Recuperação de indio a partir ligas de metalicas de InP, InGaAs e InGaAs

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Gonçalves, José Lino, 1953-
Data de Publicação: 1993
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1581546
Resumo: Orientador: Peter Jurgen Tatsch
id UNICAMP-30_824125d3b53cd544c87015373275e6eb
oai_identifier_str oai::76733
network_acronym_str UNICAMP-30
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository_id_str
spelling Recuperação de indio a partir ligas de metalicas de InP, InGaAs e InGaAsÍndio (Química)SemicondutoresOrientador: Peter Jurgen TatschDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia EletricaResumo: o objetivo deste trabalho foi o desenvolvimento de um processo de reaproveitamento e purificação de índio a partir de soluções de InP, InGaAs e InGaAsP. Essas soluções são usadas como fonte para obtenção de camadas semicondutoras na confecção de dispositivos optoeletrônico. O processo consiste de duas etapas: a pré-purificação e a purificação num forno a vácuo, e uma terceira etapa opcional; puxamento de cristais pela técnica Czochralski. Todos os procedimentos adotados no processo de purificação estão descritos no Capítulo II. Na etapa de pré-purificação observou-se a formação de uma crosta na superfície. Esta crosta foi analisada por microsonda eletrônica e por difratometria de raio-x. Com o índio reaproveitado, fizemos vários crescimentos epitaxiais a partir da fase líquida para testar o seu grau de pureza. Foram feitas camadas de 'In IND. 1-x¿ 'Ga IND. x¿ As sobre substrato de InP que foram caracterizadas quanto a espessura, morfologia; resistividade, concentração de portadores e mobilidade por efeito Hall. As análises das crostas, as condições e procedimentos adotados para o crescimento e a caracterização das camadas crescidas estão contidos no Capítulo III. No Capítulo IV apresentamos as conclusões do trabalhoAbstract: The objective of this research was that of developing a process in with one can purifity indium from a solutions of InP, InGaAs, InGaAsP. These solution were uses as a source for obtaining the semiconductor layer in the fabrication of opto-electronic devices. The process consists of two steps: those of prepurification and of purification in a vacuum oven. There also exists an optional step in which crystal is pulIed by the Czochralski method. AlI the the procedures adopted for described in chapter II. the processes of purification are In the step of prepurification we observed the formation of a crust on the surface. This crust was analised by electronic microscopy and X-ray diffractometry. From the purified indium we made several liquid phase epitaxial growths to test the degree of the purity of the indium. The layers of 'In IND. 1-x¿ 'Ga IND. x¿ As obtained by epitaxial growth on the substrate of indium phosphide were characterized with respect to thickness and morphology and to resistivity, carrier concentration and Hall mobility. The analysis of the crusts, the conditions and procedures adopted for the growth and the characterization of the layers are given in chapter III. Chapter IV presents the conclusions of this researchMestradoMestre em Engenharia Elétrica[s.n.]Tatsch, Peter Jürgen, 1949-Damiani, FurioPrince, Francisco Carlos deUniversidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia ElétricaPrograma de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASGonçalves, José Lino, 1953-1993info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf[74] f. : il.(Broch.)https://hdl.handle.net/20.500.12733/1581546GONÇALVES, José Lino. Recuperação de indio a partir ligas de metalicas de InP, InGaAs e InGaAs. 1993. [74] f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1581546. Acesso em: 14 mai. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/76733Publicação FEEporreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2022-05-05T22:01:33Zoai::76733Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2022-05-05T22:01:33Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
dc.title.none.fl_str_mv Recuperação de indio a partir ligas de metalicas de InP, InGaAs e InGaAs
title Recuperação de indio a partir ligas de metalicas de InP, InGaAs e InGaAs
spellingShingle Recuperação de indio a partir ligas de metalicas de InP, InGaAs e InGaAs
Gonçalves, José Lino, 1953-
Índio (Química)
Semicondutores
title_short Recuperação de indio a partir ligas de metalicas de InP, InGaAs e InGaAs
title_full Recuperação de indio a partir ligas de metalicas de InP, InGaAs e InGaAs
title_fullStr Recuperação de indio a partir ligas de metalicas de InP, InGaAs e InGaAs
title_full_unstemmed Recuperação de indio a partir ligas de metalicas de InP, InGaAs e InGaAs
title_sort Recuperação de indio a partir ligas de metalicas de InP, InGaAs e InGaAs
author Gonçalves, José Lino, 1953-
author_facet Gonçalves, José Lino, 1953-
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Tatsch, Peter Jürgen, 1949-
Damiani, Furio
Prince, Francisco Carlos de
Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Elétrica
Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
dc.contributor.author.fl_str_mv Gonçalves, José Lino, 1953-
dc.subject.por.fl_str_mv Índio (Química)
Semicondutores
topic Índio (Química)
Semicondutores
description Orientador: Peter Jurgen Tatsch
publishDate 1993
dc.date.none.fl_str_mv 1993
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv (Broch.)
https://hdl.handle.net/20.500.12733/1581546
GONÇALVES, José Lino. Recuperação de indio a partir ligas de metalicas de InP, InGaAs e InGaAs. 1993. [74] f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1581546. Acesso em: 14 mai. 2024.
identifier_str_mv (Broch.)
GONÇALVES, José Lino. Recuperação de indio a partir ligas de metalicas de InP, InGaAs e InGaAs. 1993. [74] f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1581546. Acesso em: 14 mai. 2024.
url https://hdl.handle.net/20.500.12733/1581546
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/76733
Publicação FEE
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
[74] f. : il.
dc.publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
instname_str Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron_str UNICAMP
institution UNICAMP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.mail.fl_str_mv sbubd@unicamp.br
_version_ 1799138308127719424

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