18T02:32:22Zoai::113801Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2017-02-18T02:32:22Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
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