Propriedades de impurezas rasas em semicondutores e heteroestruturas semicondutoras

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Weber, Gerald
Data de Publicação: 1990
Tipo de documento: Tese
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1575082
Resumo: Orientador: Luiz E. Oliveira
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spelling Propriedades de impurezas rasas em semicondutores e heteroestruturas semicondutorasSemicondutoresOrientador: Luiz E. OliveiraTese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: Calculamos, utilizando um formalismo variacional, as energias de ligação de estados de impurezas rasas em semicondutores e heteroestruturas semicondutoras dentro da aproximação da massa efetiva. Em um primeiro caso estudamos os estados de doadores ionizados em Ge sob pressão uniaxial na direção [111] .Calculamos também, para poços quânticos, o efeito de um campo elétrico longitudinal sobre as densidades de estados de impureza e espectros de absorção ótica associado a impurezas. Para fios de poços quânticos estudamos as densidades de estados de impureza e analisamos o efeito de levarmos em consideração uma função dielétrica com dependência espacial. Apresentamos ainda, para fios de poços quânticos, espectros de absorção ótica associada a transições entre a sub-banda de valência e a banda de doadoresAbstract: We calculate, using a variational formalism, the binding energies of shallow impurity states in semiconductors and semiconductor heterostructures in the effective mass approximation. In a first case we study ionized donor states in Ge under an uniaxial stress in the [111] direction. We calculate also, for quantum wells, the effect of a longitudinal electric field on the density of impurity states and optical absorption spectra associated to impurities. For quantum well wires we study the density of impurity states and analyze the effects when a dielectric function with spatial dependence is taken into account. We present also, for quantum well wires, optical absorption spectra associated to transitions between the valence subband and the donor bandDoutoradoFísicaDoutor em Ciências[s.n.]Oliveira, Luiz EOliveira, Luiz E.Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASWeber, Gerald19901990-07-26T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdf[98] f. : il.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1575082WEBER, Gerald. Propriedades de impurezas rasas em semicondutores e heteroestruturas semicondutoras. 1990. [98] f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1575082. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/28665porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2017-02-18T01:54:53Zoai::28665Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2017-02-18T01:54:53Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
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