Decapagem de fotorresiste por plasma de O2 e SFG e a sua aplicação no processo de fabricação de "air bridger"

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Yoshioka, Ricardo Toshinori
Data de Publicação: 1992
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1580749
Resumo: Orientador : Peter Jurgen Tatsch
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spelling Decapagem de fotorresiste por plasma de O2 e SFG e a sua aplicação no processo de fabricação de "air bridger"Plasma (Gases ionizados)Circuitos integradosOrientador : Peter Jurgen TatschDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia EletricaResumo: Neste trabalho é apresentado um estudo sobre a decapagem por plasma de fotorresiste num reator tipo barril, sendo que o 02 e SF6 foram utilizados como gases de processo. Este estudo foi aplicado no processo de fabricação de pontes aéreas (air bridges). No capítulo I, apresenta-se uma introdução, onde é descrita a importância da decapagem por plasma. No capítulo II mostra-se como é o ambiente de plasma para a decapagem de diversos materiais, utilizados em microeletrônica. No capítulo 111 descrevem-se as principais características que podem ser obtidas nos processos de decapagem por plasma, e no capítulo IV, mostram-se os equipamentos normalmente utilizados. Neste capítulo dá se maior enfoque no reator tipo barril ou tubular, pois foi utilizado esse tipo de aparelho. No capítulo V comentam-se sobre os principais materiais e gases utilizados e no capítulo VI é detalhado o processo da decapagem do fotorresiste por plasma de 02 e gases fluorados. A parte experimental do trabalho é apresentada no capítulo VII. A aplicação da decapagem do fotorresiste por plasma de 02 e SF6 na fabricação de pontes aéreas é mostrada no capítulo VIII. Finalmente as perpectivas e as principais conclusões são apresentadas no capítulo IX. Os principais resultados obtidos neste trabalho são: - Observou-se um aumento da taxa de decapagem do fotorresiste quando se adicionou uma pequena porcentagem do gás SF6 ao plasma de 02 (entre 2% e 5% do fluxo total). - A detecção do ponto final, da decapagem com a mistura, por espectroscopia ótica, pode ser realizada como na decapagem de fotorresiste por plasma de 02. - Foi observado no microscópio ótico que Si e Si02 não sofreram ataques perceptíveis por plasma de 02 e SF6, caracterizando uma boa seletividade. - A utilização da mistura 02/SF6 possibilita a remoção rápida do fotorresiste na fabricação de pontes aéreas sem afetar o metal (AI)Abstract: Not informed.MestradoEletrônica, Microeletrônica e OptoeletrônicaMestre em Engenharia Elétrica[s.n.]Tatsch, Peter Jürgen, 1949-Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia ElétricaPrograma de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASYoshioka, Ricardo Toshinori19921992-04-01T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf109f. : il.(Broch.)https://hdl.handle.net/20.500.12733/1580749YOSHIOKA, Ricardo Toshinori. Decapagem de fotorresiste por plasma de O2 e SFG e a sua aplicação no processo de fabricação de "air bridger". 1992. 109f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1580749. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/65295porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2017-02-18T02:12:13Zoai::65295Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2017-02-18T02:12:13Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
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